本報訊 7月6日，三星電子宣布，三星高級技術(shù)學(xué)院（SAIT）的研究人員與蔚山國家科學(xué)技術(shù)學(xué)院（UNIST）、劍橋大學(xué)兩家高校合作，發(fā)現(xiàn)了一種名為非晶態(tài)氮化硼（ a-BN）的新材料，此項研究可能加速下一代半導(dǎo)體材料的問世。

三星指出，最近，SAIT 一直在研究二維（2D）材料——具有單原子層的晶體材料的研究和開發(fā)。具體而言，該研究所一直致力于石墨烯的研究和開發(fā)，并在該領(lǐng)域取得了突破性的研究成果，例如開發(fā)新的石墨烯晶體管以及生產(chǎn)大面積單晶晶片的新方法。除了研究和開發(fā)石墨烯外，SAIT還致力于加速材料的商業(yè)化。

“為了增強(qiáng)石墨烯與硅基半導(dǎo)體工藝的兼容性，半導(dǎo)體襯底上的晶圓級石墨烯生長應(yīng)在低于400℃的溫度下進(jìn)行?！盨AIT的石墨烯項目負(fù)責(zé)人兼首席研究員ShinHyeon-Jin Shin表示，“我們還在不斷努力，將石墨烯的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到半導(dǎo)體以外的領(lǐng)域?！?/p>

據(jù)稱，新發(fā)現(xiàn)的材料被稱為非晶氮化硼（ a-BN），由具有非晶分子結(jié)構(gòu)的硼和氮原子組成。盡管非晶態(tài)氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六邊形結(jié)構(gòu)排列的硼和氮原子，但實際上a-BN的分子結(jié)構(gòu)使其與白色石墨烯具有獨特的區(qū)別。

非晶氮化硼具有超低介電常數(shù)，僅178，具有強(qiáng)大的電氣和機(jī)械性能，可以用作互連隔離材料，以最大程度地減少電干擾。同時也證明了該材料可以在400℃的低溫下以晶圓級生長。因此，預(yù)計非晶氮化硼將廣泛應(yīng)用于諸如DRAM和NAND解決方案等半導(dǎo)體，尤其是在用于大型服務(wù)器的下一代存儲器解決方案中。