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        質(zhì)量成本控制
        ——減少硅外延電阻率測(cè)試頻次的實(shí)驗(yàn)研究

        2020-09-16 12:07:22唐發(fā)俊
        天津科技 2020年9期
        關(guān)鍵詞:外延規(guī)格電阻率

        李 楊,薛 兵,唐發(fā)俊

        (中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所 天津300220)

        0 引 言

        質(zhì)量成本屬于經(jīng)濟(jì)學(xué)分支——質(zhì)量經(jīng)濟(jì)學(xué)范疇,它包括確保和保證滿意的質(zhì)量時(shí)所發(fā)生的費(fèi)用,以及未達(dá)到滿意的質(zhì)量時(shí)所造成的損失[1]。質(zhì)量成本一般包括:為確保與要求一致而作的所有工作叫做一致成本,以及由于不符合要求而引起的全部工作叫做不一致成本,這些工作引起的成本主要包括預(yù)防成本、鑒定成本、內(nèi)部損失成本和外部損失成本[2-3]。其中預(yù)防成本和鑒定成本屬于一致成本,內(nèi)部損失成本和外部損失成本又統(tǒng)稱為故障成本,屬于不一致成本。

        鑒定成本是按照質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試、評(píng)定和檢驗(yàn)所發(fā)生的各項(xiàng)費(fèi)用,是在結(jié)果產(chǎn)生之后,為了評(píng)估結(jié)果是否滿足要求進(jìn)行測(cè)試活動(dòng)而產(chǎn)生的成本,包括部門行政費(fèi)、材料工序成品檢驗(yàn)費(fèi)、檢測(cè)設(shè)備維修費(fèi)和折舊等用于評(píng)估產(chǎn)品是否滿足規(guī)定要求所需各項(xiàng)費(fèi)用。

        為了進(jìn)一步降低質(zhì)量成本,提高單位效率,針對(duì)PE-LPE3061D設(shè)備生產(chǎn)硅外延片電阻率測(cè)試采用正片的問題,統(tǒng)計(jì)了 2019年 8臺(tái)該設(shè)備全年電阻率測(cè)試片使用情況,匯總分析了近一年主流產(chǎn)品的電阻率測(cè)試及調(diào)控?cái)?shù)據(jù),提出了相應(yīng)的改進(jìn)方法、管控措施和風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估。

        1 實(shí) 驗(yàn)

        1.1 實(shí)驗(yàn)材料及方法

        沉積硅外延設(shè)備為意大利洛佩詩(LPE)公司生產(chǎn)的 PE-LPE3061D平板式硅外延爐,基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。該硅外延爐采用高頻感應(yīng)加熱方式,具有維護(hù)簡(jiǎn)單,生產(chǎn)效率高的特點(diǎn),是目前各硅外延制造企業(yè)主流的 6~8in(in=25.4mm,下同)硅外延片的生產(chǎn)設(shè)備。此設(shè)備為單圈平板爐,每爐殼生產(chǎn) 6in產(chǎn)品8片。

        圖1 LPE3061D平板式硅外延爐結(jié)構(gòu)圖Fig.1 Structure of PE3061D plate-type epitiaxial reactor

        1.2 硅外延工藝

        本文采用常壓硅外延工藝,反應(yīng)室壓力維持在0.1MPa。采用高純度三氯氫硅(SiHCl3)作為硅源,腔內(nèi)反應(yīng)化學(xué)式如下:

        反應(yīng)氣體 H2經(jīng)過純化器的純化,純度可以達(dá)到6N以上,生長(zhǎng)溫度保持在 1150℃。在該過程中,通入摻雜氣體磷烷(PH3)進(jìn)行電阻率控制。批量生產(chǎn)過程進(jìn)行合格拋光片滿布裝片,按照測(cè)試頻次要求進(jìn)行電阻率破壞性測(cè)試。

        2 結(jié)果與分析

        如表1所示,抽取8臺(tái)LPE3061D設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)統(tǒng)計(jì),全年裝片數(shù) 385842片,共計(jì)使用電阻率測(cè)試片13066片,測(cè)試片占比2.97%。以上測(cè)試片均為正片,假設(shè)全部按照 5in產(chǎn)品計(jì)算,折合產(chǎn)值約為150萬元。

        針對(duì)上述質(zhì)量成本,本文分析的主要為 5、10、20μm厚度規(guī)格硅外延產(chǎn)品,占LPE3061D總產(chǎn)量的80%以上,且涵蓋了主要硅外延工藝。以上產(chǎn)品均為3爐 1測(cè)電阻率,在這種測(cè)試頻率下總結(jié)出的規(guī)律,可作為縮減電阻率抽測(cè)改進(jìn)的依據(jù)。以這 3種厚度規(guī)格產(chǎn)品進(jìn)行分析,改變摻雜劑用量為控制電阻率的方法。

        表1 2019年LPE3061D設(shè)備電阻率測(cè)試片使用情況(片)Tab.1 Usage of LPE3061D equipment resistivity test wafer in 2019(wafer)

        2.1 5μm厚度規(guī)格產(chǎn)品

        5μm厚度規(guī)格產(chǎn)品在8臺(tái)LPE3061D設(shè)備上均進(jìn)行過生產(chǎn),圖2統(tǒng)計(jì)的是2019年44個(gè)生產(chǎn)批次中各批次生產(chǎn)過程中摻雜的最大變化量,其中單批次摻雜劑用量變化<0.5sccm的占 68%,摻雜劑用量變化<1sccm 的批次合計(jì)占比 89%。按照摻雜調(diào)節(jié)1sccm對(duì)應(yīng)電阻率變化 0.01Ω·cm的現(xiàn)行調(diào)節(jié)規(guī)范,那么 90%左右的批次其電阻率調(diào)節(jié)變化范圍不超過0.01Ω·cm,而該產(chǎn)品電阻率檢驗(yàn)容限范圍是0.04Ω·cm??梢姡摦a(chǎn)品在長(zhǎng)期生產(chǎn)過程中,電阻率調(diào)控所引起的電阻率變化遠(yuǎn)小于產(chǎn)品容限。這是縮減電阻率抽樣頻率的基礎(chǔ)。

        另外,各批次產(chǎn)品在生產(chǎn)過程中,主要的摻雜調(diào)節(jié)都發(fā)生在前3爐;如果判斷電阻率達(dá)到穩(wěn)定是按照“摻雜劑連續(xù) 8爐不變”為標(biāo)準(zhǔn),那么該產(chǎn)品電阻率在前 3爐就達(dá)到穩(wěn)定的批次占 100%。也就是說,摻雜的調(diào)節(jié)重點(diǎn)是前 3爐,后續(xù)爐次的調(diào)節(jié)次數(shù)較少,且幅度不大。如上表中 44批次生產(chǎn),其中 9批在整批過程中未進(jìn)行任何調(diào)節(jié),11批的過程調(diào)節(jié)少于2次,其余批的調(diào)節(jié)次數(shù)主要分布前 8爐次。由此可見,在眾多煮水測(cè)試的爐次中,進(jìn)行調(diào)節(jié)的爐次較少,所以降低抽樣頻率可行。

        2.2 10μm厚度規(guī)格產(chǎn)品

        如圖 3所示,10μm 厚度規(guī)格產(chǎn)品與 5μm 厚度規(guī)格產(chǎn)品雷同,35批生產(chǎn)中摻雜劑用量變化<2sccm的批次占 97%,對(duì)應(yīng)的電阻率變化為 0.055Ω·cm,該產(chǎn)品電阻率檢驗(yàn)容限范圍是 0.1Ω·cm,電阻率調(diào)節(jié)幅度小于管控范圍;另外,摻雜劑用量變化超過2sccm的只有1次占3%,其值為2.63sccm,這次調(diào)節(jié)是由于測(cè)試設(shè)備不穩(wěn)造成的調(diào)節(jié)幅度過大,而非外延爐摻雜效率不穩(wěn)。

        圖2 5μm厚度規(guī)格產(chǎn)品摻雜劑用量變化統(tǒng)計(jì)圖Fig.2 Statistical chart of dopant amount in products with a thickness of 5μm

        圖3 10μm厚度規(guī)格摻雜劑用量變化統(tǒng)計(jì)圖Fig.3 Statistical chart of dopant amount in products with a thickness of 10μm

        2.3 20μm厚度規(guī)格產(chǎn)品

        從表2可以看出,該產(chǎn)品由于電阻率控制范圍為9.45~9.95Ω·cm,在前 3爐實(shí)驗(yàn)之后,基本不用再進(jìn)行摻雜調(diào)節(jié)。

        表2 20μm厚度規(guī)格產(chǎn)品摻雜劑用量變化統(tǒng)計(jì)Tab.2 Statistical table of dopant amount in products with a thickness of 20μm

        3 結(jié) 論

        通過上述產(chǎn)品電阻率調(diào)控過程的分析,得出以下結(jié)論:

        ①產(chǎn)品在正常生產(chǎn)過程中,整批次的摻雜劑用量調(diào)節(jié)幅度相對(duì)較小,由其引起的電阻率變化不會(huì)大幅度超出控制線。

        ②摻雜劑用量在前3爐調(diào)節(jié)較多,批次內(nèi)后續(xù)爐次較為穩(wěn)定。

        ③上述前3個(gè)產(chǎn)品以往數(shù)據(jù)表明,批次內(nèi)電阻率變化小于內(nèi)控線。

        根據(jù)以上結(jié)論,將現(xiàn)行的電阻率測(cè)試規(guī)范進(jìn)行如下改進(jìn):由每 24片測(cè)試 1片更改為每 48片測(cè)試1片。自 2020年 1月實(shí)施改進(jìn),截止目前,生產(chǎn)平穩(wěn),未出現(xiàn)質(zhì)量問題。按產(chǎn)能計(jì)算,每年可節(jié)省硅拋光片4000片左右,降低鑒定成本約40萬元,并且提高了硅外延出片率。

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