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        射頻機(jī)械開關(guān)的優(yōu)化設(shè)計(jì)

        2020-08-26 05:17:24盛,魯
        艦船電子對抗 2020年3期
        關(guān)鍵詞:導(dǎo)通射頻單片機(jī)

        桂 盛,魯 帆

        (中國船舶重工集團(tuán)公司第七二三研究所,江蘇 揚(yáng)州 225101)

        0 引 言

        射頻機(jī)械開關(guān)是利用電磁力或彈力來控制驅(qū)動絕緣子和簧片上、下運(yùn)動,從而實(shí)現(xiàn)射頻通道通斷特性,其廣泛應(yīng)用于射頻微波組件、模塊和系統(tǒng)中。相比其他形式開關(guān),射頻機(jī)械開關(guān)具有如下優(yōu)點(diǎn)[1]:(1)插入損耗極低;(2)不會引入信號非線性特征;(3)耐受功率水平較高。然而,機(jī)械開關(guān)存在的切換時(shí)間較長,一般需20 ms左右等固有不足也限制了其應(yīng)用范圍。此外,機(jī)械開關(guān)還會由于彈性元件和電磁元件在使用過程中出現(xiàn)一定概率的疲勞或失效,從而導(dǎo)致偶發(fā)性工作失靈。此類故障現(xiàn)象在美國RLC公司、歐洲Radiall公司和日本松下公司等多家公司的表貼式機(jī)械開關(guān)產(chǎn)品上均有出現(xiàn)。因此,針對機(jī)械開關(guān)在使用過程中出現(xiàn)的切換偶發(fā)失效問題開展了相關(guān)研究。

        1 故障機(jī)理分析

        機(jī)械開關(guān)在使用過程中偶爾出現(xiàn)駐波失配、插損增大、相位遠(yuǎn)離基準(zhǔn)等異?,F(xiàn)象。經(jīng)廣州5所可靠性實(shí)驗(yàn)報(bào)告和器件解剖分析初步判定故障原因?yàn)椋簷C(jī)械開關(guān)在使用過程中因頻繁切換導(dǎo)致限位裝置產(chǎn)生的磨損微粒和極微小形變讓簧片在原動力下無法位置復(fù)原,從而造成開關(guān)兩端口均不能正常吸合。此非正常閉合產(chǎn)生的極細(xì)小間隙會引起端口駐波失配,進(jìn)而導(dǎo)致高頻信號波長短空間耦合插損小,傳播損耗變化并不明顯,相位偏移大;低頻信號波長長,空間耦合插損大,傳播損耗變化大,相位偏移小。

        為了解決上述原因,本文從機(jī)械開關(guān)的工作原理入手展開研究。機(jī)械開關(guān)主要包含電磁系統(tǒng)、同軸接口結(jié)構(gòu)、通斷切換(接觸系統(tǒng))系統(tǒng)3個(gè)部分,其開關(guān)原理如圖1所示,采用+12 V控制,將機(jī)械開關(guān)的1腳接地,2腳接0 V或+12 V。當(dāng)2腳接0 V時(shí),組件開通NC路;當(dāng)2腳接+12 V時(shí),組件開通NO路。

        射頻機(jī)械開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖2所示,當(dāng)機(jī)械開關(guān)1腳接地、2腳接+12 V時(shí),機(jī)械開關(guān)線圈加載電流,線圈通電而產(chǎn)生磁場,磁場吸附銜鐵,銜鐵吸合推桿隨銜鐵向下運(yùn)動,A觸點(diǎn)動簧片與絕緣子斷開,B觸點(diǎn)動簧片與絕緣子接觸,從而實(shí)現(xiàn)C-NO信號的開通。當(dāng)機(jī)械開關(guān)1腳接地、2腳接0 V時(shí),機(jī)械開關(guān)線圈未加電,彈簧處于壓縮狀態(tài),彈簧恢復(fù)力使得B觸點(diǎn)動簧片與絕緣子斷開,A觸點(diǎn)動簧片與絕緣子接觸,從而實(shí)現(xiàn)C-NC信號的切換。

        圖2 機(jī)械開關(guān)結(jié)構(gòu)圖

        從上述機(jī)械開關(guān)原理可以看出,機(jī)械開關(guān)在使用過程中出現(xiàn)故障的主要原因有:(1)電磁鐵性能下降或失效,造成控制C-NO通路閉合不到位或者無響應(yīng);(2)彈簧性能下降或者失效,造成C-NC通路閉合不到位或者無響應(yīng)。盡管機(jī)械開關(guān)在使用要求中明確最小切換時(shí)間優(yōu)于15 ms,仍會因彈性元件疲勞引起機(jī)械開關(guān)概率性吸合不到位或者控制失效等問題,特別是在動簧片相對絕緣子距離較近的狀態(tài)下,微波高頻信號空間傳輸損耗較低,機(jī)械開關(guān)插入損耗性能下降不明顯(12~18 GHz插入損耗增加約0.2~0.3 dB),但相位偏離值較大,器件故障可檢測性較差。

        2 解決途徑

        為了解決上述問題,我們對機(jī)械開關(guān)做了大量驗(yàn)證工作,結(jié)合失效分析報(bào)告和故障時(shí)特征現(xiàn)象得出初步結(jié)論:(1)吸合不到位的故障情況下射頻上C-NC與C-NO端均為開路;(2)控制失效的故障情況下控制電壓與導(dǎo)通支路邏輯不符。通過以上結(jié)論,結(jié)合機(jī)械開關(guān)在電路中的作用,在電路中設(shè)置了判別點(diǎn)A、B和BIT故障告警,具體原理框圖如圖3所示。

        圖3 反饋工作流程圖

        從圖3可以看出,電路通電后,TTL輸入電平為低時(shí),NC-C導(dǎo)通,NO-C斷開;判別點(diǎn)A比較器輸出為低電平,判別點(diǎn)B比較器輸出為高電平;電路正常機(jī)內(nèi)自檢(BIT)輸出高電平(狀態(tài)a)。當(dāng)NC-C、NO-C均斷開,判別點(diǎn)A、B比較器輸出均為高電平,此刻電路正常BIT輸出低電平(狀態(tài)c)。NC-C斷開、NO-C導(dǎo)通,判別點(diǎn)A比較器輸出為高電平、判別點(diǎn)B比較器輸出為低電平,此時(shí),電路正常BIT輸出低電平(狀態(tài)d)。同理,TTL輸入電平為高時(shí),情況類似,其表現(xiàn)出來的狀態(tài)如表1所示。

        表1 控制與判別信號真值表

        電路通過BIT反饋報(bào)警電平可以明確得到機(jī)械開關(guān)工作狀態(tài)正常與否,上位機(jī)即可通過BIT的回報(bào)結(jié)果及時(shí)了解機(jī)械開關(guān)工作狀態(tài),并重新復(fù)位輸入控制信號解決問題。

        3 電路的設(shè)計(jì)

        針對上述解決方法,本文分別從射頻電路和數(shù)字電路2個(gè)方面對機(jī)械開關(guān)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。

        3.1 射頻電路的設(shè)計(jì)

        為了阻斷電路前級電位對檢測點(diǎn)A、B的影響,在射頻電路NC、NO輸入端增加隔直電容;在NC及NO端采用繞線電感實(shí)現(xiàn)電壓檢測機(jī)械開關(guān)選通回路。機(jī)械開關(guān)導(dǎo)通支路可以等效成傳輸線,其電路模型如圖4所示。

        圖4 電路模型

        圖4中L1、L2、L3分別為機(jī)械開關(guān)任意通道的檢測繞線電感,C1、C2為前級隔直電容,當(dāng)NC-C或者NO-C任一支路導(dǎo)通時(shí),可形成NC-C或者NO-C電壓回路。在設(shè)計(jì)過程中,可通過降低電容電感影響,保真機(jī)械開關(guān)射頻性能。針對上述電路方式,以某設(shè)備現(xiàn)有前端組件為例分析其電路特性。通過查詢組件內(nèi)使用的相關(guān)芯片資料可知,開關(guān)在13.5 GHz頻率處,因優(yōu)化電路引入的隔直電容插入損耗小于0.18 dB,電容串聯(lián)電路中其損耗與頻率的曲線關(guān)系查手冊如圖5所示。

        圖5 電容串聯(lián)運(yùn)用插入損耗

        為了進(jìn)一步確認(rèn)此優(yōu)化電路對機(jī)械開關(guān)電路性能的影響,利用HFSS仿真軟件建立對應(yīng)的仿真模型(如圖6所示)。通過仿真結(jié)果數(shù)據(jù)比對,可以看出由金絲繞線電感帶來的損耗約0.075~0.13 dB(見圖7)。

        圖6 射頻電路優(yōu)化設(shè)計(jì)仿真模型圖

        圖7 繞線電感仿真模型及結(jié)果對比

        3.2 數(shù)字電路的軟件設(shè)計(jì)

        數(shù)字電路主要實(shí)現(xiàn)以下2種工作狀態(tài):電路通電工作瞬態(tài)和輸入指令切換瞬態(tài)。

        在電路通電工作瞬態(tài)中,首先是由單片機(jī)發(fā)送工作指令給比較電路的電源開關(guān),通過比較電路檢測當(dāng)前機(jī)械開關(guān)通斷路阻抗情況回饋給單片機(jī),最后單片機(jī)通過查詢真值表輸出BIT信號機(jī)械開關(guān)的性能狀態(tài)[2]。

        在輸入指令切換工作狀態(tài)中,首先是單片機(jī)將接收到的輸入指令下發(fā)到機(jī)械開關(guān)控制驅(qū)動電路,并計(jì)時(shí)15 ms不再接收輸入指令,機(jī)械開關(guān)同時(shí)相應(yīng)切換工作狀態(tài),阻抗檢測電路檢測當(dāng)前機(jī)械開關(guān)通斷路阻抗情況回饋給單片機(jī),最后單片機(jī)通過查詢真值表輸出BIT信號表明機(jī)械開關(guān)的工作狀態(tài)。2種工作方式流程圖如圖8所示。

        圖8 控制工作流程圖

        3.3 數(shù)字電路的硬件設(shè)計(jì)

        圖9所示為數(shù)字電路硬件設(shè)計(jì)原理圖,預(yù)置單片機(jī)在電源上電后輸出控制信號給+5 V電源控制三極管,使之驅(qū)動比較器A、比較器B工作。比較器的參考電壓通過調(diào)節(jié)分壓電阻R1、R2的阻值設(shè)置為V0,然后通過調(diào)節(jié)分壓電阻R3、R4的阻值設(shè)置為VA(V0,比較器輸出“1”。單片機(jī)通過此時(shí)比較器的輸出信號比對真值表輸出BIT信號“1”,表示機(jī)械開關(guān)工作正常。

        當(dāng)上電流程完成后,TTL控制信號發(fā)生變化,導(dǎo)通NO-C支路(表1狀態(tài)b),單片機(jī)輸出控制信號到+12 V電源控制三極管,使機(jī)械開關(guān)工作狀態(tài)切換,并同時(shí)計(jì)數(shù)15 ms,不響應(yīng)TTL控制信號的變化。比較器A、B判斷當(dāng)前開關(guān)兩通道接觸電阻情況輸出信號,單片機(jī)比對真值表,其過程同理NC-C工作狀態(tài)。

        當(dāng)機(jī)械開關(guān)發(fā)生故障,閉合不到位,即兩通道均處于開路狀態(tài)(表1狀態(tài)c、e)時(shí),比較器A、B檢測電壓為+5 V,全部輸出信號“1”,單片機(jī)比對真值表判斷機(jī)械開關(guān)工作故障,輸出BIT信號“0”告警;當(dāng)機(jī)械開關(guān)彈性失效或者磁力失效時(shí),兩通道工作狀態(tài)與邏輯相反(表1狀態(tài)d、f),單片機(jī)輸出BIT信號“0”告警。

        圖9 數(shù)字電路原理框圖

        4 實(shí)物功能測試

        基于上述優(yōu)化電路的設(shè)計(jì)情況,利用機(jī)械開關(guān)裝配實(shí)物進(jìn)一步驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案的合理性,其裝配實(shí)物如圖10所示,測試結(jié)果如圖11所示,可以看出機(jī)械開關(guān)的增益曲線(圖11(b))與未加檢測電路的原增益曲線(圖11(a))對比,插入損耗增加約0.16 dB。

        圖11 原插損和增加檢測電路插損

        此外,針對機(jī)械開關(guān)輸入控制信號時(shí)間保護(hù)功能,做如下測試,其測試結(jié)果如圖12所示,測試步驟如下:首先用示波器通道1探頭測量輸入控制時(shí)序(黃色),通道2探頭測量單片機(jī)輸出控制時(shí)序(綠色);其次,比對探頭2曲線相鄰上升沿和下降沿差值,從圖中可以看出,機(jī)械開關(guān)控制信號保護(hù)時(shí)間約15.7 ms,滿足機(jī)械開關(guān)使用要求。

        圖12 開關(guān)切換保護(hù)實(shí)測圖

        5 結(jié)束語

        本文提出了一種射頻機(jī)械開關(guān)的使用優(yōu)化設(shè)計(jì)方案。在設(shè)計(jì)過程中,分別從理論分析、軟件仿真及實(shí)物測試展開論證。從實(shí)測結(jié)果可以看出,此項(xiàng)優(yōu)化設(shè)計(jì)可以直觀檢測機(jī)械開關(guān)的工作狀態(tài),很好地避免機(jī)械開關(guān)出現(xiàn)故障時(shí)引入工作狀態(tài)的系統(tǒng)誤差。此優(yōu)化設(shè)計(jì)可為類似開關(guān)的故障分析拓寬思路,也能為機(jī)械開關(guān)的可靠性設(shè)計(jì)提供保障。

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