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        高速存儲的彈載數(shù)據(jù)采集設(shè)備設(shè)計

        2020-07-07 01:00:04原景超張啟威常鑫釗
        兵器裝備工程學(xué)報 2020年6期
        關(guān)鍵詞:斷電電路圖電路設(shè)計

        郭 濤,石 帥,原景超,張啟威,常鑫釗

        (中北大學(xué) 電子測試技術(shù)國家重點實驗室, 太原 030051)

        我國航天技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲一直在其中扮演著重要的角色。隨著數(shù)字電子技術(shù)、計算機技術(shù)等相關(guān)科技的高速發(fā)展,大量、高速信息已經(jīng)越來越出現(xiàn)在人們的日常生活當(dāng)中,使得對數(shù)據(jù)的存儲提出了更高的要求[1]。

        彈上傳感器數(shù)據(jù)存儲的準(zhǔn)確性是影響其精度的主要因素之一。為了解決這一難題,本文設(shè)計的存儲設(shè)備實現(xiàn)對傳感器模擬信號的采集、處理,采用FPAG作為USB和FLASH的控制中心。模擬信號的采集采用AD7091R,通過FPGA存儲至FLASH中,F(xiàn)LASH采用斷電續(xù)存技術(shù),使得傳感器即使突然斷電而不丟失數(shù)據(jù),USB負責(zé)將存儲的數(shù)據(jù)上傳至上位機,實現(xiàn)對數(shù)據(jù)的分析和處理[2]。設(shè)備設(shè)計遵循小型化、標(biāo)準(zhǔn)化,并且能夠承受外界沖擊較大的載荷,同時實現(xiàn)數(shù)據(jù)高速存儲[3]。設(shè)備通過鋰電池供電,使得設(shè)備能夠獨立工作。

        1 總體方案設(shè)計

        設(shè)備主要實現(xiàn)即使面對突發(fā)情況,傳感器數(shù)據(jù)仍能準(zhǔn)確無誤地存儲到設(shè)備中。綜合考慮各種因素,將設(shè)備做成圓柱體形狀,底面圓半徑為50 mm,高為60 mm。由于外形尺寸的原因,內(nèi)部電路板必須小于外形,F(xiàn)PGA采用較小的BGA封裝,AD7091R采用MSOP-10小型封裝,升壓芯片考慮到鋰電池的供電以及封裝等問題采用TPS63002。由于FPGA供電有1.2 V和3.3 V,而且整個設(shè)備所用的電源也是3.3 V居多,采用TPS70345電源轉(zhuǎn)換芯片。

        調(diào)理電路主要實現(xiàn)信號的跟隨、分壓、跟隨,采用封裝較小的AD823。每次上電設(shè)備采集2 h,而AD7901R每200 μs采集1次,2 h的數(shù)據(jù)量為411.987 M,F(xiàn)LASH采用4G的三星公司NAND型FLASH—K9WBG08U1M芯片[4]。設(shè)備總體設(shè)計原理如圖1所示。

        圖1 設(shè)備總體設(shè)計原理框圖

        2 硬件電路設(shè)計設(shè)計

        1) 供電電路設(shè)計

        系統(tǒng)由供電鋰電池和USB供電,雙模式供電可以提高設(shè)備的可靠性,在數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程中不會因為鋰電池出現(xiàn)問題而影響數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性[5]。

        D1和D2用來控制L5V和USB5V其中一個供電,當(dāng)一個二極管接通后,另外一個就相當(dāng)于斷開,同時也防止后續(xù)電壓倒灌。如圖2所示。電壓通過二極管之后低于5 V,不能正常為電路板供電,因此再通過升壓應(yīng)芯片將電壓升到5 V,具體如圖3所示。隨后5 V通過TPS70345芯片轉(zhuǎn)換成3.3 V和1.2 V,為FPGA和其他電路提供電源。

        圖2 隔離電路圖

        圖3 升壓電路圖

        2) USB接口電路設(shè)計

        USB不僅作為數(shù)據(jù)上傳上位機的關(guān)鍵接口,同時也是為電路板供電的重要電源??紤]到數(shù)據(jù)量和實際要求,芯片選用FT232H[6],該串口的傳輸速度可以達到480 Mb/s。采用USB接口上傳數(shù)據(jù)節(jié)省了電纜,并且更加便利,使整個設(shè)備的通用性增強。USB供電同時也節(jié)約了資源,其中C40和C41為USB5V過濾其他電壓,使電路板的供電更加穩(wěn)定。USB具體電路圖如圖4。

        圖4 USB硬件電路圖

        3) A/D采集調(diào)理電路設(shè)計

        A/D使用1 Mbps、超低功耗、12位采樣率的AD7091R,采集和轉(zhuǎn)換過程主要利用CONVST控制,完成轉(zhuǎn)換需要650 ns。使用外部基準(zhǔn)電壓源時,AD7091R從省電模式上電需要100 μs,A/D轉(zhuǎn)換整個過程需要250 μs[7]。具體電路如圖5所示。傳感器模擬信號電壓高于A/D轉(zhuǎn)換芯片的工作電壓,在進入A/D轉(zhuǎn)換之前,需要調(diào)理。模擬信號的調(diào)理應(yīng)用AD823實現(xiàn)電壓的跟隨、分壓、跟隨,使得信號更加準(zhǔn)確。調(diào)理電路如圖6所示。

        3 關(guān)鍵技術(shù)

        3.1 斷電續(xù)存技術(shù)

        斷電續(xù)存技術(shù)是指在傳感器存儲設(shè)備上電后開始采集數(shù)據(jù)和存儲數(shù)據(jù)過程中,如果遇到突發(fā)情況設(shè)備突然斷電,重啟后再次上電,設(shè)備可以從上次采集數(shù)據(jù)結(jié)束的地方再次進行數(shù)據(jù)存儲,這樣使得設(shè)備的可靠性更高,令設(shè)備可以在更加復(fù)雜的環(huán)境中使用。存儲的過程中采用interleave two-plane page program的操作方式[8],使得存儲速度可以匹配A/D采集的速率。

        圖5 AD7091R采集電路圖

        圖6 調(diào)理電路圖

        根據(jù)FLASH制備的特質(zhì),每一個FLASH斷電在斷點出會出現(xiàn)一組FF塊,只需存儲過程中再次檢測到這個FF塊,之后以這個FF塊為開始存儲的地址繼續(xù)存儲數(shù)據(jù)就能夠?qū)崿F(xiàn)斷電續(xù)存的功能,這樣可以確保傳感器數(shù)據(jù)的完整性。其中檢測FF塊流程如7所示。

        先寫入chip1的plane0的block0的第0頁,接著再寫入chip1的plane1的block1的第0頁,當(dāng)再一次回到chip1的plane0時,已經(jīng)過了25 ns×4 096×7=716.8 μs,大于tPROG的最大值700 μs,所以不會影響到再一次操作chip1的plane0的block0。這種方式避免了編程時間tPROG對存儲速度的影響,理論上可以達到40 MB/s的寫入速度,足以滿足A/D采集的速度。

        3.2 A/D控制邏輯

        設(shè)備上電由FPGA控制,F(xiàn)PGA根據(jù)傳感器的工作情況進行供電。設(shè)備上電之后,首先啟動AD7091R進行A/D轉(zhuǎn)換。CONVST從高電平變成低電平后,開始啟動A/D轉(zhuǎn)換。數(shù)據(jù)在SCLK和CS的控制下輸出器件。DB10到DB0是根據(jù)SCLK的下降沿輸出數(shù)據(jù),在完成最后一個數(shù)據(jù)輸出之后,SDO返回高阻態(tài)。全部數(shù)據(jù)輸出之后,SCLK為空閑低電平,確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性,整個過程需要650 ns。具體邏輯如圖8所示。如果在進行轉(zhuǎn)換時,再將CONVST拉低,重復(fù)上述周期。

        圖7 斷電續(xù)存流程框圖

        4 測試結(jié)果

        設(shè)備上電后,開始采集傳感器信號,一段時間之后再斷電。斷電2 min之后再上電,分析采集回的數(shù)據(jù),通過判斷幀尾“EB90”和幀計數(shù),確定數(shù)據(jù)準(zhǔn)確無誤,數(shù)據(jù)如圖9所示。測試設(shè)備的存儲速度達到30.72 MB/s,實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的快速存儲和實時存儲。

        圖8 AD7091R邏輯示意圖

        圖9 采集的數(shù)據(jù)頁面

        5 結(jié)論

        設(shè)備實現(xiàn)了預(yù)期功能,解決了因斷電導(dǎo)致設(shè)備采集數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確的問題,而且設(shè)備存儲速度快,能夠?qū)崟r存儲數(shù)據(jù)。同時,設(shè)備的整體尺寸特別小,使整個設(shè)備更加小型化、集成化。設(shè)備可以應(yīng)用于采集時間長、存儲速度快、數(shù)據(jù)量大的傳感器采集系統(tǒng)上。

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