李洋洋 張緯怡 吳凱 徐藝敏

摘 要 采用末端屏蔽法測量串級式電壓互感器一次繞組對二次繞組的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ時(shí)，發(fā)現(xiàn)介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測量值隨R4并聯(lián)電阻變化而發(fā)生改變。通過等值電路分析，導(dǎo)致誤差的根本原因主要是雜散電容所致，實(shí)際值可通過兩次測量計(jì)算得到。

關(guān)鍵詞 雜散電容;串級式電壓互感器;介質(zhì)損耗因數(shù)

引言

測量串級式電壓互感器一次繞組對二次繞組的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ，能夠靈敏地發(fā)現(xiàn)電壓互感器內(nèi)部絕緣受潮、劣化等缺陷。在采用末端屏蔽法測量串級式電壓互感器一次繞組對二次繞組的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ時(shí)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)并聯(lián)電阻R4發(fā)生變化，所測量得到的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ也隨之發(fā)生變化。對此，本文進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ變化主要是由于雜散電容所致。

1末端屏蔽法測量介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ

末端屏蔽法測量電壓互感器介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ接線圖，如圖1所示?；ジ衅饕淮卫@組A端接高壓，末端X端接電橋屏蔽。由于一次繞組對二次繞組間的CX值較小，且R3量程有限，一般需要在R4上并聯(lián)一個(gè)電阻R進(jìn)行測量[1]。

2雜散電容對介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ的影響

本文選取了一臺(tái)110kV電壓互感器，采用末端屏蔽法測量電壓互感器介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ。結(jié)果如表1所示。

由表1可以發(fā)現(xiàn)，R4并聯(lián)電阻后，介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ發(fā)生變化，原因如圖2所示，圖中CX為被試品的電容量，由于試品電容量很小，R3值相對較大，此時(shí)與R3并聯(lián)的雜散電容Cc，影響不可忽略。雜散電容Cc既包含CX引線芯線對屏蔽層的電容，還包含橋體內(nèi)的寄生電容以及試品CX測量電極對地的電容，tanδc為式（1）所示。當(dāng)R4并聯(lián)不同電阻時(shí)，等效電阻為kR4，在試品電容不變條件下，R3電阻也變?yōu)閗R3，tanδc為式（2）所示。

聯(lián)合式（1）與式（2）可計(jì)算得到實(shí)際介損：

將表1中數(shù)據(jù)代入式（3）可計(jì)算考慮誤差影響后的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδx =0.9%[2]。

3結(jié)束語

本文通過等值電路圖分析了雜散電容對串級式電壓互感器一次繞組對二次繞組的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測量結(jié)果的影響。介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ隨著橋臂電阻R4并聯(lián)的電阻變化而變化，主要原因是雜散電容所致。介損實(shí)際值，可通過兩次測量計(jì)算得到。

參考文獻(xiàn)

[1] 陳天翔，王寅仲，海世杰. 電氣試驗(yàn)[M].北京：中國電力出版社，2008：56.

[2] 李建明，朱康. 高壓電氣設(shè)備試驗(yàn)方法[M].北京：中國電力出版社，2001：73.

作者簡介

李洋洋（1992-），男，學(xué)歷：碩士，職稱：助理工程師，研究方向：高電壓技術(shù)與絕緣試驗(yàn)研究。

張緯怡（1993-），女學(xué)歷：本科，職稱：助理工程師，現(xiàn)就職單位：國網(wǎng)江蘇省電力有限公司鎮(zhèn)江供電分公司，研究方向：高電壓技術(shù)與絕緣試驗(yàn)研究。