王曉慧
(太原工業(yè)學(xué)院 電子工程系,太原 030051)
位移的精密測量技術(shù)作為測量研究的一個重要方向,伴隨制造能力和科技研究的不斷發(fā)展,越來越得到設(shè)備生產(chǎn)部門及研發(fā)公司的密切關(guān)注[1-2]。光柵式的位移測量技術(shù)憑借高分辨率、高精度、穩(wěn)定性好和非接觸方式等特點在精密測量技術(shù)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用[3-4]。1995年,Moharam等人[5-6]分析了光柵敏感位移的理論原理,為光柵敏感位移傳感器的成功研發(fā)提供了一定的理論支撐;2014年,海德漢公司制造了一種光柵尺,公開報道的指標(biāo)包括分辨率可達到1 nm左右,精度在±3 μm[7];2017年,哈爾濱工業(yè)大學(xué)畢江林等人搭建了光柵干涉位移測量系統(tǒng)[8],測量分辨率可達5 nm。
由于傳統(tǒng)光柵式位移傳感器測量制造工藝?yán)щy、系統(tǒng)構(gòu)件復(fù)雜和價格昂貴,分辨率難以提高,體積較大,難以應(yīng)用在尺寸微小的結(jié)構(gòu)中對微位移進行高分辨率的檢測。針對這些問題,本文設(shè)計了一種面內(nèi)位移檢測的雙層納米光柵結(jié)構(gòu),通過Gsolver軟件仿真得到光柵的結(jié)構(gòu)參數(shù)與衍射效率之間的關(guān)系,主要對雙層光柵的上下兩層光柵間隔、光柵周期、光柵占空比及入射波長進行仿真分析,研究在各參數(shù)下雙層納米光柵面內(nèi)位移對衍射效率的影響,最終得到一組對位移敏感的光柵結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)可應(yīng)用在微位移檢測中。本文設(shè)計的光柵是通過光學(xué)測量方法來進行微位移檢測,光柵結(jié)構(gòu)尺寸決定了檢測分辨率與精度,具有尺寸小和分辨率高等特點。
本文采用嚴(yán)格耦合波分析(Rigorous Coupled Wave Analysis,RCWA)[9-11]來闡述雙層納米光柵的衍射性質(zhì),最終分析計算出雙層納米光柵對光的衍射效率。
圖1所示為雙層納米光柵結(jié)構(gòu),入射光的波長為λ;光柵周期為Λ;光柵間隔為a;光柵厚度為d。柵線垂直面與光的入射面所形成的角度為Φ,光的入射角度為θ,Ψ為電場矢量E與入射面之間的夾角。
圖1 雙層納米光柵結(jié)構(gòu)
當(dāng)入射光為TE偏振時,假定Ψ=90 °,Φ=0 °,每級反射光及透射光的衍射效率為
當(dāng)入射光為TM偏振時,假設(shè)Ψ=0 °,Φ=90 °,各級反射光和透射光的衍射效率為
由上文分析可知,光柵的衍射效率與光柵厚度d、光柵周期Λ、入射角θ、光柵間隔a、入射光波長λ和光柵占空比f等參數(shù)有關(guān)。通過對雙層納米光柵的理論分析與仿真,本文提出兩種高衍射效率的雙層納米光柵結(jié)構(gòu),分別為面內(nèi)微位移檢測和離面微位移檢測雙層納米光柵結(jié)構(gòu),因離面微位移檢測方式的量程太小[12],實用性不大,故本文重點對實用性更強的面內(nèi)微位移檢測雙層納米光柵進行分析。圖2所示為面內(nèi)微位移檢測雙層納米光柵結(jié)構(gòu)。
圖2 面內(nèi)微位移檢測雙層納米光柵結(jié)構(gòu)
由圖可知,本文所設(shè)計的參數(shù)包括:光柵間隙g、光柵周期Λ、光柵占空比f和入射光波長λ。以下用Gsolver軟件仿真分析雙層光柵g、Λ、f和λ的值對衍射效率的影響。
雙層光柵初始設(shè)計為入射光為TE偏振、入射光波長λ=850 nm、光柵占空比f=0.5、光柵厚度d=390 nm、光柵周期Λ=800 nm,研究兩層光柵間隙g=0、100、200、300和400 nm時,衍射效率與面內(nèi)位移之間的關(guān)系,如圖3所示。
圖3 不同光柵間隙下衍射效率與面內(nèi)位移的關(guān)系
由圖可知,當(dāng)兩層光柵間隙g為200 nm時,透射光衍射效率與面內(nèi)位移的變化呈正余弦關(guān)系,較其他g的取值更有利于后續(xù)的電學(xué)細(xì)分分析。透射光衍射效率最大值與最小值之差最大為0.70,其差越大,表示透射光的能量越大,靈敏度越高。綜上,我們將兩層光柵間隙g設(shè)計為200 nm。
雙層光柵初始設(shè)計為入射光為TE偏振、入射光波長λ=850 nm、光柵占空比f=0.5、光柵間隙g=200 nm、光柵厚度d=390 nm,研究光柵周期Λ=750、800、850、900和950 nm時,衍射效率與面內(nèi)位移之間的關(guān)系,如圖4所示。
圖4 不同光柵周期下衍射效率與面內(nèi)位移的關(guān)系
由圖可知,當(dāng)光柵周期Λ=800 nm時,透射光衍射效率與面內(nèi)位移的變化呈正余弦關(guān)系,較其他Λ的取值更有利于后面的電學(xué)細(xì)分分析,透射光衍射效率最大值與最小值之差最大為0.7。綜上,將光柵周期Λ設(shè)計為800 nm。
雙層光柵的初始設(shè)計為入射光為TE偏振、入射光波長λ=850 nm、光柵間隙g=200 nm、光柵厚度d=390 nm、光柵周期Λ=800 nm,研究占空比f=0.3、0.4、0.5、0.6和0.7時,衍射效率與面內(nèi)位移之間的關(guān)系,如圖5所示。
圖5 不同光柵占空比下衍射效率與面內(nèi)位移的關(guān)系
由圖可知,當(dāng)光柵占空比f=0.5時,透射光衍射效率與面內(nèi)位移的變化呈正余弦關(guān)系,較其他f的取值更有利于后續(xù)的電學(xué)細(xì)分分析;透射光衍射效率最大值與最小值之差最大為0.7,其差越大,表示透射光的能量和靈敏度越大。綜上,將光柵的占空比f設(shè)計為0.5。
雙層光柵初始設(shè)計為入射光為TE偏振、光柵占空比f=0.5、光柵間隙g=200 nm、光柵厚度d=390 nm、光柵周期Λ=800 nm,研究入射光波長λ=750、800、850、900和950 nm時,衍射效率與面內(nèi)位移之間的關(guān)系,如圖6所示。
圖6 不同入射光波長下衍射效率與面內(nèi)位移的關(guān)系
由圖可知,當(dāng)入射光波長λ=850 nm時,透射光衍射效率最大值與最小值之差為0.7,雖然該值不是最大,但透射光衍射效率與位移的變化呈正余弦關(guān)系,較其他λ的取值更有利于后面的電學(xué)細(xì)分分析。綜上,將入射波長λ設(shè)計為850 nm。
本文采用RCWA闡述了光柵衍射方面的特性,使用Gsolver軟件對光柵結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化設(shè)計,主要對雙層納米光柵的上下兩層光柵間隔、光柵周期、光柵占空比和入射波長進行了仿真分析,研究各個參數(shù)下,雙層納米光柵面內(nèi)位移與衍射效率之間的關(guān)系。最終得到一組對位移敏感的雙層納米光柵結(jié)構(gòu),其光柵占空比為0.5、上下兩層光柵間隙為200 nm、光柵厚度為390 nm、光柵周期為800 nm,入射光波長為850 nm。本文對雙層納米光柵的研究對微位移檢測具有一定的參考作用,設(shè)計的雙層納米光柵結(jié)構(gòu)能實施在位移敏感領(lǐng)域。