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        一款48V八相交錯(cuò)并聯(lián)Buck/Boost變換器的設(shè)計(jì)與分析①

        2020-10-26 02:54:32甘崇劍

        甘崇劍

        (同濟(jì)大學(xué)汽車學(xué)院,上海 201804)

        0 引 言

        為了有效緩解能源短缺和環(huán)境污染的壓力,我國法規(guī)要求到2020年乘用車平均燃料消耗量降至5.0升/百公里以下。由于傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)技術(shù)很難滿足此要求,促使48V輕度混合動(dòng)力系統(tǒng)成為行業(yè)研究熱點(diǎn)之一[1]。

        1 八相交錯(cuò)并聯(lián)Buck/Boost變換器說明

        根據(jù)48V輕度混合動(dòng)力系統(tǒng)的規(guī)劃,整車會(huì)采用一個(gè)48V發(fā)電機(jī),而取消了傳統(tǒng)12V發(fā)電設(shè)備。通過48V雙向DC/DC變換器連接48V電源系統(tǒng)和12V電源系統(tǒng),并在兩個(gè)電源系統(tǒng)之間實(shí)現(xiàn)能量的雙向流動(dòng)。圖1顯示了一款48V雙向DC/DC變換器在整車中的連接示意圖。

        圖1 48V雙向DC/DC變換器整車連接示意圖

        為了滿足某整車企業(yè)提出的實(shí)際應(yīng)用要求,采用八相交錯(cuò)并聯(lián)Buck/Boost的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了一款48V雙向DC/DC變換器。它包含八個(gè)單相Buck/Boost電路,每相與傳統(tǒng)Buck/Boost變換器的工作原理相同,差別在于相鄰的兩相Buck/Boost電路存在45°相位差。

        2 八相交錯(cuò)并聯(lián)Buck/Boost變換器的設(shè)計(jì)與分析

        2.1 硬件原理及參數(shù)設(shè)計(jì)

        根據(jù)多相交錯(cuò)并聯(lián)Buck/Boost變換器工作原理及設(shè)計(jì)要求,設(shè)計(jì)完成硬件原理框圖如圖2所示。硬件原理框圖主要包括如下幾個(gè)模塊:

        1) 八相交錯(cuò)并聯(lián)雙向Buck/Boost電路模塊;

        2) 功率電源濾波及保護(hù)模塊;

        3) 控制器電源及CAN網(wǎng)絡(luò)通信模塊;

        4) 風(fēng)扇控制及其它模塊;

        由于Buck/Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)下降壓(Buck)模式和升壓(Boost)模式具有對(duì)稱性,現(xiàn)采用降壓模式對(duì)Buck/Boost電路進(jìn)行參數(shù)設(shè)計(jì)分析。

        (1) 儲(chǔ)能電感參數(shù)設(shè)計(jì)

        理想情況下單相Buck/Boost電路的儲(chǔ)能電感值可以通過公式(1)計(jì)算得到。

        (1)

        其中,L1是單相Buck/Boost電路的儲(chǔ)能電感值,單位是H;V12是輸出端(低壓端)電壓,單位是V;D是占空比;m是相數(shù);r是電流紋波率;IBuck_o是降壓模式額定輸出電流,單位是A;fsw1是單相Buck/Boost電路開關(guān)頻率,單位是Hz。

        圖2 八相交錯(cuò)并聯(lián)Buck/Boost變換器硬件原理框圖

        根據(jù)工程經(jīng)驗(yàn)將單相Buck/Boost電路的工作頻率選擇為fsw1=100kHz,將電流紋波率選擇為40%[2],計(jì)算得出3kW輸出功率情況下,每相Buck/Boost電路儲(chǔ)能電感的電感值和平均工作電流分別為9.7uH和27A。

        (2) 功率開關(guān)器件參數(shù)設(shè)計(jì)

        根據(jù)目前市場上主要功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用情況,選擇MOSFET作為功率開關(guān)器件,它具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡單、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)[3]。因?yàn)檎嚩x的高壓端口最大輸出電壓為54V,根據(jù)工程經(jīng)驗(yàn)選擇80V作為MOSFET耐壓等級(jí)。降壓模式下功率開關(guān)器件的平均工作電流與儲(chǔ)能電感相同。其余參數(shù)(如導(dǎo)通阻抗、寄生容抗、開關(guān)速度等)可以按照“快速工作損耗小”的原則進(jìn)行選擇。

        2.2 主要元器件損耗分析

        當(dāng)48V八相交錯(cuò)并聯(lián)Buck/Boost變換器在48V電源系統(tǒng)和12V電源系統(tǒng)之間轉(zhuǎn)移能量時(shí),它自身也會(huì)消耗一部分能量。為了確定3kW降壓模式(高壓為48V,低壓為14V)下的工作效率,對(duì)主要元器件進(jìn)行功率損耗分析。

        (1) 儲(chǔ)能電感

        儲(chǔ)能電感的損耗主要來源于銅損、磁芯損耗和交流繞線損耗三部分。由直流等效電阻引起的損耗稱為銅損,它可以通過公式(2)表示;由材料內(nèi)磁通量場的變化產(chǎn)生的損耗稱磁芯損耗,由交流等效電阻引起的損耗稱為交流繞線損耗,它們通常由電感供應(yīng)商直接提供。

        (2)

        其中,Pdcr是儲(chǔ)能電感的銅損,單位是W;Irms是流過儲(chǔ)能電感電流的有效值,單位是A;DCRT是環(huán)境溫度為T時(shí)儲(chǔ)能電感直流等效電阻,單位是Ω;DCR25是環(huán)境溫度為T25時(shí)儲(chǔ)能電感等效直流電阻,單位是Ω;α是儲(chǔ)能電感材料的溫度系數(shù),銅材一般選擇0.00393/℃;T和T25是儲(chǔ)能電感環(huán)境溫度,單位是℃。

        當(dāng)雙向DC/DC變換器工作環(huán)境溫度為70℃時(shí),根據(jù)公式(2)可以計(jì)算出儲(chǔ)能電感的銅損為

        1.95W。當(dāng)電流紋波率為40%且單相電路工作頻率為100kHz時(shí),根據(jù)供應(yīng)商提供的數(shù)據(jù)顯示磁芯損耗和交流繞線損耗為2W,此時(shí)儲(chǔ)能電感的總損耗為3.95W。

        (2) 功率MOSFET

        如果MOSFET一直處于導(dǎo)通狀態(tài),則導(dǎo)通損耗可以采用公式(3)進(jìn)行表示。

        (3)

        其中,PCM是MOSFET導(dǎo)通損耗,單位是W;IDrms是流過MOSFET電流有效值,單位是A;Rds(on)(Tj)是結(jié)溫為Tj時(shí)MOSFET的導(dǎo)通阻抗,單位是Ω。

        根據(jù)Buck/Boost工作原理分析可知,處于降壓模式下功率開關(guān)MOSFET的導(dǎo)通損耗可以采用公式(4)進(jìn)行表示,續(xù)流MOSFET的導(dǎo)通損耗可以采用公式(5)進(jìn)行表示。

        (4)

        (5)

        其中,PCMHS是降壓模式功率開關(guān)MOSFET的導(dǎo)通損耗,單位是W;Tsw是開關(guān)周期,單位是s;D是占空比;iD(t)是流過MOSFET的電流,單位是A;Rds(on)(Tj)是結(jié)溫為Tj時(shí)MOSFET的導(dǎo)通阻抗,單位是Ω;PCMLS是降壓模式續(xù)流MOSFET的導(dǎo)通損耗,單位是W;td是體二極管續(xù)流時(shí)間,單位是s;pcd(t)是MOSFET體二極管導(dǎo)通損耗,單位是W。

        由于MOSFET在打開和關(guān)閉的過程中,電壓的變化和電流變化存在重疊部分,因此會(huì)存在開關(guān)損耗。當(dāng)MOSFET處于開關(guān)狀態(tài)且體二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)可忽略體二極管功率損耗,故功率MOSFET中的開關(guān)損耗可以采用公式(6)近似計(jì)算得到[4]。

        (6)

        其中,PswM是MOSFET開關(guān)損耗,單位是W;UDS是MOSFET開關(guān)過程中D-S電壓變化值;IDon是開通后流過MOSFET電流值,單位是A;tsw是開通和關(guān)斷時(shí)間之和,單位是s;fsw是MOSFET開關(guān)頻率,單位是Hz。

        當(dāng)雙向DC/DC變換器工作環(huán)境溫度為70℃時(shí),本應(yīng)用的功率MOSFET會(huì)出現(xiàn)三種情況,第一種情況是用于Buck/Boost電路的開關(guān)MOSFET,根據(jù)規(guī)格書及公式(4)和公式(6)可以計(jì)算出單個(gè)MOSFET的總損耗為2.9W;第二種情況是用于Buck/Boost電路的續(xù)流MOSFET,根據(jù)規(guī)格書及公式(5)和公式(6)可以計(jì)算出單個(gè)MOSFET的總損耗為2.8W;第三種情況是用于12V電源的防反接及開關(guān)保護(hù)用MOSFET,根據(jù)規(guī)格書及公式(3)可以計(jì)算出單個(gè)MOSFET的總損耗為2.4W。

        (3) 電流采樣電阻

        電流采樣電阻的功率損耗可以采用公式(7)進(jìn)行計(jì)算。

        (7)

        其中,Psh是采樣電阻損耗,單位是W;Irms是流過采樣電阻電流的有效值,單位是A;RT是環(huán)境溫度為T時(shí)采樣電阻阻抗,單位是Ω;R25是環(huán)境溫度為T25時(shí)采樣電阻阻抗,單位是Ω;TCR是采樣電阻的溫度系數(shù),單位是10-6/℃;T和T25是采樣電阻環(huán)境溫度,單位是℃。

        當(dāng)雙向DC/DC變換器工作環(huán)境溫度為70℃時(shí),將采樣電阻值1mΩ和溫度系數(shù)10-4/℃代入公式(7)可計(jì)算出功率損耗為0.7W。

        圖3 雙向DC/DC變換器的溫度場分布仿真結(jié)果

        2.3 整機(jī)熱仿真分析

        根據(jù)上一節(jié)分析可知,當(dāng)雙向DC/DC變換器工作環(huán)境溫度為70℃時(shí),單相Buck/Boost電路的主要損耗包括一個(gè)儲(chǔ)能電感、一個(gè)功率開關(guān)MOSFET、一個(gè)續(xù)流MOSFET和一個(gè)采樣電阻,單相Buck/Boost損耗合計(jì)為10.4W;12V電源防反接及開關(guān)保護(hù)電路一共使用了12個(gè)MOSFET,總損耗為28.8W;其余電路損耗為16W,此時(shí)電路總損耗為128W。如果不能為其找到合適的散熱路徑,輕則會(huì)影響產(chǎn)品壽命和可靠性,重則導(dǎo)致產(chǎn)品失效會(huì)影響整車功能。為了提高產(chǎn)品一次成功率,縮短產(chǎn)品開發(fā)周期,降低產(chǎn)品開發(fā)成本,在激烈的市場競爭中占得一席之地,采用了ANSYS的ICEPAK軟件進(jìn)行前期熱仿真設(shè)計(jì)。圖3是雙向DC/DC變換器的溫度場分布仿真結(jié)果,它顯示在強(qiáng)制風(fēng)冷情況下雙向DC/DC變換器的最高溫度為133.9℃(溫升63.9℃)。

        3 實(shí)際測試結(jié)果

        根據(jù)上一節(jié)分析可知,當(dāng)雙向DC/DC變換器工作環(huán)境溫度為70℃時(shí),雙向DC/DC變換器的總損耗為128W,故而3kW降壓模式下雙向DC/DC變換器的理論工作效率如公式(8)所示。

        (8)

        其中,η是工作效率;Pout是降壓模式下輸出功率,單位是W;Ploss是降壓模式下總損耗,單位是W。

        為了驗(yàn)證主要元器件功率損耗及工作效率理論分析結(jié)果,對(duì)雙向DC/DC變換器降壓模式工作效率進(jìn)行測試,實(shí)測發(fā)現(xiàn)降壓輸出功率為3kW時(shí),工作效率為95.8%,與理論計(jì)算數(shù)據(jù)十分接近。

        4 結(jié) 論

        實(shí)際樣機(jī)的工作效率測試結(jié)果與理論數(shù)據(jù)十分接近,充分驗(yàn)證了48V八相交錯(cuò)并聯(lián)雙向Buck/Boost變換器的設(shè)計(jì)及分析的正確性,研究成果能夠滿足整車企業(yè)對(duì)48V雙向DC/DC變換器提出的功能需求及設(shè)計(jì)指標(biāo),具有一定的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。

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