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        B2O3對(duì)鋰鋁硅系光敏微晶玻璃介電性能的影響

        2020-11-02 02:00:10韓勖邢慶立于雷趙崇孟保健張浩
        中國(guó)建材科技 2020年1期

        韓勖 邢慶立 于雷 趙崇 孟保健 張浩

        (中國(guó)建筑材料科學(xué)研究總院有限公司,北京 100024)

        0 前言

        光敏微晶玻璃是一種具備可光學(xué)加工特性的玻璃材料,最早由康寧S. Donald Stookey博士研發(fā)成功[1],可借助曝光工藝和熱處理工藝使玻璃內(nèi)部析出晶體,形成微晶玻璃。隨著光刻技術(shù)和微納加工工藝的發(fā)展,光敏玻璃在MEMS、生物化學(xué)檢測(cè)、燃料電池、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸得到開發(fā)[2-6]。其中光敏微晶玻璃制備的玻璃通孔器件(TGV)在微電子及射頻系統(tǒng)中的應(yīng)用,為了滿足大帶寬、低損耗的設(shè)計(jì)要求,對(duì)玻璃材料的介電性能提出了特別的要求。

        為了改善玻璃的介電性能,已經(jīng)進(jìn)行了許多研究工作。目前,多種方法被證明都是可行的:混合堿效應(yīng)、減少玻璃網(wǎng)絡(luò)中的非橋氧、提高網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定性以及稀土摻雜。G. H.Zhang研究發(fā)現(xiàn),隨著Na2O比例的增加,CaO-MgO-Al2O3-SiO2-Na2O的電導(dǎo)率單調(diào)增加,而加入K2O時(shí)電導(dǎo)率單調(diào)降低[7]。B. Deb發(fā)現(xiàn),增加的Mo量會(huì)導(dǎo)致Ag-Mo-P玻璃系統(tǒng)中非橋連的氧鍵增加,從而導(dǎo)致介電常數(shù)增加[8]。H.Savabieh等研究了Li2O-SiO2-Al2O3-TiO2-BaO-ZnO玻璃體系,發(fā)現(xiàn)其介電性能取決于密度和相結(jié)構(gòu)[9],密度的增加將導(dǎo)致介電常數(shù)的增加,而介電常數(shù)在六方相的形成中增加而在四方相的形成中減少。梁天鵬等將CaO引入鋰鋁硅光敏玻璃-陶瓷組分中,可以促進(jìn)玻璃硅石網(wǎng)絡(luò)的致密,并且?guī)?lái)大量的非橋氧,破壞網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。當(dāng)引入量為2wt%時(shí)效果最佳,玻璃的介電常數(shù)和介電損耗分別為4.2和3×10-3(@1GHz)[10]。類似地,在該系統(tǒng)中引入La2O3可以阻礙堿金屬離子在電場(chǎng)下的遷移,并減少光敏微晶玻璃的介電損耗,當(dāng)La2O3的含量為3wt%時(shí),介電損耗具有最佳值4×10-3(@1GHz),介電常數(shù)為6.6(@1GHz)[11]。

        陳宏偉等人認(rèn)為加入B2O3取代部分SiO2,有利于消除玻璃中的氣泡,有助于提高玻璃的澄清和均化效率,并可提高玻璃的均勻性,降低玻璃的膨脹系數(shù)[12]。本文通過(guò)調(diào)整玻璃組分中B2O3含量,研究其對(duì)光敏微晶玻璃介電性能的影響。采用網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀測(cè)試樣品介電常數(shù)和介電損耗的變化,利用紅外光譜和拉曼光譜研究玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的變化。

        1 實(shí)驗(yàn)

        1.1 實(shí)驗(yàn)原料及儀器

        所用儀器設(shè)備:RJ-35-16高溫升降爐,SXZ-6-9退火爐,Tensor 27光譜儀,HORIBA LabRAM HR Evolution拉曼光譜儀,PNA-L Network Analyzer N5234A網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀。

        表1為光敏微晶玻璃的組分表,玻璃原料采用高純石英砂,Al(OH)3(99.5%),ZnO(99.5%),Li2CO3(97%),Na2CO3(99.8%),K2CO3(99%),Sb2O3(99%),CeO2(99.5%),AgNO3(99%)和H3BO3(99%)。

        表1 B2O3系列組分含量變化表(wt%)

        1.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程

        1.2.1 制備光敏微晶玻璃基片

        將配合料混合均勻后加入剛玉坩堝中,在1500℃熔制6h,攪拌均化澄清后,在預(yù)熱至300℃的模具中成型,在440℃退火2h后隨爐冷卻至室溫。對(duì)玻璃坯料進(jìn)行切割研磨拋光,制得10.0×10.0×0.5mm樣品。對(duì)光敏玻璃基片進(jìn)行紫外曝光,使用光源為加裝312nm濾光片的500W汞燈,曝光時(shí)間為5min。曝光處理后的玻璃基片在退火爐中分別在500℃和560℃保溫1小時(shí),完成光敏微晶玻璃核化和晶化過(guò)程。最后在20%vol的氫氟酸溶液中進(jìn)行刻蝕20min,得到帶有微結(jié)構(gòu)的光敏微晶玻璃基片。

        1.2.2 分析測(cè)試

        對(duì)晶化后的樣品進(jìn)行研磨制粉,過(guò)200目篩網(wǎng),進(jìn)行紅外光譜測(cè)試(Tensor 27),波長(zhǎng)范圍400~1600cm-1;拉曼測(cè)試(HORIBA LabRAM HR Evolution),波長(zhǎng)范圍200~1600cm-1;采用網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀(PNA-L Network Analyzer N5234A)對(duì)玻璃樣品進(jìn)行介電常數(shù)和介電損耗的測(cè)試,測(cè)試頻率范圍0.2~1GHz。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 介電性能

        對(duì)不同硼含量的光敏微晶玻璃樣品進(jìn)行了測(cè)試,介電常數(shù)的變化如圖1所示,在0.2~1Ghz范圍內(nèi),單個(gè)樣品的介電常數(shù)基本保持不變,隨著頻率的變化沒(méi)有明顯變化。這是由于在該頻率范圍內(nèi),玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的極化頻率落后于電場(chǎng)變化頻率。但隨著硼含量的增加,介電常數(shù)發(fā)生了明顯的變化,整體呈現(xiàn)出先下降后上升的趨勢(shì),在1Ghz時(shí)測(cè)試得到的介電常數(shù)如圖2所示,其中不含B2O3的光敏微晶玻璃樣品介電常數(shù)為5.35。硼可與玻璃網(wǎng)絡(luò)中的氧結(jié)合進(jìn)入玻璃網(wǎng)絡(luò),因此含硼與不含硼的玻璃性能呈現(xiàn)出較明顯的區(qū)別。對(duì)比含硼的光敏微晶玻璃,適量的B2O3可降低玻璃的介電常數(shù),甚至可以低于不含硼的玻璃樣品,這是由于硼與玻璃中非橋氧結(jié)合,降低了玻璃結(jié)構(gòu)中非橋氧的極化率,從而降低玻璃的介電常數(shù)。但當(dāng)硼含量繼續(xù)提高時(shí),玻璃網(wǎng)絡(luò)中形成了大量的[BO3],同時(shí)游離氧的數(shù)目又不足以使[BO3]轉(zhuǎn)變成[BO4],[BO3]結(jié)構(gòu)會(huì)使硅氧網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)變得疏松[13],玻璃網(wǎng)絡(luò)對(duì)極性離子的束縛減弱,在電場(chǎng)作用下,鍵偶極矩極化增強(qiáng),介電常數(shù)增大。

        圖1 隨頻率變化的介電常數(shù)圖(0.2-1GHz)

        圖2 樣品B2O3含量變化的介電常數(shù)圖(1GHz)

        經(jīng)過(guò)測(cè)試,我們還得到了如圖3所示的介電損耗隨頻率變化的曲線圖。與其他系統(tǒng)的玻璃一樣,隨著頻率的增加,玻璃介電損耗呈現(xiàn)上升趨勢(shì),這可以由Debye方程解釋。而在1GHz頻率條件下,改變B2O3含量,介電損耗呈現(xiàn)出了與介電常數(shù)相似的變化趨勢(shì),即先下降后上升,但不同點(diǎn)在于不含B2O3的光敏玻璃樣品的介電損耗遠(yuǎn)小于添加了B2O3的樣品。這一現(xiàn)象是由于硼的引入,在玻璃中產(chǎn)生了更多復(fù)雜的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),且硼由于離子半徑較小,在電場(chǎng)作用下更容易發(fā)生遷移,使玻璃網(wǎng)絡(luò)中的極化損耗增大。同時(shí)由于玻璃的網(wǎng)絡(luò)是趨于疏松的,這不利于阻礙堿金屬離子在電場(chǎng)作用下的遷移活動(dòng),從而導(dǎo)致了介電損耗的升高。

        2.2 微觀結(jié)構(gòu)

        如圖5 所示,光敏微晶玻璃的紅外吸收峰主要在474cm-1、783cm-1、1061cm-1和1442cm-1附近,表2 列出了吸收峰的具體位置??梢悦黠@看出,添加B2O3后Si-O-Si非對(duì)稱伸縮振動(dòng)發(fā)生了明顯變化,該位置的吸收代表硅氧四面體中Q3單元的非對(duì)稱伸縮振動(dòng),吸收峰的位置向低波數(shù)移動(dòng),說(shuō)明引入的硼使硅氧網(wǎng)絡(luò)致密程度下降,變得更加疏松。當(dāng)B2O3含量達(dá)到3wt%后,出現(xiàn)了明顯的BO3反對(duì)稱伸縮振動(dòng)吸收峰,這代表玻璃網(wǎng)絡(luò)中出現(xiàn)了鏈狀硼氧三角體,會(huì)進(jìn)一步破壞硅氧網(wǎng)絡(luò)。

        圖3 隨頻率變化的介電損耗圖(0.2-1GHz)

        圖4 樣品B2O3含量變化的介電損耗圖(1GHz)

        圖5 樣品的紅外光譜圖

        表2 紅外光譜結(jié)果和振動(dòng)類型

        3 結(jié)論

        通過(guò)熔融淬冷法制備出不同B2O3含量的光敏微晶玻璃,通過(guò)紅外光譜分析發(fā)現(xiàn),B2O3以[BO3]式進(jìn)入玻璃硅氧網(wǎng)絡(luò),會(huì)一定程度破壞網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),鏈狀的[BO3]使玻璃網(wǎng)絡(luò)變得更加疏松,最終導(dǎo)致玻璃的介電常數(shù)和介電損耗上升,介電性能下降。在B2O3含量為2wt%時(shí),樣品的介電常數(shù)達(dá)到最小值為5.1;在不含B2O3時(shí),樣品的介電損耗達(dá)到最小值為5.7×10-3(1GHz)。綜合考慮射頻器件的使用需求,高頻損耗對(duì)系統(tǒng)性能影響較大,因此在設(shè)計(jì)光敏微晶玻璃組分時(shí),應(yīng)盡量避免硼元素的引入。

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