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        電子元器件技術(shù)發(fā)展與失效分析

        2021-01-16 01:58:11徐建民唐山國芯晶源電子有限公司
        環(huán)球市場 2021年14期
        關(guān)鍵詞:電性元器件集成電路

        徐建民 唐山國芯晶源電子有限公司

        在信息技術(shù)時代,電子設(shè)備的作用不言而喻。人們?nèi)粘9ぷ髋c生活已經(jīng)離不開電子設(shè)備的輔助。隨著技術(shù)的進步,電子產(chǎn)品質(zhì)量大大提升,功能也越來越豐富強大,給人們帶來了極大的便利。在此背景下,提高電子產(chǎn)品質(zhì)量變得更為重要,電子元器件失效分析作為提高元器件質(zhì)量的重要方法,明確失效性質(zhì)與原因,提高對電子元器件失效預防,對提升電子元器件使用性能和可靠性非常關(guān)鍵。

        一、電子元器件失效分析原則與基本程序

        (一)失效分析的基本原則

        電子元器件的失效分析不會對元器件本身造成損壞,而是通過非破壞性檢查,對元器件進行逐層分析。如果在電子元器件失效原因無法利用非破壞方法進行驗證,就需要通過深層分析檢驗來確認失效的具體原因。失效分析是電子元器件失效數(shù)據(jù)獲取的主要渠道,因此必須確保分析過程的科學合理,避免遺漏失效原因,影響電子元器件失效預防[1]。在進行失效分析前需要編制方案,外檢完成后進行通電檢查,分析應(yīng)從外部開始,逐漸進入設(shè)備內(nèi)部,由靜態(tài)逐漸進入動態(tài),先宏觀后微觀,從不同角度分析失效原因,必要時可以采取破壞性檢測。

        (二)失效分析基本程序

        在進行失效分析前,首先需要對失效對象確認,完成樣品制備與保存,然后進行相關(guān)檢查和電性分析。在分析完成后對電子元器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析并進行可靠性測試,然后開封并剝層。最后,對電子元器件失效點進行確認,通過分析確認其失效原因與機理,然后針對電子元器件失效機理制定有效的預防措施,避免電子元器件發(fā)生重復性失效。

        二、電子元器件失效分析技術(shù)方法

        (一)失效現(xiàn)象確認

        電子元器件失效分析前,首先需要確認其是否失效。電子元器件失效表現(xiàn)為:連接性失效、功能失效和電參數(shù)失效。這是那種宏觀上的失效現(xiàn)象存在一定的聯(lián)系。在無損測試中,需要按照一定的測試標準給電子元器件施加電應(yīng)力,在不破壞電子元器件的前提下判定元器件本身是否存在缺陷問題。在失效分析中,可以通過增加電應(yīng)力,改變電子元器件失效模式,從而使失效問題更為嚴重,用以更好的分析其失效機理[2]。在電子技術(shù)高速發(fā)展的前提下,電子元器件功能越來越復雜,其失效分析難度也大大增加,需要通過信息技術(shù)編程軟件輔助完成,提高失效分析的精確性。

        (二)樣品制備與保存

        為了滿足電子元器件失效分析要求,需要在失效樣品制備完成后進行妥善的保存,便于更好的完成失效分析。樣品的保存需要結(jié)合元器件封裝材料的特點,最大程度提高保存效果。例如,可以通過鈍化層技術(shù)進行樣品的保存。但是不同的保存方法都會一定程度上影響電子元器件,鈍化層技術(shù)就會造成元器件的腐蝕,而且具有不可靠性。因此在樣品保存時需要考慮到保存方法對樣品的影響,避免影響失效分析的可靠性。

        (三)電性分析

        電性分析的主要作用是輔助完成失效點定位。其中以 OBIRCH技術(shù)最為常見。該技術(shù)應(yīng)用于電子元器件失效分析,能夠通過激光主動感知到電子元器件電阻變化,從而對電子元器件失效點進行可靠定位[3]。除此之外,電性分析還包括液晶熱點檢測技術(shù)等。這些技術(shù)的應(yīng)用能夠為電子元器件失效點定位提供可靠的技術(shù)參考,提高失效原因分析的全面性,為失效機理分析提供幫助。

        三、集成電路發(fā)展給失效分析帶來的挑戰(zhàn)

        (一)失效定位與電測

        集成電路發(fā)展給失效分析帶來了更大的挑戰(zhàn),在集成電路中,失效點定位與電測更為困難。失效分析的目的是通過分析過程來確定電子元器件的失效部位。但是集成電路本身具有一定的復雜性和系統(tǒng)性,所以在失效分析過程中影響因素更多,失效定位更加困難。大量的電子元件集成在一起,在失效分析中可能出現(xiàn)其他的失效模式,從而造成失效分析的不準確,這也是未來失效分析所必須迎接的挑戰(zhàn)[4]。

        (二)新材料的處理

        在失效分析匯總,逐層剝除電路是無力分析非常重要的過程,但是隨著新材料的出現(xiàn),在剝離過程中的難度更大,傳統(tǒng)的半導體材料具有非常成熟的剝除方法,但是新材料應(yīng)用時間短,剝離技術(shù)不成熟,或者新材料與集成電路其他介質(zhì)聯(lián)系緊密,如果強行剝除可能會帶入新的失效模式,導致失效分析不嚴謹??傊?,新材料的出現(xiàn)與應(yīng)用會提高集成電路失效分析的難度。

        四、結(jié)束語

        綜上所述,電子元器件失效分析是對集成電路可靠性測試的重要方法。常規(guī)失效分析以非破壞試驗為主,通過測試確定電子元器件失效點,分析其失效機理。如果無法分析確定,可以采取破壞性測試方法。在失效分析中,需要確保分析的準確性,避免電子元器件過程處理不當出現(xiàn)新的失效模式,影響分析結(jié)果。通過失效分析能夠有效預防失效問題發(fā)生,為集成電路工作的穩(wěn)定性與可靠性提供保障。

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