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        激光干涉光刻技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用分析

        2020-09-06 14:15:55王沖袁寧豐汪鋼張冬
        科學(xué)與信息化 2020年23期
        關(guān)鍵詞:技術(shù)開發(fā)

        王沖 袁寧豐 汪鋼 張冬

        摘 要 光刻技術(shù)在當(dāng)前多個(gè)領(lǐng)域內(nèi)發(fā)揮重要作用,其中激光干涉光刻技術(shù)由于其本身具有較高的優(yōu)勢(shì),所以在光刻技術(shù)體系內(nèi)可以起到更好的效果。基于對(duì)激光干涉光刻技術(shù)開發(fā)模式的分析,本文給出技術(shù)的具體應(yīng)用方案,讓該項(xiàng)技術(shù)能夠在現(xiàn)行的多種高科技領(lǐng)域內(nèi)發(fā)揮其應(yīng)有作用。

        關(guān)鍵詞 激光干涉光刻技術(shù);技術(shù)開發(fā);技術(shù)使用

        引言

        激光干涉光刻技術(shù)總體運(yùn)行原理上來看,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于光的干涉和使用相干光束,對(duì)干涉圖樣記錄到記錄層,不同的圖樣由周期性序列條紋組成,條紋具有最大和最小強(qiáng)度,在曝光之后,可以直接應(yīng)用于光刻處理過程,從而讓相對(duì)應(yīng)的光刻圖樣可以顯現(xiàn)。該項(xiàng)技術(shù)的使用階段,可實(shí)現(xiàn)對(duì)多種參數(shù)的分析和體現(xiàn),從技術(shù)層面上簡(jiǎn)化了處理流程。

        1激光干涉光刻技術(shù)的開發(fā)

        1.1 技術(shù)原理

        該項(xiàng)技術(shù)的原理是,由兩個(gè)及以上的光束構(gòu)成一個(gè)圖像,同時(shí)該圖像被記錄到記錄層內(nèi)部,由于干涉圖樣由周期性的序列條紋構(gòu)成,同時(shí)不同條紋在強(qiáng)度方面存在差別,則能夠更好應(yīng)用于對(duì)圖像的描述過程,在曝光之后的光束處理過程,可以根據(jù)周期性的強(qiáng)度變化使得被記錄的圖案出現(xiàn)。

        對(duì)于兩束光線情況,條紋周期或者間距由(λ/2)/sin(θ/2)參數(shù)給出,其中θ代表著光束之間的夾角,λ代表著光波的波長(zhǎng),該公式可以使得光波的周期達(dá)到波長(zhǎng)的一半。對(duì)于三束干涉光波,可以采用六邊形對(duì)稱結(jié)構(gòu)構(gòu)成,對(duì)于四束光波情況,使用矩形對(duì)稱結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)對(duì)于陣列的構(gòu)成,之后通過疊加相關(guān)的光束組合,使得光束結(jié)構(gòu)可以被制備。

        1.2 相干性要求

        在光束的處理過程,必須要能夠滿足相干性要求,首先是能夠借助空間上的相干光源,之后使用加速器,可以保證在獲得了分束光之前,可以得到統(tǒng)一性的點(diǎn)光源,其次需要考慮單色或者時(shí)域相干的光源,可以借助激光獲得,但是在使用寬帶寬的光源時(shí),需要在其中加入濾光片,若實(shí)際構(gòu)成的分束器作為衍射光柵,則需要對(duì)單色光進(jìn)一步處理,允許在不同的波長(zhǎng)、光線入射到不同的角度時(shí),各類光線還可以被匯集至一點(diǎn)。需要注意的是,在該情況下,系統(tǒng)的空間相干性和正入射參數(shù)仍然是必備條件[1]。

        1.3 分束器配置

        在分束器的配置過程,要根據(jù)干涉光刻技術(shù)的運(yùn)行原理實(shí)現(xiàn)對(duì)于各類設(shè)備的合理加入,在實(shí)際工作階段,相干光必須要能夠匯集在相關(guān)光束上,而各類光束要能夠被分解成兩個(gè)及以上的光束。在具體處理階段,常用的方法為勞埃德鏡、衍射光柵和棱鏡的結(jié)合體,在光線射入到分束器之后,可以將各類信息根據(jù)波長(zhǎng)和頻率參數(shù)對(duì)其進(jìn)行處理,之后形成衍射光譜。

        2激光干涉光刻技術(shù)的使用

        2.1 光子晶體應(yīng)用

        在該項(xiàng)技術(shù)的開發(fā)和使用過程中,20世紀(jì)70年代,就已經(jīng)提出了光子晶體概念,原理是在不同介電常數(shù)的介質(zhì)材料情況下,能夠讓光線在空間上呈現(xiàn)規(guī)律性的排布特點(diǎn)。在當(dāng)前的高科技產(chǎn)品使用中,光子晶體概念得到了全面性的普及和使用,如在當(dāng)前使用的天線、濾波器、放大器等設(shè)施中,該結(jié)構(gòu)就取得了廣泛使用。激光干涉光刻技術(shù)在運(yùn)用過程中,借助于對(duì)光子晶體概念的實(shí)施,開始實(shí)現(xiàn)對(duì)技術(shù)的開發(fā),該過程若使用光刻技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)相關(guān)圖樣的獲取,并且將其以具有較高規(guī)律性光譜的形式進(jìn)行記錄,在處理之后,使用干涉光刻技術(shù),記錄該結(jié)構(gòu)的形狀參數(shù),之后按照已經(jīng)記錄的信息數(shù)據(jù)做出調(diào)整動(dòng)作,從而讓光刻技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于被處理器件的加工。

        2.2 太陽能電池應(yīng)用

        由于激光干涉光刻技術(shù)具有良好的微觀層面工作性能,所以在目前的多個(gè)行業(yè)內(nèi)已經(jīng)發(fā)揮了重要作用,其中太陽能作為當(dāng)前重點(diǎn)開發(fā)的清潔能源,太陽能裝置對(duì)于具體的處理精度和處理方案提出的要求極高,作為可以把光能作為可以直接轉(zhuǎn)變成電能的一種設(shè)施,要求其各類結(jié)構(gòu)的連接參數(shù)保持穩(wěn)定,同時(shí)為了能夠提高對(duì)于光能的利用率,需要減少硅電池表面的陽光反射率,會(huì)在電池表面加入一層增透膜。在具體的處理過程,該增透膜一方面需要對(duì)其外形和建設(shè)模式進(jìn)行合理的配置,另一方面也要對(duì)其本身的結(jié)構(gòu)和材料進(jìn)行處理,在激光干涉光刻技術(shù)的使用過程,由于其已經(jīng)可以記錄對(duì)于相關(guān)材料的處理參數(shù),所以在增透膜的制備過程中,對(duì)這類材料進(jìn)行直接性的展示,實(shí)現(xiàn)對(duì)增透膜的科學(xué)配置。另外對(duì)于硅電池材料本身來說,其中各類較小的器件也都需要經(jīng)過相應(yīng)性的處理工作,正是由于激光干涉光刻技術(shù)可以發(fā)揮這一作用,所以在目前的光電池制作階段,該項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)取得了一定性的應(yīng)用進(jìn)展。

        2.3 金屬表面處理應(yīng)用

        在當(dāng)前的金屬處理工藝中,一些情況下需要對(duì)金屬表面進(jìn)行科學(xué)處理工作,由于高功率的脈沖激光在金屬表面的處理工藝中,可以減少對(duì)金屬材料的損耗量,所以在金屬材料的加工和處理過程中可以取得良好的應(yīng)用。在該項(xiàng)技術(shù)當(dāng)前的使用過程,一方面即可以直接將所需要處理的結(jié)構(gòu)和方案進(jìn)行記錄,根據(jù)配置的處理參數(shù)將圖像在金屬表面結(jié)構(gòu)上進(jìn)行展示,另一方面可以通過對(duì)激光強(qiáng)度和能量的確定,在其表面上進(jìn)行相應(yīng)性的處理,并且整個(gè)處理過程具有更高的靈活性,即根據(jù)該材料的類型和設(shè)置的處理方案,根據(jù)的圖案表現(xiàn)情況,對(duì)各類參數(shù)進(jìn)行配置[2]。需要注意的是,在金屬材料的處理過程中,既要實(shí)現(xiàn)對(duì)分束器等裝置的相關(guān)參數(shù)配置,也要合理確定激光的包含能量,唯有如此才可以讓最終處理和獲得的圖案符合處理要求。

        3結(jié)束語

        綜上所述,激光干涉光刻技術(shù)的開發(fā)過程中,需要完成的工作任務(wù)包括對(duì)于激光干涉原理的分析、分束器的配置、具體處理原理和處理方案的調(diào)整等,從而讓該技術(shù)能夠具有更高的安全性與可靠性。在具體的使用過程,可以在太陽能電池的制作過程、金屬材料的表面配置過程、光子晶體的生產(chǎn)過程中發(fā)揮重要作用,以大幅度降低生產(chǎn)成本。

        參考文獻(xiàn)

        [1] 雷宇.雙光束激光干涉納米光刻設(shè)備研發(fā)[D].北京:中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院物理研究所),2018.

        [2] 崔辰靜.干涉光刻法制備任意圖形微納結(jié)構(gòu)及其SERS應(yīng)用的研究[D].北京:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué),2016.

        作者簡(jiǎn)介

        王沖(1981-),男,四川人;學(xué)歷:本科,職稱:工程師,現(xiàn)就職單位:寧波潤(rùn)華全芯微電子設(shè)備有限公司,研究方向:半導(dǎo)體高端裝備設(shè)計(jì)與開發(fā)。

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