呂 寧,過惠平,尚愛國,周 城,呂金旭,趙 括,魏志浩,呂汶輝,劉 洋,李大吉,王 凱
(1.火箭軍工程大學(xué),西安 710025; 2.中國人民解放軍96942部隊(duì),北京 102200; 3.中國人民解放軍92609 部隊(duì),北京 100077; 4.西安冠能中子探測(cè)技術(shù)有限公司,西安 710123; 5.中國人民解放軍96605 部隊(duì),沈陽 110000; 6.中國人民解放軍96035 部隊(duì),吉林 通化 134000)
民用、軍用核設(shè)施內(nèi)部及周圍安放有大量的固定式中子劑量儀器,用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)工作環(huán)境中子輻射水平[1]。根據(jù)《中華人民共和國強(qiáng)制檢定的工作計(jì)量器具檢定管理辦法》和《中華人民共和國國家計(jì)量檢定規(guī)程:中子周圍劑量當(dāng)量(率)儀》(JJG 852—2006)等規(guī)定,中子劑量儀器定期標(biāo)校時(shí)間應(yīng)不超過12個(gè)月;按照“計(jì)量檢定規(guī)程”進(jìn)行中子劑量儀器標(biāo)校的目的是獲取儀器“校準(zhǔn)系數(shù)”這一重要指標(biāo)。
通常,中子劑量儀器校準(zhǔn)在國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量檢定中心進(jìn)行,但這些固定式中子探頭數(shù)量多,處于分布式實(shí)時(shí)監(jiān)控狀態(tài),將探頭頻繁拆卸移至標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室運(yùn)輸量較大、運(yùn)輸過程中會(huì)增加儀器出現(xiàn)故障的概率;更重要的是,探頭外送檢定使核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)輻射環(huán)境處于“失管”狀態(tài),影響了監(jiān)測(cè)測(cè)數(shù)據(jù)記錄的連續(xù)性。
本文探索了一種針對(duì)固定式中子劑量儀器進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)校的方法,無須拆卸探頭,在中子探頭在線監(jiān)測(cè)的狀態(tài)下進(jìn)行標(biāo)校。該方法以國家計(jì)量檢定規(guī)程為基礎(chǔ),依據(jù)“相對(duì)標(biāo)校法”原理,采用中子管在標(biāo)?,F(xiàn)場(chǎng)構(gòu)建輻射場(chǎng);通過待校準(zhǔn)儀器與參考儀器的響應(yīng)比對(duì),初步得到待校準(zhǔn)儀器的“校準(zhǔn)系數(shù)”;再對(duì)其進(jìn)行能量修正,包括儀器能量響應(yīng)修正、注量-劑量轉(zhuǎn)換因子修正。
固定式中子劑量儀器的現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)校,首先需要依托現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)校系統(tǒng)完成固定式中子劑量儀器的線性范圍測(cè)試及校準(zhǔn)系數(shù)獲??;然后依據(jù)核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)中子能譜的特點(diǎn)對(duì)校準(zhǔn)系數(shù)進(jìn)行能量修正。
1.1.1儀器設(shè)備
依據(jù)“相對(duì)標(biāo)校法”原理,待校準(zhǔn)中子劑量儀器的線性范圍測(cè)試及校準(zhǔn)系數(shù)獲取,需要在高于環(huán)境本底的中子輻射場(chǎng)內(nèi),在相同的測(cè)試條件下,通過與參考儀器進(jìn)行響應(yīng)比對(duì)來實(shí)現(xiàn)。
(1)小型可控中子源
使用小型可控中子源在核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)構(gòu)建高于環(huán)境本底的中子輻射場(chǎng)。小型可控中子源包括GN40型氘氘(DD)中子管和與之配套的驅(qū)動(dòng)盒、陽極電源箱、高壓控制箱、離子源控制箱。相對(duì)于同位素中子源,小型可控中子源在中子管不加電時(shí),沒有中子輻射產(chǎn)生,避免了同位素中子源在攜帶、移動(dòng)、保管過程中對(duì)人員、環(huán)境的輻射危害,減少了從事電離輻射計(jì)量工作的受照劑量。
通過調(diào)節(jié)中子管的靶壓與陽流控制GN40型DD中子管出射中子束流的大小,在一定距離下,可產(chǎn)生中子周圍劑量當(dāng)量率范圍為10 nSv·h-1~40 μSv·h-1的線性可控中子輻射場(chǎng),跨4個(gè)數(shù)量級(jí),能夠覆蓋一般核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)中子周圍劑量當(dāng)量率水平。經(jīng)實(shí)際測(cè)定,以中子管為中心、軸向向前為0°的各角度出射中子注量率水平如圖1所示,中子管±30°范圍內(nèi)出射中子注量率與0°相比,偏差在0.8%以內(nèi),對(duì)稱性好。這是GN40型DD中子管及配套設(shè)備可用作現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)校激勵(lì)源的前提和保證。
圖1 中子管出射中子注量率角分布
(2)參考儀器
首選與核設(shè)施內(nèi)部或周圍布放的固定式中子劑量儀器同類型的儀器——如HANM型高靈敏度中子監(jiān)測(cè)儀,按照國家計(jì)量檢定規(guī)程檢定合格,作為現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)校比對(duì)用的參考儀器[2-3]。
參考儀器在中國原子能科學(xué)研究院電離輻射國防一級(jí)計(jì)量站進(jìn)行校準(zhǔn)。Cf-252中子源活度為1.46×107/s,分別在距源100 cm、130 cm、160 cm處測(cè)量周圍劑量當(dāng)量率值MA1,使用影錐扣除散射MA2后,與該標(biāo)準(zhǔn)輻射場(chǎng)的約定真值H*(10)相比,按照公式(1)得到每一距離下的校準(zhǔn)系數(shù):
(1)
對(duì)3個(gè)距離下的校準(zhǔn)系數(shù)取平均:
(2)
得到參考儀器的劑量校準(zhǔn)系數(shù)NA為1.143。
1.1.2方法及試驗(yàn)
在校準(zhǔn)現(xiàn)場(chǎng),將待校準(zhǔn)儀器與參考儀器(同為HANM型)呈空間幾何對(duì)稱置于中子管出射軸線方向兩側(cè),中子管距離兩臺(tái)儀器1.5 m左右;兩臺(tái)儀器距離盡可能接近,分別與中子管軸線夾角小于30°,以減小角響應(yīng)差異,如圖2所示。待標(biāo)校儀器與參考儀器的響應(yīng)示數(shù)由攝像頭傳回控制間;標(biāo)?,F(xiàn)場(chǎng)與控制間的儀器通過長線相連接。
幾何對(duì)稱的空間擺放保證了參考儀器與待校準(zhǔn)儀器處于相同能譜的中子輻射場(chǎng)內(nèi);同類型儀器保證了能量響應(yīng)曲線的一致性。待校準(zhǔn)儀器的校準(zhǔn)系數(shù)NB為:
圖2 中子劑量儀器現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)校系統(tǒng)框圖
(3)
式中,中子管出射中子時(shí),MA為參考儀器的劑量率響應(yīng)示數(shù);MB為待校準(zhǔn)儀器的劑量率響應(yīng)示數(shù);NA為參考儀器在國家一級(jí)計(jì)量站標(biāo)準(zhǔn)輻射場(chǎng)內(nèi)校準(zhǔn)獲得的校準(zhǔn)系數(shù)。其中,MA/MB反映的是由于中子探測(cè)器中工作氣體氣壓不同、后續(xù)核電子學(xué)電路死時(shí)間、閾值等差異導(dǎo)致的探測(cè)效率不同,是探測(cè)裝置本身的物理屬性,與所測(cè)量輻射場(chǎng)的中子能量分布無關(guān)。由于NA為劑量校準(zhǔn)系數(shù),則NB亦為劑量校準(zhǔn)系數(shù),但需注意,傳遞給NB的是對(duì)參考儀器校準(zhǔn)時(shí)所在的國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量檢定中心參考輻射場(chǎng)中子能譜響應(yīng)特征。
試驗(yàn)中,通過調(diào)節(jié)中子管的靶壓與陽流,產(chǎn)生跨4個(gè)數(shù)量級(jí)周圍劑量當(dāng)量的中子輻射場(chǎng)。對(duì)比待校準(zhǔn)儀器與參考儀器的劑量率響應(yīng),實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖3所示。
圖3 參考儀器與待校準(zhǔn)儀器示數(shù)比對(duì)
由圖3可知:R2為0.9998,說明待校準(zhǔn)儀器的線性范圍能夠很好地跟隨參考儀器,并保持一致,能夠滿足需要;MA/MB=0.749,代入(3),得到待校準(zhǔn)儀器的劑量校準(zhǔn)系數(shù)為:
NB=1.143 ×0.749 =0.856
(4)
由于待校準(zhǔn)儀器所獲得的劑量校準(zhǔn)系數(shù)NB是通過參考儀器傳遞的國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量檢定中心參考輻射場(chǎng)中子能譜響應(yīng)特征,為了完成校準(zhǔn)系數(shù)從國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量檢定中心到核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)的傳遞,使其能夠準(zhǔn)確響應(yīng)核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)的中子能譜特征,需要對(duì)校準(zhǔn)系數(shù)NB進(jìn)行能量修正。
1.2.1原理
中子探測(cè)器的能量響應(yīng)函數(shù)不平坦,中子監(jiān)測(cè)儀器的計(jì)數(shù)率響應(yīng)與中子能注量分布,即中子能譜有關(guān);另外,中子注量向周圍劑量當(dāng)量的轉(zhuǎn)換系數(shù)也強(qiáng)烈依賴于中子能量。對(duì)于以周圍劑量當(dāng)量為輸出單位的中子監(jiān)測(cè)儀器來說,待測(cè)輻射場(chǎng)的中子能譜差異將通過探測(cè)器的能量響應(yīng)、中子注量向周圍劑量當(dāng)量轉(zhuǎn)換兩個(gè)因素影響測(cè)量結(jié)果。因此,針對(duì)輻射場(chǎng)轉(zhuǎn)換、中子能譜改變所進(jìn)行的儀器校準(zhǔn)系數(shù)傳遞,也必須從探測(cè)器能量響應(yīng)、中子注量向周圍劑量當(dāng)量轉(zhuǎn)換兩個(gè)方面加以修正。
首先應(yīng)該獲取中子監(jiān)測(cè)儀器的能量響應(yīng)函數(shù),在已知儀器結(jié)構(gòu)的前提下,可通過蒙特卡羅模擬方法獲取;條件允許的情況下,可以在單能中子線束上加以實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。以HANM型高靈敏度中子監(jiān)測(cè)儀為例,中子探測(cè)器為直徑50 mm、有效長度310 mm的三氟化硼(BF3)正比計(jì)數(shù)管;慢化體為65 mm厚的圓柱體聚乙烯。中子能量在1.0×10-9MeV至1.0×10-1MeV之間,每個(gè)數(shù)量級(jí)選取一個(gè)中子能量點(diǎn);1.0 MeV至16MeV之間,每間隔1 MeV選取一個(gè)中子能量點(diǎn),運(yùn)用Geant4 軟件模擬中子經(jīng)聚乙烯慢化、與中子探測(cè)器相互作用的物理過程。模擬結(jié)果經(jīng)擬合,得到HANM型中子監(jiān)測(cè)儀的注量率響應(yīng)曲線ε(E),如圖4所示。
圖4 HANM型中子監(jiān)測(cè)儀注量率響應(yīng)曲線
HANM型中子監(jiān)測(cè)儀的計(jì)數(shù)率:
(5)
式中,R(E)表示中子監(jiān)測(cè)儀的計(jì)數(shù)率, s-1;φ(E)表示輻射場(chǎng)中各能量段中子注量率, cm-2·s-1;ε(E)表示中子監(jiān)測(cè)儀的注量率響應(yīng),cm2;φT(E)表示輻射場(chǎng)中全能量段中子注量率,cm-2·s-1。
(6)
則計(jì)數(shù)率可表達(dá)為:
(7)
儀器顯示的實(shí)用量——周圍劑量當(dāng)量率可由中子注量率轉(zhuǎn)換得來,中子注量-周圍劑量當(dāng)量轉(zhuǎn)換系數(shù)hΦ如圖5所示[4]。
圖5 中子注量-周圍劑量當(dāng)量轉(zhuǎn)換系數(shù)曲線
儀器所顯示的中子周圍劑量當(dāng)量率:
(8)
式中,H*(10)表示中子劑量監(jiān)測(cè)儀所測(cè)得的的周圍劑量當(dāng)量率,pSv·s-1;hΦ(E)表示中子注量-周圍劑量當(dāng)量轉(zhuǎn)換系數(shù),pSv·cm2。
(9)
則儀器所顯示的中子周圍劑量當(dāng)量率可表達(dá)為:
(10)
由(7)和(10)式,可得中子周圍劑量當(dāng)量率與儀器計(jì)數(shù)率之間的關(guān)系:
(11)
定義儀器計(jì)數(shù)率向中子周圍劑量當(dāng)量率的轉(zhuǎn)換因子為k:
(12)
k與中子能譜ΦE、響應(yīng)曲線ε(E)、中子注量-周圍劑量當(dāng)量轉(zhuǎn)換系數(shù)hΦ三者有關(guān),其中,中子能譜ΦE起決定性作用。
將劑量校準(zhǔn)系數(shù)NB裝訂到待校準(zhǔn)儀器中,置于核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行環(huán)境中子劑量監(jiān)測(cè),能準(zhǔn)確反應(yīng)輻射場(chǎng)中子劑量水平的前提是:核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)具有與國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量檢定中心參考輻射場(chǎng)相同的中子能譜,但這幾乎不可能。輻射場(chǎng)中子能譜的差異將導(dǎo)致裝訂有NB的待校準(zhǔn)儀器不能夠準(zhǔn)確反映核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)的中子劑量水平,需要對(duì)NB進(jìn)行進(jìn)一步的修正。
首先將待校準(zhǔn)儀器的劑量校準(zhǔn)系數(shù)NB除以kA進(jìn)行能量解耦,得到待校準(zhǔn)儀器的本征計(jì)數(shù)校準(zhǔn)系數(shù)(NB/kA),再乘以核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)中子能譜作用下的計(jì)數(shù)率向中子周圍劑量當(dāng)量率轉(zhuǎn)換因子kB,得到中子劑量儀器的現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)校系數(shù)NB′,如(13)式所示:
(13)
其物理意義是:核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)中子劑量儀器標(biāo)校過程中的輻射場(chǎng)中子能譜影響因素向國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量檢定中心參考輻射場(chǎng)中子能譜影響因素的“歸一化”。為了進(jìn)一步概括校準(zhǔn)系數(shù)的修正因素,在公式(13)中,定義kε為待校準(zhǔn)儀器的能量響應(yīng)修正因子:
(14)
定義kΦ為待校準(zhǔn)儀器的中子注量-周圍劑量當(dāng)量轉(zhuǎn)換修正因子:
(15)
可見:對(duì)待校準(zhǔn)儀器的劑量校準(zhǔn)系數(shù)NB的能量修正因子包括儀器的能量響應(yīng)修正因子和中子注量-周圍劑量當(dāng)量轉(zhuǎn)換因子。
1.2.2試驗(yàn)
由于傳遞校準(zhǔn)系數(shù)的參考儀器是在電離輻射國家一級(jí)計(jì)量站Cf-252標(biāo)準(zhǔn)輻射場(chǎng)完成校準(zhǔn)的,因此,可直接采用國標(biāo)推薦的Cf-252標(biāo)準(zhǔn)輻射場(chǎng)中子注量-周圍劑量當(dāng)量平均轉(zhuǎn)換系數(shù)[5]:
(16)
使用國標(biāo)推薦的Cf-252能譜數(shù)據(jù)與圖4所示的HANM型中子監(jiān)測(cè)儀注量率響應(yīng)曲線,依據(jù)(6)式算得儀器的平均能量響應(yīng)因子:
(17)
以Am-Be同位素中子源出射中子輻射場(chǎng)模擬核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)中子輻射場(chǎng),Am-Be中子源產(chǎn)額為104·s-1量級(jí)。使用德國FST SENSORTECHNIK公司的REM500型多球中子譜儀測(cè)量Am-Be中子源輻射場(chǎng)能譜,該套多球中子譜儀采用英國Centronic 公司SP9型球形3He 正比計(jì)數(shù)器作為熱中子探測(cè)器,聚乙烯慢化球直徑從7.62 cm至30.48 cm不等,經(jīng)德國標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量機(jī)構(gòu)PTB校準(zhǔn)后投入使用。測(cè)得的全能段中子能譜,如圖6所示[6]。
依據(jù)(9)式算得中子注量向周圍劑量當(dāng)量的平均轉(zhuǎn)換系數(shù)為:
(18)
使用圖6 現(xiàn)場(chǎng)中子源能譜與圖4 所示的HANM型中子監(jiān)測(cè)儀注量率響應(yīng)曲線,依據(jù)(6)式算得儀器能量響應(yīng)平均因子:
(19)
將(16)~(19)式結(jié)果代入(13)式,得到待校準(zhǔn)儀器修正后的校準(zhǔn)系數(shù):
(20)
圖6 現(xiàn)場(chǎng)中子源能譜
待校準(zhǔn)儀器測(cè)得Am-Be中子源輻射場(chǎng)中某點(diǎn)處的周圍劑量當(dāng)量率為12.306 μSv·h-1;使用修正后的校準(zhǔn)系數(shù)NB′對(duì)待校準(zhǔn)儀器的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行校準(zhǔn),得到該點(diǎn)處的中子周圍劑量當(dāng)量率為:
12.306 ×NB′=12.306 ×0.714=8.786 μSv·h-1
(21)
使用前文所述REM500型多球中子譜儀測(cè)量該點(diǎn)處的中子周圍劑量當(dāng)量率,結(jié)果為9.002 μSv·h-1。校準(zhǔn)結(jié)果與之相比,相對(duì)偏差為-2.4%。
若使用未加以能量修正的校準(zhǔn)系數(shù)NB對(duì)待校準(zhǔn)儀器的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行校準(zhǔn),得到該點(diǎn)處的中子周圍劑量當(dāng)量率為:
12.306×NB=12.306 ×0.856=10.534 μSv·h-1
(22)
與多球中子譜儀測(cè)算結(jié)果相比,相對(duì)偏差為17.0%。
由文獻(xiàn)[1]可知,以核電站為代表的常見核設(shè)施環(huán)境中子能量范圍為熱中子~10 MeV,與試驗(yàn)中Am-Be中子源輻射場(chǎng)的中子能量范圍一致,尤其是快中子部分,這也就是工程上常使用Am-Be中子源來模擬核設(shè)施環(huán)境中子輻射場(chǎng)的原因。同樣依據(jù)文獻(xiàn)[1],核電站典型點(diǎn)位中子周圍劑量當(dāng)量主要來源于100 keV~10 MeV能量段中子的貢獻(xiàn),因此可以認(rèn)為這一能量段也是固定式中子劑量儀器校準(zhǔn)時(shí)主要的誤差貢獻(xiàn)段。將文獻(xiàn)[1]中典型點(diǎn)位的中子能譜與本文圖6相比較,發(fā)現(xiàn)本文試驗(yàn)中Am-Be中子源輻射場(chǎng)100 keV~10 MeV能量段中子注量的份額要遠(yuǎn)高于核電站典型點(diǎn)位,因此可以斷定:將本文的校準(zhǔn)系數(shù)修正方法應(yīng)用于核電站等常見核設(shè)施中固定式中子劑量儀器校準(zhǔn)工作中,相對(duì)偏差的絕對(duì)值不會(huì)高于2.4%。
本文探索了一種針對(duì)核設(shè)施中布設(shè)的固定式中子劑量儀器進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)校的方法,無須拆卸探頭,在中子探頭在線監(jiān)測(cè)的狀態(tài)下即可完成標(biāo)校。
該方法采用小型可控中子源——中子管在標(biāo)?,F(xiàn)場(chǎng)構(gòu)建中子周圍劑量當(dāng)量率范圍為10 nSv·h-1~40 μSv·h-1的線性可控中子輻射場(chǎng),跨4個(gè)數(shù)量級(jí),滿足通常條件下環(huán)境監(jiān)測(cè)級(jí)中子劑量儀器的動(dòng)態(tài)響應(yīng)范圍。
固定式中子劑量儀器現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)校的過程可歸納為:首先,選擇一臺(tái)與核設(shè)施中固定式中子劑量儀器同類型的中子劑量儀器,經(jīng)國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量檢定中心參考輻射場(chǎng)校準(zhǔn)后,作為后續(xù)現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)校的參考儀器,其劑量校準(zhǔn)系數(shù)為NA;其次,在核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng),在對(duì)稱的幾何空間條件下,得到參考儀器與待校準(zhǔn)儀器對(duì)中子管出射中子的響應(yīng)之比MA/MB,連同NA得到NB;最后,為了完成參考儀器的周圍劑量當(dāng)量校準(zhǔn)系數(shù)從國家計(jì)量檢定中心(如Cf-252標(biāo)準(zhǔn)輻射場(chǎng))到核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)的傳遞,必須針對(duì)核設(shè)施現(xiàn)場(chǎng)特定的中子輻射場(chǎng),對(duì)校準(zhǔn)系數(shù)NB進(jìn)行能量響應(yīng)修正,得到修正后的校準(zhǔn)系數(shù)NB′,其中,能量修正因子包括:(1)儀器能量響應(yīng)修正因子kε;(2)中子注量向中子周圍劑量當(dāng)量轉(zhuǎn)換的修正因子kΦ。
試驗(yàn)證明,使用未經(jīng)修正的校準(zhǔn)系數(shù)NB對(duì)待校準(zhǔn)儀器的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行校準(zhǔn),周圍劑量當(dāng)量率相對(duì)REM500型多球中子譜儀測(cè)量該點(diǎn)處的中子周圍劑量當(dāng)量率偏差為17.0%;使用修正后的校準(zhǔn)系數(shù)NB′對(duì)待校準(zhǔn)儀器的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行校準(zhǔn),相對(duì)偏差為-2.4%,將本文的校準(zhǔn)系數(shù)修正方法應(yīng)用于核電站等常見核設(shè)施中固定式中子劑量儀器校準(zhǔn)工作中,相對(duì)偏差不會(huì)超過該水平??梢?,對(duì)中子周圍劑量當(dāng)量率測(cè)量儀器的現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)校中,進(jìn)行能量修正是必要的。