徐長(zhǎng)達(dá)，陳 偉，班德超, 孫文惠

(1.中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 固態(tài)光電信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室，北京 100083;2.中國(guó)科學(xué)院大學(xué) 材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院，北京 100049)

1 引 言

為了進(jìn)一步提高通信容量，波分復(fù)用技術(shù)不斷從C波段延伸到L波段，隨著信道數(shù)的增加，固定波長(zhǎng)激光器的備份壓力也不斷增大，而可調(diào)諧激光器通過(guò)覆蓋相鄰的信道波長(zhǎng)，可以減少固定波長(zhǎng)激光器的備份數(shù)量，被認(rèn)為是波分復(fù)用光系統(tǒng)中的理想光源。有多種結(jié)構(gòu)可以被用來(lái)實(shí)現(xiàn)激光器的可調(diào)諧性，包括分布布拉格反饋(DFB)陣列式激光器、DBR類(lèi)激光器、干涉儀結(jié)構(gòu)激光器、外腔激光器，其中，SG-DBR激光器就是DBR類(lèi)激光器的一種。SG-DBR激光器由四部分組成，分別為前取樣光柵區(qū)、有源區(qū)、相位區(qū)、后取樣光柵區(qū)。由于取樣光柵形成梳狀的反射峰，因此SG-DBR激光器可以利用游標(biāo)卡尺效應(yīng)來(lái)選擇不同的激射模式,從而擴(kuò)大調(diào)諧范圍[1]。鑒于SG-DBR激光器不僅具有體積小、調(diào)諧速度快、波長(zhǎng)調(diào)節(jié)范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，還易于與光放大器、調(diào)制器和其他半導(dǎo)體器件集成，自從被Colder 教授提出后[2]，就受到研究人員的廣泛青睞。在C波段，基于SG-DBR激光器，Raring實(shí)現(xiàn)了25 nm的調(diào)諧范圍[3]；董雷實(shí)現(xiàn)了35 nm的調(diào)節(jié)范圍[4]；Veerasubramanian在硅基上制作SG-DBR激光器并實(shí)現(xiàn)了30 nm的調(diào)諧范圍[5]；Oh將SG-DBR激光器與環(huán)形結(jié)構(gòu)集成在一起，實(shí)現(xiàn)了35 nm的調(diào)諧范圍[6]；集成調(diào)制器、SOA、MMI、相干探測(cè)器的SG-DBR激光器也被提出[7-10]。在L波段，雖然有關(guān)于可調(diào)諧激光器的研究，但都是一些其他類(lèi)型的激光器，關(guān)于SG-DBR激光器的研究相對(duì)較少。比如，Tran基于多微環(huán)結(jié)構(gòu)制作了調(diào)諧范圍覆蓋S+C+L波段110 nm的可調(diào)諧激光器[11]; Caro利用MMI結(jié)構(gòu)與激光器耦合的方式實(shí)現(xiàn)了47 nm的調(diào)諧范圍[12]。但相比于SG-DBR激光器，上述兩種可調(diào)諧激光器制作方式較為復(fù)雜，工藝精度要求較高。

L波段激光器多采用InP基材料[11-12]，因此本文SG-DBR激光器選用InGaAsP材料。我們以SG-DBR激光器在L波段實(shí)現(xiàn)40 nm的寬調(diào)諧范圍為例，闡述整個(gè)設(shè)計(jì)流程。本文首先理論分析了SG-DBR激光器的激射波長(zhǎng)，論證了傳輸矩陣法在SG-DBR激光器設(shè)計(jì)中的可行性。簡(jiǎn)要討論了SG-DBR激光器的關(guān)鍵參數(shù)對(duì)激光器設(shè)計(jì)的影響，包括取樣光柵的取樣周期、占空比、均勻光柵周期。同時(shí)用傳輸矩陣模型模擬取樣光柵的反射譜，最后得到一組滿(mǎn)足需求的SG-DBR激光器參數(shù)，其對(duì)應(yīng)的調(diào)諧范圍為47.6 nm。

2 SG-DBR激光器激射波長(zhǎng)分析模型

SG-DBR激光器有源區(qū)在電注入之后，首先通過(guò)自發(fā)輻射產(chǎn)生寬波長(zhǎng)范圍的光。由于前后光柵對(duì)于不同波長(zhǎng)的光進(jìn)行選擇性反射，所以會(huì)導(dǎo)致某個(gè)波長(zhǎng)附近的光能夠在SG-DBR激光器中不斷進(jìn)行諧振增強(qiáng)，經(jīng)過(guò)受激輻射放大，最終激射。換言之，SG-DBR的激射波長(zhǎng)是由前后光柵的反射譜來(lái)決定的。因此，SG-DBR激光器想要在L波段進(jìn)行調(diào)諧，必須對(duì)前后光柵反射譜進(jìn)行調(diào)整，使得前后光柵能夠在L波段滿(mǎn)足反射率要求。

現(xiàn)階段光柵理論把光柵中任意處的光分為前向波和后向波來(lái)處理，通過(guò)分析它們的自耦合和相互耦合作用來(lái)推斷光柵的傳輸性能。傳輸矩陣法是一種基于數(shù)值計(jì)算的光柵簡(jiǎn)化分析方法，可以用來(lái)計(jì)算光柵的反射譜。它將激光器分為足夠小的小段，每段中的光柵參數(shù)都是不變的，由此把任意結(jié)構(gòu)的光柵分解為多段光柵來(lái)討論。對(duì)于每一小段的光柵，利用一個(gè)2×2的矩陣把前后界面的光波聯(lián)系起來(lái)，這個(gè)矩陣被稱(chēng)為傳輸矩陣，又稱(chēng)為T(mén)矩陣。整個(gè)光柵結(jié)構(gòu)前后界面的光波可以用每一小段的T矩陣依次相乘得到的一個(gè)總的T矩陣來(lái)聯(lián)系，整個(gè)光柵的反射譜線(xiàn)也可以用這個(gè)矩陣來(lái)描述，如圖1。

圖1 傳輸矩陣法示意圖

對(duì)任意光柵，定義Z方向?yàn)楣獠▊鬏數(shù)恼较?，在第i段光柵前后界面，Ri-1與Ri即為前向波，Si-1與Si為后向波。其滿(mǎn)足

(1)

其中T11、T12、T21、T22為T(mén)矩陣中的矩陣元素，那么

(2)

對(duì)于取樣光柵中的均勻光柵區(qū)，T矩陣中的傳輸參數(shù)分別為

(3)

(4)

(5)

(6)

其中，Δz為該段光柵的長(zhǎng)度，α為光柵的增益系數(shù)，δ為布拉格波長(zhǎng)偏移量，κ為光柵的耦合系數(shù)，γ是滿(mǎn)足色散關(guān)系的傳輸常數(shù)。

(7)

(8)

γ2=κ2+[α-iδ]2，

(9)

λ0=2neff×Λ0，

(10)

(11)

其中，β、β0為光波的傳播常數(shù)，Δn為光柵中有效折射率的變化量，λ0為布拉格波長(zhǎng)，Λ0為均勻光柵周期，gm為材料的增益系數(shù)，αloss為材料的固有損耗。

對(duì)于光柵中的均勻波導(dǎo)區(qū)，不存在光柵的相互耦合作用，耦合系數(shù)κ=0，帶入公式(3)～(6)中，得

T11=e(α-iδ)×Δz，

(12)

T12=0，

(13)

T21=0，

(14)

T22=e(-α+iδ)×Δz，

(15)

對(duì)于光柵中的相移區(qū)，當(dāng)該相移區(qū)使光波移相θ時(shí)，對(duì)應(yīng)的傳輸矩陣為[4,13]：

(16)

這里要說(shuō)明的是，一些文獻(xiàn)把有關(guān)激光器相移區(qū)的傳輸矩陣寫(xiě)為[14-15]：

(17)

此時(shí)，公式(17)中的相移量θ并非光波相位的相移量，而是其折射率調(diào)制函數(shù)的相移量。因?yàn)棣?=2neff×Λ0，所以折射率調(diào)制函數(shù)的相移量與光波的相移量有著2倍的對(duì)應(yīng)關(guān)系，因此公式(17)與公式(16)是同一個(gè)光柵結(jié)構(gòu)的兩種不同表現(xiàn)形式。

綜上，對(duì)于任意光柵，只需要將各段的傳輸矩陣按照次序依次相乘，就可以得到光柵兩端光波的對(duì)應(yīng)關(guān)系，如公式(2)。

在圖1中，若令R0=1，SM=0，則S0/R0可表示光波從光柵1段到光柵M段的整個(gè)振幅反射率,光柵反射率為

Rλ=|S0/R0|2，

(18)

其中，

S0/R0=T21/T22，

(19)

Rλ為光柵對(duì)波長(zhǎng)為λ的光的反射率。公式(18)、(19)將傳輸矩陣法中的參量與實(shí)際的光柵傳輸特性聯(lián)系到了一起。結(jié)合前面對(duì)于SG-DBR激光器激射波長(zhǎng)的論述，該模型不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)光柵傳輸特性的描述，還可以確定SG-DBR激光器激射波長(zhǎng)，即只有前后光柵對(duì)某一波長(zhǎng)的光都具有較高的反射率時(shí)，該波長(zhǎng)的光才會(huì)激射。

3 SG-DBR激光器參數(shù)設(shè)計(jì)與優(yōu)化

3.1 取樣光柵的參數(shù)化表征

SG-DBR激光器的前光柵區(qū)、相位區(qū)、后光柵區(qū)為無(wú)源波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，如圖2所示。因此，制備SG-DBR的過(guò)程中需要有源無(wú)源的集成[16]。為了減小端面反射，應(yīng)盡可能地減小有源區(qū)與無(wú)源區(qū)兩者折射率差，同時(shí)為了減小無(wú)源波導(dǎo)區(qū)的吸收損耗，無(wú)源波導(dǎo)區(qū)的帶隙波長(zhǎng)應(yīng)小于工作波長(zhǎng)。因此，本文選擇帶隙波長(zhǎng)1.42 μm的InGaAsP材料作為無(wú)源波導(dǎo)區(qū)，以其有效折射率neff=3.275、κ=200 cm-1、α=-1 cm-1為例闡述設(shè)計(jì)方案。

圖2 SG-DBR激光器與取樣光柵示意圖

SG-DBR激光器前后光柵為取樣光柵，它是在均勻光柵的基礎(chǔ)上選擇性地去除掉一部分光柵而形成的。取樣光柵分為兩種，一種是周期性取樣光柵，即選擇性的去除是周期性的；另一種是非周期性取樣光柵，即在周期性取樣光柵的基礎(chǔ)上引入特定的相移量，類(lèi)似于相移光柵。在本文的SG-DBR激光器設(shè)計(jì)中，我們選用周期性取樣光柵作為SG-DBR激光器的前后光柵。

在圖2所示的周期性取樣光柵結(jié)構(gòu)圖中，Λ0為均勻光柵的周期，又稱(chēng)為子光柵的周期，Lg為取樣周期內(nèi)有光柵的長(zhǎng)度，Ls為取樣周期，N為取樣對(duì)數(shù)，占空比S=Lg/Ls。

周期性取樣光柵可以近似看作多級(jí)均勻子光柵疊加而成，其中每一級(jí)均勻子光柵的周期用Λm表示，m=0,±1,±2…。每一級(jí)均勻子光柵的有效折射率隨位置的變化用Δnm(z)表示，有效折射率的變化量為|Δnm(z)|。每一級(jí)均勻子光柵對(duì)應(yīng)的反射波長(zhǎng)用λm表示，其中[14]

Λm=Ls×Λ0/(Ls+mΛ0)，

(20)

λm=2neff×Ls×Λ0/(Ls+mΛ0)，

(21)

Δnm(z)=

(22)

由公式(21)，取樣光柵相鄰反射峰的間隔Δλ為：

Δλ=λm-1-λm≌λ0×Λ0/Ls，

(23)

除此之外，由耦合模理論可得[2]

R(m)=tanh2(κmNLs)，

(24)

其中，R(m)為反射峰的大小，由公式(8)得

(25)

由公式(21)可以看出，隨著級(jí)次m的增大，m級(jí)反射峰λm離0級(jí)反射峰λ0越來(lái)越遠(yuǎn)。由公式(23)可以看出，取樣光柵相鄰反射峰間隔基本不變。由公式(22)、(24)、(25)可知，當(dāng)占空比S≤1/m時(shí)，0～m級(jí)子光柵的有效折射率變化量逐漸減小、反射峰的反射強(qiáng)度不斷降低，形成以0級(jí)反射峰為中心、反射強(qiáng)度逐漸減弱的典型梳狀譜[17]。

3.2 調(diào)諧范圍對(duì)于SG-DBR激光器參數(shù)的限定

為了使前后取樣光柵在整個(gè)調(diào)諧范圍內(nèi)都有較高的反射率，不妨取1 590 nm作為調(diào)諧起點(diǎn)。因此，在neff=3.275時(shí)，前后取樣光柵的0級(jí)反射峰λ0=1 590 nm。由公式(21)得

Λ0=λ0/(2×neff)=242.7 nm，

(26)

取樣光柵的典型特征是反射峰波長(zhǎng)不僅僅依賴(lài)于均勻光柵的周期Λ0。Λ0只能決定零級(jí)反射峰的波長(zhǎng)，其他級(jí)次反射峰是由Λ0與取樣周期Ls共同決定。所以在同一均勻光柵的基礎(chǔ)上，即同一Λ0，改變?nèi)又芷贚s的大小，就可以改變多級(jí)反射峰的位置[18]。通過(guò)合理地設(shè)計(jì)SG-DBR激光器的前后兩個(gè)取樣光柵的取樣周期，就可以在同一均勻光柵的基礎(chǔ)上產(chǎn)生反射峰位置不同的梳狀反射譜。通過(guò)前后光柵兩個(gè)反射譜的疊加來(lái)選擇激射波長(zhǎng)，當(dāng)其中一個(gè)反射譜有著很小的移動(dòng)時(shí)，兩個(gè)反射譜的重合位置就會(huì)改變，因此可以使用很小折射率的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)大的輸出波長(zhǎng)的改變，這就是游標(biāo)卡尺效應(yīng)[1,4]，如圖3所示。

圖3 游標(biāo)卡尺效應(yīng)

由圖3可以看出，利用游標(biāo)卡尺效應(yīng)實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)節(jié)的關(guān)鍵是反射峰的移動(dòng)范圍必須大于反射峰之間的間隔，否則在調(diào)諧范圍內(nèi)就會(huì)出現(xiàn)有一段區(qū)域的波長(zhǎng)無(wú)法激射，造成非連續(xù)調(diào)諧現(xiàn)象。對(duì)于我們采用的InGaAsP材料，基于電注入的等離子體效應(yīng)最多可以實(shí)現(xiàn)6～12 nm的調(diào)節(jié)范圍[4]?？紤]到熱效應(yīng)帶來(lái)的影響，本文以6 nm作為反射峰的最大調(diào)節(jié)范圍。定義前后取樣光柵的反射峰間隔為Δλ1、Δλ2，則Δλ1、Δλ2≤6 nm。

理論上，SG-DBR激光器的調(diào)諧范圍為

Δλ1≠Δλ2，

(27)

但實(shí)際上，想要達(dá)到理論的調(diào)諧范圍會(huì)涉及到較高級(jí)次的反射峰，而高級(jí)次反射峰的反射率比較低，會(huì)帶來(lái)閾值電流和輸出功率的變化。因此，從實(shí)際應(yīng)用的角度，在可以達(dá)到調(diào)諧需求40 nm的情況下，涉及到的反射峰越少越好。因?yàn)棣う?、Δλ2≤6 nm，所以想要反射峰覆蓋范圍達(dá)到40 nm，至少涉及0～±4級(jí)反射峰。而只有Δλ1、Δλ2≥5 nm時(shí)，0～±4級(jí)反射峰覆蓋范圍才能達(dá)到40 nm。因此，5 nm≤Δλ1、Δλ2≤6 nm。本文以0.1 nm為步長(zhǎng)，使Δλ1、Δλ2的取值遍布5～6 nm，得到調(diào)諧范圍與反射峰間隔示意圖，如圖4所示。

圖4 調(diào)諧范圍與反射峰間隔示意圖

在圖4中，其橫坐標(biāo)為前取樣光柵反射峰的間隔值，縱坐標(biāo)為后取樣光柵反射峰的間隔，對(duì)應(yīng)的值為公式(27)所得理論調(diào)諧范圍關(guān)于40的對(duì)數(shù)，大于1則證明其理論調(diào)諧范圍滿(mǎn)足需求。為方便比較，取Δλ1=Δλ2時(shí)，log40λtune=1?？紤]到反射峰具有一定的峰寬，Δλ1、Δλ2的差值不宜過(guò)小，本文取Δλ1=5.6 nm，Δλ2=5.2 nm。前、后取樣光柵-4級(jí)到+4級(jí)反射峰之間間隔分別為44.8 nm和41.6 nm。在調(diào)諧過(guò)程中，電流注入帶來(lái)的等離子體效應(yīng)能夠使反射峰覆蓋范圍向短波長(zhǎng)方向移動(dòng)6 nm。因此在僅考慮0～±4反射峰的情況下，其實(shí)際調(diào)諧范圍達(dá)到λT=min(Δλ1,Δλ2)×8+6=47.6 nm，滿(mǎn)足文中預(yù)想的40 nm的調(diào)諧需求。由公式(23)、(26)得到前后取樣光柵的取樣周期Ls1=68.91 μm、Ls2=74.21 μm。

由公式(21)可知，當(dāng)均勻光柵周期Λ0與取樣周期Ls被確定，SG-DBR激光器前后光柵反射峰的相對(duì)位置與間隔也被隨之確定。而反射峰的大小R(m)則與取樣光柵的占空比S強(qiáng)烈相關(guān)，由公式(22)、(24)、(25)得圖5，式中取NLs=500 μm。

在圖5中曲線(xiàn)1～5分別代表了0、±1、±2、±3、±4級(jí)反射峰的大小隨占空比的變化。從圖中可以看出隨著占空比S的不斷增大，0級(jí)和±1級(jí)反射峰的反射率不斷增強(qiáng)，±2、±3、±4級(jí)反射峰的反射率出現(xiàn)了先增大后減小的現(xiàn)象。在占空比S為12%附近，四級(jí)反射峰出現(xiàn)了極大值。綜合考慮，占空比取值為12%～14%是比較容易接受的。考慮到前取樣光柵對(duì)應(yīng)著出光面，總的反射率要小一些，因此取前、后取樣光柵占空比S1和S2為12%和14%，取樣周期內(nèi)有光柵的長(zhǎng)度Lg1和Lg2為8.27 μm和10.39 μm。

圖5 占空比對(duì)于各級(jí)反射峰的影響

綜上所述，以本文選取的InGaAsP為無(wú)源區(qū)材料，對(duì)于調(diào)諧范圍為L(zhǎng)波段40 nm的SG-DBR激光器，我們已經(jīng)確定的參數(shù)為neff=3.275、κ=200 cm-1、α=-1 cm-1、Ls1=68.91 μm、Ls2=74.21μm、S1=12%、S2=14%、Lg1=8.27 μm、Lg2=10.39 μm、Λ0=242.7 nm。其取樣周期Ls及取樣周期內(nèi)有光柵的長(zhǎng)度Lg均在微米量級(jí)，制備比較容易。

3.3 基于傳輸矩陣模型的參數(shù)優(yōu)化

根據(jù)傳輸矩陣法，把取樣光柵分解為多個(gè)均勻光柵和波導(dǎo)光柵。定義Tg1、Tb1、Tg2、Tb2分別為前后取樣光柵的光柵區(qū)傳輸矩陣與波導(dǎo)區(qū)傳輸矩陣，N1、N2為前、后取樣光柵的取樣對(duì)數(shù)，由公式(3)～(6)，Tg1中的參數(shù)分別為，

(28)

(29)

(30)

(31)

由公式(12)～(15)，Tb1中的參數(shù)為：

T11=e(α-iδ)×(Ls1-Lg1)，

(32)

T12=0,

(33)

T21=0,

(34)

T22=e(-α+iδ)×(Ls1-Lg1),

(35)

按照光波傳輸方向，對(duì)傳輸矩陣依次相乘，得

Ttotal1=(Tg1×Tb1)N1，

(36)

同理，將公式(28)～(31)中的Lg1替換成Lg2，即可得到傳輸矩陣Tg2中的參數(shù)；將公式(32)～(35)中的Ls1、Lg1替換為L(zhǎng)s2、Lg2即可得到傳輸矩陣Tb2中的參數(shù)：

Ttotal2=(Tg2×Tb2)N2,

(37)

以0.01 nm為步長(zhǎng)，使λ遍歷1 565～1 615 nm，重復(fù)利用公式(28)～(37)可以得到不同波長(zhǎng)不同取樣對(duì)數(shù)下的Ttotal1和Ttotal2。再利用公式(18)、(19)計(jì)算不同取樣對(duì)數(shù)下的前后取樣光柵在1 565～1 615 nm的反射率。并由此得出各級(jí)反射峰的峰高Rm，零級(jí)反射峰的半峰寬λe，即零級(jí)反射峰的反射率達(dá)到其峰值一半時(shí)的波長(zhǎng)間隔，如表1與表2所示。

表1 不同對(duì)數(shù)的前取樣光柵反射特性(FSG)

表2 不同對(duì)數(shù)的后取樣光柵反射特性(RSG)

由表1、表2可以看出，隨著取樣對(duì)數(shù)的增大，前后光柵的各級(jí)反射峰的反射率都是增大的，零級(jí)反射峰的半峰寬都是減小的。并且在同一取樣對(duì)數(shù)下，后取樣光柵的各級(jí)反射峰的反射率均要大于前取樣光柵的各級(jí)反射峰的反射率，滿(mǎn)足前取樣光柵側(cè)為出光側(cè)的要求。另外還可以看出，隨著取樣對(duì)數(shù)的不斷增大，各級(jí)反射峰的反射率雖然是不斷增大的，但是增大幅度越來(lái)越??；而零級(jí)反射峰的半峰寬則是不斷減小的，同樣變化幅度越來(lái)越小。因此為了實(shí)現(xiàn)SG-DBR激光器小閾值電流和大輸出功率的目的，前取樣光柵的周期數(shù)可以取10，后取樣光柵的周期數(shù)可以取12，得到如圖6所示的前后取樣光柵反射譜。

圖6 前后取樣光柵的反射譜

由圖6可以看出，SG-DBR激光器光柵區(qū)在不進(jìn)行電注入調(diào)制時(shí)，前后取樣光柵的反射峰在1 590 nm處重疊，對(duì)波長(zhǎng)1 590 nm及其附近的光波具有較強(qiáng)的反射能力，經(jīng)過(guò)諧振腔諧振輸出激光。當(dāng)激射波長(zhǎng)需要改變時(shí)，對(duì)光柵區(qū)進(jìn)行電注入，以此改變有效折射率，使得前后光柵的反射譜相互獨(dú)立地進(jìn)行藍(lán)移，進(jìn)而使得前后光柵的反射峰能夠重疊在所需波長(zhǎng)處，實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)調(diào)諧。

綜合上面的討論，我們以在L波段實(shí)現(xiàn)40 nm的調(diào)諧范圍為例，完整地闡述了整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程。最終得到了一組SG-DBR激光器的優(yōu)化參數(shù)，見(jiàn)表3，其對(duì)應(yīng)的實(shí)際調(diào)諧范圍達(dá)到47.6 nm；并得到采用優(yōu)化參數(shù)后的前后取樣光柵的梳狀反射譜，見(jiàn)圖6。

表3 SG-DBR激光器優(yōu)化參數(shù)

4 總 結(jié)

本文針對(duì)現(xiàn)階段關(guān)于L波段SG-DBR激光器研究較少的現(xiàn)狀，以在L波段實(shí)現(xiàn)40 nm的調(diào)諧范圍為例，從理論上分析了設(shè)計(jì)SG-DBR激光器所需的關(guān)鍵參數(shù)。文中采用InP基的InGaAsP作為無(wú)源區(qū)材料，根據(jù)40 nm的調(diào)諧需求確定了前、后取樣光柵的取樣周期及均勻光柵周期，其中Λ0=242.7 nm、Ls1=68.91 μm、Ls2=74.21 μm?？陀^地討論了占空比S對(duì)于多級(jí)反射峰的影響機(jī)制，并選擇S1=12%、S2=14%作為前、后取樣光柵的占空比。同時(shí)基于傳輸矩陣模型，對(duì)取樣光柵進(jìn)行了全面的仿真，分析了取樣對(duì)數(shù)與前、后取樣光柵的關(guān)系。最終，得到了一組優(yōu)化SG-DBR激光器參數(shù)，其對(duì)應(yīng)的調(diào)諧范圍達(dá)到47.6 nm。