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        PIV技術(shù)在超聲速氣流低熱固相反應(yīng)合成系統(tǒng)流場測量中的應(yīng)用

        2020-11-04 05:04:36林學東郭秋亭范長海
        山東化工 2020年18期
        關(guān)鍵詞:測量系統(tǒng)

        左 金,陳 植,林 俊,林學東,郭秋亭,范長海

        (中國空氣動力研究與發(fā)展中心高速空氣動力研究所,四川 綿陽 621000)

        粒子圖像測速技術(shù)(PIV)是在流動顯示的基礎(chǔ)上,充分吸收現(xiàn)代計算機技術(shù)、光學技術(shù)以及圖像分析技術(shù)的研究成果而成長起來的最新流動測試手段[1-2],是一種基于流場圖像互相關(guān)分析的二維流場非接觸式測試技術(shù)[3]。

        PIV測試系統(tǒng)主要由光源系統(tǒng)、圖像采集系統(tǒng)和圖像分析系統(tǒng)等組成。PIV技術(shù)的基本原理[4-5]是在流場中散布跟隨性好、散光性好且比重與流體相當?shù)氖聚櫫W?,使其與流場同步運動,以粒子速度代表所在流場內(nèi)相應(yīng)位置處流場的流度。

        近年來光學非接觸測量技術(shù)在超聲速流動測量中得到了較為廣泛的應(yīng)用,其中粒子圖像測速技術(shù)(particle image velocimetry)有長足的發(fā)展,它突破傳統(tǒng)單點測量限制,可瞬時無接觸測量流場中一個截面上的二維速度分布,并且有較高的測量精度,在諸如超聲速射流[6]、剪切層流動[7]、超燃沖壓內(nèi)流[8]以及諸如拐角流、尖劈附著激波和圓柱脫體激波[9-10]等超聲速流場測量中得到了很好的測量結(jié)果。本文利用PIV技術(shù)對超聲速氣流低熱固相反應(yīng)合成系統(tǒng)流場進行試驗研究,探索其流動規(guī)律。

        1 實驗部分

        1.1 實驗裝置

        實驗由測試系統(tǒng)和超聲速氣流低熱固相反應(yīng)合成系統(tǒng)兩部分組成,實驗系統(tǒng)示意如圖1所示。超聲速氣流低熱固相反應(yīng)合成系統(tǒng)由微波加熱裝置、轉(zhuǎn)盤式送粉器、反應(yīng)器、自動取樣器、渦輪分級機、濾筒式收集器、引風機、反應(yīng)物氣力輸送裝置等組成,如圖2所示,是通過利用特殊型面設(shè)計的超聲速噴管將物料加速到超聲速,在物料撞擊固定靶的時候,提供給反應(yīng)體系足夠的動能來實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)化進而實現(xiàn)化學反應(yīng)。本實驗研究的內(nèi)容是測量反應(yīng)物粒子被超聲速氣流加速后撞擊靶頭前的速度。

        圖1 PIV實驗系統(tǒng)示意圖

        圖2 低熱固相合成系統(tǒng)

        1.2 流場測量原理

        流場測量的主體是基于常規(guī)粒子圖像測速(PIV)系統(tǒng)。PIV是一種先進的定量流場測量技術(shù),其基本原理是利用持續(xù)時間極短(納秒量級)的激光脈沖將撒布有良好跟隨性示蹤粒子的流動區(qū)域照亮,并利用數(shù)碼相機對示蹤粒子進行拍攝,再通過圖像處理獲得速度場。后期的圖像處理中,首先將圖像按照分辨率要求劃分成若干個計算區(qū)域,再對相鄰兩幀圖像中的粒子圖像進行互相關(guān)處理,從而得到各個問詢窗口內(nèi)多個示蹤粒子對的平均位移量(通過地面校準獲得像素與實際距離的對應(yīng)關(guān)系)。由于兩幀激光脈沖的時間間隔已知,則可以計算出每個問詢窗口內(nèi)的速度矢量,進而得到整個拍攝區(qū)域內(nèi)的速度場結(jié)果。

        當超聲速氣流低熱固相反應(yīng)合成系統(tǒng)運行時,來流總壓、氣體質(zhì)量流量、固相顆粒饋入量等參數(shù)被精確控制,內(nèi)流道速度場近似于穩(wěn)態(tài)流動,因此常規(guī)PIV的反應(yīng)速度和計算速度能夠滿足速度場實時監(jiān)測的需求。可以將常規(guī)的PIV裝置經(jīng)過改造后移植到反應(yīng)合成系統(tǒng)上,為了實現(xiàn)內(nèi)流道速度場監(jiān)測,在反應(yīng)器靶頭上游方向布置光學觀察窗口和激光布光窗口。

        1.3 PIV系統(tǒng)組成

        PIV系統(tǒng)主要包括CCD相機、雙楊氏激光器和時序同步器等:

        (1)CCD相機:采用型號為4M3D1的CCD相機,分辨率為2048 pixels×2048pixels,最高采樣率15fps,采用Camera Link形式進行數(shù)據(jù)傳輸。

        (2)雙楊氏激光器:本實驗使用一臺雙楊氏脈沖激光器,最大脈沖能量350mJ,波長532nm,工作頻率0~10Hz,穩(wěn)定性≤3%,脈沖寬度5ns。

        (3)時序同步器:系統(tǒng)采用外置時序同步器進行控制,其最小時間精度250皮秒。

        為了保證各個光學裝置的安裝精度,設(shè)計加工了測量平臺,圖3給出了測量平臺的工作原理圖,圖中帶綠色箭頭的代表測量區(qū)域的粒子成像光路。平臺由小型光學安裝平臺、小型光學升降臺、手動滑軌和一些附屬連接件組成。測量中,為了避免合成系統(tǒng)由于氣流高速運動產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)振動影響測量效果,光學安裝平臺放置在地面上,平臺上通過M5螺栓安裝小型光學升降臺,用于PIV相機的安裝和調(diào)整,此外,還裝有可無級手動調(diào)整定位的滑軌,用于安裝激光片光頭,可方便的調(diào)整激光面的角度和位置。測量平臺實物相片如圖4。

        圖3 測量平臺的工作原理

        圖4 測量平臺實物相片

        1.4 PIV系統(tǒng)精度校驗

        為了保證PIV實驗測量的精度,需要在正式開始測量之前,利用標準流場進行檢驗。為此,我們在Ma=4.2的超聲速風洞中開展PIV系統(tǒng)的整體測量精度試驗測量。

        圖5為噴管出口的速度分布,結(jié)果表明在噴管出口的中心線具有均勻的流場。其他狀態(tài)的來流參數(shù)如表1所示,平均速度675.46m/s非常接近于理論速度685m/s,相對標準差則為 。

        圖5 噴管出口速度的PIV測試結(jié)果

        表1 噴管出口速度的計算值和測試值

        2 結(jié)果與討論

        實驗針對反應(yīng)器入口氣流總壓分別為0.6,0.8,1.0,1.2,1.4MPa和1.6MPa開展PIV測量,測試對象為425μm硅粉粒子,測量區(qū)域位于撞靶前的光學窗口位置,視場20mm×5mm。對PIV結(jié)果,統(tǒng)一定義X軸指向流動方向,向右為正;Y軸指向測試面縱向,向上為正。

        反應(yīng)器入口氣流總壓為0.6MPa和 PIV粒子采用425μm粒徑硅粉時,PIV獲取的撞靶前粒子圖像和處理結(jié)果如圖6所示,425μm硅粉被高速氣流加速后,獲得的撞靶前平均速度約為320m/s。為研究氣流對不同粒徑顆粒加速效果,在相同條件下即反應(yīng)器入口氣流總壓為0.6MPa時,PIV粒子采用20μm粒徑硅粉,PIV獲取的撞靶前粒子圖像和處理結(jié)果如圖7所示。對比425μm和20μm硅粉PIV測量結(jié)果可以看出,直徑越小的顆粒與氣流的跟隨性越好,在靶頭的繞流區(qū)域,粒徑更小的粒子更容易在高速氣流中散開。從速度云圖分析,粗細顆粒在撞靶前獲得的速度一致。因此,后面的實驗只使用425μm硅粉開展不同反應(yīng)器入口總壓條件下的PIV測量。

        圖6 425μm硅粉PIV測量結(jié)果

        圖7 20μm硅粉PIV測量結(jié)果

        通過實驗,在反應(yīng)器入口氣流總壓變化時,425μm硅粉被高速氣流加速后的PIV測量結(jié)果如表2所示。

        反應(yīng)器入口氣流總壓為0.8MPa時,425μm硅粉被高速氣流加速后,獲得的撞靶前平均速度約為380m/s。

        反應(yīng)器入口氣流總壓為1.0MPa時,425μm硅粉被高速氣流加速后,獲得的撞靶前平均速度約為470m/s。

        反應(yīng)器入口氣流總壓為1.2MPa時,425μm硅粉被高速氣流加速后,獲得的撞靶前平均速度約為500m/s。

        反應(yīng)器入口氣流總壓為1.4MPa時,425μm硅粉被高速氣流加速后,獲得的撞靶前平均速度約為520m/s。

        反應(yīng)器入口氣流總壓為1.6MPa時,425μm硅粉被高速氣流加速后,獲得的撞靶前平均速度約為550m/s。

        表2 不同氣流壓力的PIV測量值

        3 結(jié)論

        針對超聲速氣流低熱固相反應(yīng)合成系統(tǒng),采用20μm和425μm硅粉,通過改變反應(yīng)器入口總壓,利用PIV測量獲得了固相粒子通過超聲速氣流加速獲得的撞靶前速度,主要結(jié)論如下:

        (1)實現(xiàn)了微小超聲速射流的粒子圖像測速,得到了整個流場的速度場,能夠準確地測量流場的實際情況。

        (2)不同粒徑的硅粉粒子(20μm和425μm)在靶頭前獲得的速度沒有明顯的差別,原因在于在測試區(qū)域內(nèi)氣流速度沒有發(fā)生突變(比如激波或物面阻礙等),粒子經(jīng)過上游一定距離的加速后,均能較好地跟隨氣流,顆粒獲得了近似于氣流的速度,驗證了超聲速氣流低熱固相反應(yīng)合成系統(tǒng)顆粒加速管道設(shè)計的合理性。

        (3)從實驗結(jié)果來看,隨著反應(yīng)器入口氣流總壓的提高,顆粒撞靶前獲得的速度增大,當總壓大于1.2MPa后,粒子運動速

        度能達到在500 ~550m/s。入口總壓在設(shè)計點1.6MPa、流場馬赫數(shù)為3.0附近時,顆粒速度達到550m/s。在實際應(yīng)用時,可以通過增加反應(yīng)器入口氣流總壓來提高顆粒撞靶前的速度,但同時也會消耗更多的能量,因此,在使用時也應(yīng)當充分考慮與固相反應(yīng)合成系統(tǒng)配套使用的氣源。

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