董艷陽
1.中國電子科技集團公司第二十研究所; 2.中電科西北集團有限公司
集成電路的生命周期,可分為早期壽命、可用壽命和損耗壽命三個部分。通常情況是,早期失效與品質(zhì)缺陷相關(guān),磨損失效與退化相關(guān),可用壽命期失效與應(yīng)力相關(guān)??煽啃怨こ叹褪且麥缭缙趬勖冢瑴p少可用壽命期的故障,并使損耗壽命期的出現(xiàn)晚于產(chǎn)品預(yù)期的使用壽命??煽啃缘亩x是系統(tǒng)或元器件在規(guī)定的條件下和規(guī)定的時間內(nèi),完成規(guī)定功能的能力。電路技術(shù)經(jīng)過近六十年的發(fā)展,集成電路的可靠性評估已經(jīng)形成了完整、系統(tǒng)的體系。但是,在元器件出廠后的電裝工藝環(huán)節(jié),由于忽視潮敏防護、靜電防護等,導(dǎo)致集成電路在電裝環(huán)節(jié)失效的情況屢見不鮮。本文通過失效分析,發(fā)現(xiàn)電裝工藝過程中,由于超敏防護不當(dāng),導(dǎo)致集成電路發(fā)生“爆米花效應(yīng)”而失效。
本文通過外觀檢查、IVCurve測試、X-ray檢查、掃描聲學(xué)顯微鏡檢查、開封檢查、截面分析、SEM觀察等試驗,進行失效分析。分析發(fā)現(xiàn)失效樣品開路,并且存在明顯分層,截面研磨發(fā)現(xiàn)鍵合絲發(fā)生頸縮斷裂。
使用顯微鏡對失效樣品進行外觀檢查,未見明顯異常。典型外觀形貌見圖1。
圖1 失效樣品外觀形貌
為了確定失效樣品的失效特性,鑒別失效模式,利用晶體管圖示儀對樣品進行I-V curve測試。結(jié)果顯示,樣品中Pin8(AIN)與GND端口呈開路特性,I-V特性曲線見圖2。
圖2 Pin8(AIN)與GND端口IV特性曲線
利用X-Ray設(shè)備對未開封的樣品進行X射線檢查。經(jīng)檢查,失效樣品的引線框架和鍵合形貌基本一致,未發(fā)現(xiàn)明顯異常,鍵合絲輪廓清晰。典型X-Ray形貌見圖3。
圖3 失效樣品X-ray形貌
為了檢查樣品不同材料界面粘接情況,利用掃描聲學(xué)顯微鏡對樣品進行聲學(xué)微區(qū)成像分析。檢測發(fā)現(xiàn)部分引線框架模塑化合物存在明顯分層,正面基板、芯片與模塑化合物完全分層。
用化學(xué)開封方法將樣品開封。檢查觀察發(fā)現(xiàn)Pin8端口的鍵合絲在內(nèi)鍵合點頸部位置被拉斷而呈開路狀態(tài);失效樣品芯片表面的鈍化層完整,未見明顯過熱、過電燒毀或機械損傷等異常形貌。
取另一只失效樣品進行截面觀察,發(fā)現(xiàn)模塑化合物與芯片表面存在分層,芯片與基板的粘接截面存在分層。多個端口的鍵合絲在內(nèi)鍵合點頸部位置被拉斷而呈開路狀態(tài)。
IVcurve測試發(fā)現(xiàn)失效樣品的失效模式為開路,聲學(xué)掃描結(jié)果表明芯片與模塑化合物截面存在明顯分層,開封檢查和截面觀察確認鍵合絲斷裂呈頸縮特征,聲學(xué)掃描與開封檢查確認集成電路樣品由于發(fā)生“爆米花”效應(yīng)而開路失效。