吳小宇 趙虎 李智?

1) (四川大學(xué)電子信息學(xué)院, 成都 610065)

2) (航空工業(yè)西安飛行自動(dòng)控制研究所, 西安 710065)

基于約瑟夫森結(jié)的超導(dǎo)量子比特是一個(gè)宏觀的人工原子, 通過微納米加工的方法, 可以改變?nèi)斯ぴ拥幕緟?shù). 三維Transmon 量子比特是目前已知退相干時(shí)間較長(zhǎng)的一種量子比特, 該量子比特通過電容的方式與三維超導(dǎo)諧振腔進(jìn)行耦合, 是一個(gè)人造的原子與腔場(chǎng)耦合系統(tǒng), 可對(duì)原子物理、量子力學(xué)、量子光學(xué)、腔量子電動(dòng)力學(xué)的各種效應(yīng)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證. 本文制備并實(shí)現(xiàn)了3D Transmon 量子比特, 通過Jaynes-Cummings 方法尋找到了區(qū)分基態(tài)、第一激發(fā)態(tài)和第二激發(fā)態(tài)的最佳讀出功率, 對(duì)共振條件下和非共振條件下的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)進(jìn)行了測(cè)試表征, 得到的測(cè)試結(jié)果與理論結(jié)果相符.

1 引 言

基于約瑟夫森結(jié)的超導(dǎo)量子比特是一個(gè)宏觀的人造原子[1], 近年來一直作為量子信息的基本載體向著長(zhǎng)退相干時(shí)間、低噪聲、易加工、易拓展的方向不斷發(fā)展[2,3]. 由于超導(dǎo)量子計(jì)算具備加工容易、耦合可控、基態(tài)容易制備、拓展性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn), 被認(rèn)為是最容易實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算機(jī)的方式, 吸引了IBM[4]、Google[5]等國(guó)際公司投入力量進(jìn)行研究.超導(dǎo)量子比特由超導(dǎo)電路構(gòu)成, 具有參數(shù)靈活可調(diào)的特點(diǎn), 可與超導(dǎo)諧振腔相結(jié)合, 實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)的腔量子電動(dòng)力學(xué)(cQED)[6,7], 也可作為一個(gè)靈活的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證平臺(tái), 可對(duì)量子力學(xué)、量子光學(xué)、原子物理領(lǐng)域里的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證[8?10], 甚至部分自然原子不容易實(shí)現(xiàn)的實(shí)驗(yàn), 也有可能在超導(dǎo)芯片上實(shí)現(xiàn)[11].除此之外, 傳統(tǒng)的光場(chǎng)與原子的耦合較弱, 而超導(dǎo)電路與微波場(chǎng)的耦合, 可通過電容、電感等參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié), 可實(shí)現(xiàn)原子與微波場(chǎng)的超強(qiáng)耦合, 也會(huì)產(chǎn)生一些奇異的量子光學(xué)效應(yīng)[12?15]. 國(guó)內(nèi)和國(guó)際上的研究小組基于三維 (3D) Transmon 量子比特與超導(dǎo)諧振腔的耦合, 演示了諸多相關(guān)的量子操縱方面的實(shí)驗(yàn)[16?18].

有部分研究小組對(duì)超導(dǎo)量子比特的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)進(jìn)行了研究, Baur 等[19]用色散讀出法對(duì)Transmon 進(jìn)行了奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)研究,相位量子比特的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)通過隧穿原理進(jìn)行讀出[20]; 磁通量子比特與共面波導(dǎo)諧振腔耦合的系統(tǒng)中也觀測(cè)到了奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)[21];Novikov 等[22]于2013 年在3D Transmon 量子比特中也觀測(cè)到了奧特-湯恩斯分裂效應(yīng). 本文通過雙角度蒸發(fā)的方法制備了Transmon 量子比特[23],并與鋁基三維超導(dǎo)諧振腔[24]進(jìn)行耦合, 構(gòu)成了3D Transmon 量子比特[25]. 在10 mK 的超低溫下,對(duì)3D Transmon 進(jìn)行了基本的頻域參數(shù)表征. 用Jaynes-Cummings[26]讀出方法找到了區(qū)分量子比特處于基態(tài)|0〉,|0〉與|1〉的疊加態(tài), 以及|0〉,|1〉和|2〉的疊加態(tài)的最佳讀出功率. 該方法與Novikov等[23]所用方法不同的是, 僅需要給量子比特施加連續(xù)的微波激勵(lì)信號(hào), 而不需要對(duì)量子比特進(jìn)行精準(zhǔn)的時(shí)序測(cè)試, 從而降低了觀測(cè)奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)的測(cè)試復(fù)雜度. 并研究了該量子系統(tǒng)在共振情況下和非共振情況下的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)[20],實(shí)驗(yàn)與理論結(jié)果相符.

2 3D Transmon 量子比特

Transmon 量子比特是由電荷量子比特并聯(lián)大電容, 并與諧振腔相結(jié)合的一種超導(dǎo)量子比特, 其等效電路如圖1 所示. 由兩個(gè)約瑟夫森結(jié)構(gòu)成的電荷量子比特與諧振腔通過電容Cg耦合在一起.

圖1 Transmon 量子比特等效電路圖Fig. 1. Equivalent circuit diagram of Transmon qubit.

設(shè)電荷量子比特的柵電壓為Vg, 柵電容為Cg,則柵電壓吸引的庫伯對(duì)數(shù)目為ng=CgVg/2e, 庫珀盒的總充電能為4EC= (2e)2/2(CJ+Cg), 庫珀盒的約瑟夫森能為EJ, 根據(jù)上述參數(shù)可寫出電荷量子比特的哈密頓量H:

其中n為庫珀對(duì)的數(shù)目,|n〉為粒子數(shù)算符. 構(gòu)成電荷量子比特的約瑟夫森結(jié)較小, 其約瑟夫森能EJ遠(yuǎn)小于充電能EC, 該量子比特對(duì)電荷噪聲極為敏感, 很小的電荷噪聲將會(huì)使得偏置點(diǎn)ng發(fā)生較大變化, 給該量子比特并聯(lián)大電容CB,使得EC減小,EJ/EC增大, 量子比特的能帶變得更加扁平,即對(duì)于同樣的電荷噪聲, 只會(huì)引起較小的ng變化,量子比特的抗電荷噪聲能力顯著增強(qiáng). 較早的Transmon 量子比特所用的諧振腔都是共面波導(dǎo)諧振腔[6]. Transmon 量子比特的哈密頓量由超導(dǎo)電荷量子比特推導(dǎo)得到, 本文所描述的Transmon 量子比特是由一個(gè)約瑟夫森結(jié)構(gòu)成的.

2011 年, 耶魯大學(xué)Paik 等[25]首次將Transmon量子比特與三維諧振腔耦合在一起, 構(gòu)成了3D Transmon 量子比特, 經(jīng)測(cè)試發(fā)現(xiàn), 3D Transmon量子比特在退相干時(shí)間方面具有非常好的表現(xiàn), 非常適合用做量子力學(xué)、量子光學(xué)、原子物理、腔量子電動(dòng)力學(xué)等方面的驗(yàn)證平臺(tái).

制作3D Transmon 量子比特所用到的工藝主要為雙角度蒸發(fā)工藝. 雙角度蒸發(fā)工藝是制作約瑟夫森結(jié)的一種常用工藝, 其示意圖如圖2 所示. 雙角度蒸發(fā)工藝需要形成具有懸空結(jié)構(gòu)的電子束膠,即圖2 中標(biāo)注的W部分, 制作開始時(shí), 首先從一個(gè)角度蒸發(fā)第一層鋁, 厚度為30 nm, 蒸發(fā)速率為0.2 nm/s, 接下來要進(jìn)行氧化, 氧化條件能夠決定量子比特的能級(jí)分布, 氧化完成后, 進(jìn)行第二個(gè)角度的蒸發(fā), 第二個(gè)角度蒸發(fā)鋁的厚度要略大于第一個(gè)角度的厚度, 為了能夠保證邊緣的連接, 第二層鋁的厚度為50 nm. 圖2 中的h和H分別為上下層電子束膠的厚度,W為懸空部分的寬度,X為約瑟夫森結(jié)的橫向設(shè)計(jì)尺寸,M為電子束上層膠的開孔寬度,θ為電子束蒸發(fā)的角度.

圖2 雙角度蒸發(fā)工藝示意圖Fig. 2. Schematic diagram of double angle evaporation process.

根據(jù)幾何關(guān)系可以列出方程:

根據(jù)(2)式和(3)式, 在給定膠厚度h和H, 以及蒸發(fā)角度θ的情況下, 可以設(shè)計(jì)任意尺寸的約瑟夫森結(jié). 但在設(shè)計(jì)時(shí)需要注意的是,θ一般不超過20°, 否則膜的均勻性就會(huì)受到影響.

本文制備的3D Transmon 量子比特實(shí)物照片如圖3(a)所示, 圖3(b)與圖3(c)是樣品的SEM 圖片,經(jīng)測(cè)試表征, 該3D Transmon 的基態(tài)|0〉到第一激發(fā)態(tài)|1〉的躍遷頻率為f01=9.2709 GHz , 第一激發(fā)態(tài)|1〉到第二激發(fā)態(tài)|2〉的躍遷頻率為f12=9.0120 GHz ,如圖3(d)所示. 超導(dǎo)諧振腔的本征模態(tài)為fC=8.108 GHz , 有載品質(zhì)因子為QL=4.8×105.

圖3 3D Transmon 樣品及能級(jí)分布Fig. 3. 3D transmon sample and energy level distribution.

3 Jaynes-Cummings 方法尋找最佳讀出功率

對(duì)3D Transmon 量子比特的量子態(tài)讀取常用的方法有色散讀出法[6]以及Jaynes-Cummings 讀出法. 色散讀出法給超導(dǎo)諧振腔施加的讀出信號(hào)功率較低, Jaynes-Cummings 方法基于三維超導(dǎo)諧振腔奇異的非線性效應(yīng), 可直接在諧振腔的本征模態(tài)fC處進(jìn)行讀出. 這種讀出方法主要基于三維超導(dǎo)諧振腔對(duì)量子比特狀態(tài)的“繼承性”.

3D Transmon 的頻域測(cè)試系統(tǒng)如圖4 所示,總體的測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)按照輸入衰減、輸出放大的原則進(jìn)行, 這樣能夠提供最大的信噪比. 3D Transmon安裝在10 mK 級(jí). 微波源與網(wǎng)絡(luò)分析儀的輸出端口1 通過功分器進(jìn)入稀釋制冷機(jī), 稀釋制冷機(jī)在不同的溫度區(qū)域安裝了衰減器, 輸入信號(hào)從室溫環(huán)境進(jìn)入到樣品衰減了39 dB, 在輸出端安裝了兩個(gè)隔離器用于隔離輸出放大器的噪聲對(duì)3D Transmon的影響, 在4 K 和室溫下分別進(jìn)行了兩級(jí)放大.

用圖4 所示的測(cè)試系統(tǒng)對(duì)3D Transmon 量子比特的頻域特性進(jìn)行了掃描, 得到圖5 所示的結(jié)果.

注意圖5 中的黃色部分, 當(dāng)讀出功率為–85 dBm時(shí), 此時(shí)的諧振腔具有較大的傳輸系數(shù), 當(dāng)讀出功率為–90 dBm 時(shí), 諧振腔的傳輸系數(shù)有所降低, 當(dāng)讀出功率為–95 dBm 時(shí), 諧振腔的傳輸系數(shù)幾乎和噪底相同. 圖5 中8.06 GHz 處傳輸曲線有一個(gè)較大的波谷, 這是由諧振腔的非線性效應(yīng)造成的[26].

圖4 3D Transmon 的頻域測(cè)試系統(tǒng)Fig. 4. Frequency domain measurement system of 3D Transmon.

圖5 網(wǎng)絡(luò)分析儀變功率掃描S21 曲線Fig. 5. S21 curve of variable power scanning of network analyzer.

對(duì)3D Transmon 進(jìn) 行Jaynes-Cummings 讀出的測(cè)試系統(tǒng)在2014 年發(fā)表的論文[23]中進(jìn)行了詳細(xì)介紹. 給樣品施加8.108 GHz 的微波脈沖信號(hào), 并變化微波功率, 得到圖5 中的黑色曲線, 該曲線反映出量子比特處于基態(tài)|0〉時(shí), 讀出信號(hào)隨輸入信號(hào)功率的變化情況. 給量子比特施加與f01=9.2709 GHz 相同的連續(xù)微波信號(hào), 在8.108 GHz處進(jìn)行讀出功率掃描, 可得到圖6(a)的紅色曲線,此時(shí)由于連續(xù)的微波信號(hào)作用, 量子比特處于|0〉和|1〉的疊加態(tài), 當(dāng)給量子比特施加非共振頻率的微波激勵(lì)信號(hào)7.2709 GHz 時(shí), 得到的曲線與沒有任何微波激勵(lì)信號(hào)的曲線完全相同. 對(duì)比三條曲線, 即可找出區(qū)分量子比特|0〉和|1〉狀態(tài)的讀出最佳功率點(diǎn). 觀測(cè)奧特-湯恩斯分裂效應(yīng), 涉及量子比特的三個(gè)能級(jí), 因此需要尋找能夠區(qū)分基態(tài)|0〉、第一激發(fā)態(tài)|1〉以及第二激發(fā)態(tài)|2〉的最佳讀出功率點(diǎn).對(duì)量子比特分別施加f01=9.2709 GHz 的激勵(lì)信號(hào),以及f01=9.2709 GHz 與f12=9.0120 GHz 的激勵(lì)信號(hào), 進(jìn)行讀出功率掃描, 得到如圖6(b)所示的結(jié)果.

圖6 (a)區(qū)分兩個(gè)量子態(tài)的讀出功率的優(yōu)化; (b)區(qū)分三個(gè)能態(tài)的最佳讀出功率優(yōu)化Fig. 6. (a) Optimization of readout power for distinguishing two quantum states; (b) optimization for distinguishing three energy states.

當(dāng)給樣品施加f01=9.2709 GHz 連續(xù)微波激勵(lì)信號(hào)時(shí), 量子比特處于|0〉和|1〉的疊加態(tài), 當(dāng)給樣品施 加f01=9.2709 GHz 與f12=9.0120 GHz 的 連 續(xù)微波激勵(lì)信號(hào)時(shí), 量子比特處于|0〉,|1〉和|2〉的疊加態(tài). 圖6(a)中黑色箭頭標(biāo)出的位置, 就是最佳的讀出功率點(diǎn), 在該功率下, 可以很好地區(qū)分量子比特的三個(gè)最低能態(tài), 從而進(jìn)行奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)的觀測(cè).

4 共振條件下的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)

1955 年, Aulter 和Townes 利用OCS 分子做實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)[27], 如圖7 所示, 給該分子同時(shí)施加兩束角頻率分別為ωC和ωP的信號(hào),ωC與量子比特|0〉|1〉的耦合拉比頻率為ΩC,ωP與量子比特|1〉|2〉耦合的拉比頻率為ΩP, 可以發(fā)現(xiàn), 當(dāng)ΩC逐漸增強(qiáng)時(shí),|1〉到|2〉躍遷的單峰頻譜將會(huì)劈裂為雙峰結(jié)構(gòu), 也可稱為綴飾態(tài). 功率較強(qiáng)的耦合信號(hào)角頻率ωC與原子能級(jí)差ωab的失諧可表示為δ=ωC-ωab. 由于他們最早發(fā)現(xiàn)了這個(gè)量子光學(xué)效應(yīng), 因此這種劈裂稱為奧特-湯恩斯分裂效應(yīng), 或稱為動(dòng)態(tài)Stark splitting 效應(yīng).

圖7 奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)示意圖Fig. 7. Schematic diagram of ATS effect.

給3D Transmon 同時(shí)施加f01=9.2709 GHz 與f12=9.0120 GHz 的信號(hào), 保持f01=9.2709 GHz 的信號(hào)較弱, 并在f12=9.0120 GHz 附近進(jìn)行頻率掃描, 逐漸增強(qiáng)f01=9.2709 GHz 信號(hào)的強(qiáng)度, 從而得到如圖8(a)所示的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)強(qiáng)度圖.

圖8(a)中黃線標(biāo)出的三個(gè)功率點(diǎn)分別為耦合信號(hào)功率為–30, –20 和–10 dBm, 其二維圖曲線如圖8(c)—圖8(e)所示, 可以明顯看出, 當(dāng)f01功率較低時(shí), 掃描f12只能得到一個(gè)9.0120 GHz 的諧振峰, 但是隨著f01功率的增加, 掃描f12可以得到兩個(gè)關(guān)于9.0120 GHz 對(duì)稱的諧振峰, 并且他們之間的距離隨著功率增加而增加.

為了得到諧振峰的峰值與頻率, 可通過洛倫茲曲線進(jìn)行擬合, 雙峰奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)曲線可通過兩個(gè)洛倫茲曲線相加進(jìn)行擬合. 圖8(c)—圖8(e)中的黑點(diǎn)為測(cè)試得到的原始數(shù)據(jù), 紅色曲線為洛倫茲擬合曲線, 用于擬合的公式為

圖8 3D Transmon 量子比特的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng) (a)奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)測(cè)試強(qiáng)度圖; (b)奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)雙峰間距與微波幅度的關(guān)系; (c)耦合信號(hào)功率為–30 dBm 時(shí)的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)曲線; (d)耦合信號(hào)功率為–20 dBm 時(shí)的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)曲線; (e)耦合信號(hào)功率為–10 dBm 時(shí)的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)曲線.Fig. 8. ATS effect of 3D transmon qubit: (a) ATS test intensity diagram; (b) relationship between ATS peak spacing and microwave amplitude; (c) ATS curve at –30 dBm coupling signal power; (d) ATS curve at –20 dBm coupling signal power; (e) ATS curve at –10 dBm coupling signal power.

其中y0為曲線的偏移,A1與A2反映洛倫茲峰與橫軸包圍的面積,xc1與xc2是兩個(gè)洛倫茲峰所在的位置,w1和w2表示兩個(gè)洛倫茲峰的半高寬. 將不同功率下的xc1-xc2與耦合信號(hào)的微波幅度繪制在一起, 得到如圖8(b)所示的散點(diǎn), 將這些散點(diǎn)進(jìn)行線性擬合, 得到圖8(b)中的曲線, 可以看出擬合效果很好, 這與奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)理論符合得很好.

5 非共振條件下的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)

只考慮小失諧情況下的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)稱之為共振情況下的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng), 即耦合信號(hào)的失諧量δ遠(yuǎn)小于f01=9.2709 GHz 與f12=9.0120 GHz , 當(dāng)耦合信號(hào)有較大失諧時(shí), 對(duì)探測(cè)信號(hào)進(jìn)行掃描, 得到奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)的雙峰會(huì)隨著耦合信號(hào)失諧的不同而產(chǎn)生偏移, 形成免交叉結(jié)構(gòu). 免交叉結(jié)構(gòu)形成的兩條曲線是(5)式哈密頓量的兩個(gè)本征值.

對(duì)該哈密頓量進(jìn)行本征值求解, 可以得到

在這種非共振情況下, 測(cè)量的時(shí)候掃描ωP, 雙峰出現(xiàn)在ωP與綴飾態(tài)能級(jí)發(fā)生共振的時(shí)候, 此時(shí)測(cè)量得到的曲線應(yīng)該滿足方程:

圖9 非共振條件下的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)免交叉測(cè)試強(qiáng)度圖 (a) ω C的功率為–20 dBm; (b) ω C 的 功 率 為–15 dBm; (c) ω C 的功率為–10 dBmFig. 9. Anticrossing intensity test diagram of ATS under non resonance condition: (a) Power of ω C is –20 dBm;(b) power of ω C is –15 dBm; (c) power of ω C is –10 dBm.

圖9 (a)—圖9(c)為非共振情況下的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)測(cè)試強(qiáng)度圖和擬合曲線, 這三個(gè)強(qiáng)度圖對(duì)應(yīng)的ωC功率分別為–20, –15 與–10 dBm, 對(duì)應(yīng)ωP的功率為–34 dBm. 圖中黑色曲線是用(7a)式和(7b)式擬合的結(jié)果, 擬合時(shí)的參數(shù)為ωab/h=9.2713 GHz,ωbc/h=9.0125 GHz ,h為普朗克常數(shù).

圖9(a)—圖9(c)對(duì)應(yīng)的ΩC擬合值分別為4.6,8.5 以及16.6 MHz, 可以看出測(cè)試曲線與擬合曲線符合得非常好.

實(shí)際上, 免交叉能級(jí)結(jié)構(gòu)的兩個(gè)能級(jí)對(duì)應(yīng)的本征態(tài)是|1,N〉和|2,N〉態(tài)的疊加, 有如下形式:

其 中,Θ=tan?1(ΩC/2δ)[23],當(dāng)共振時(shí),, 探測(cè)到兩個(gè)態(tài)的概率幅相等, 反映在能譜上就是兩條強(qiáng)度相等的譜線結(jié)構(gòu).

非共振時(shí), 有兩種情況, 首先在免交叉左側(cè),此時(shí)δ＞0 , 所以可以做如下變換:

從(9)式可以看出, 隨著δ的增加, 探測(cè)到|2,N〉的概率將遠(yuǎn)大于|1,N〉的概率, 所以能譜上只能看到頻率較高的|2,N〉態(tài)到|c,N〉態(tài)的躍遷譜線.

6 結(jié) 論

本文制作了3D Transmon 量子比特, 并對(duì)其基本參數(shù)進(jìn)行了表征. 基于該量子比特最低的三個(gè)能級(jí), 通過Jaynes-Cummings 讀出方法選取能夠最大程度區(qū)分最低三個(gè)能級(jí)的讀出功率, 對(duì)共振情況與非共振情況下的奧特-湯恩斯分裂效應(yīng)進(jìn)行了測(cè)試, 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論結(jié)果符合得較好. 3D Transmon量子比特是一個(gè)人工原子與超導(dǎo)諧振腔的耦合平臺(tái), 人工原子的參數(shù)可通過微納米加工手段進(jìn)行修改, 超導(dǎo)諧振腔的諧振頻率也可以設(shè)計(jì), 因此可作為量子力學(xué)、量子光學(xué)以及腔量子電動(dòng)力學(xué)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證平臺(tái), 對(duì)部分其他量子系統(tǒng)中不容易實(shí)現(xiàn)的理論實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證.

感謝日本NEC基礎(chǔ)創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室Tsai J S提供的樣品加工支持.