魏碧生
摘 要:介紹了一種用MOSFET導(dǎo)通電阻代替電流傳感器檢測(cè)功率變換器主開(kāi)關(guān)電流的技術(shù),該技術(shù)根據(jù)流過(guò)MOSFET開(kāi)關(guān)管的電流大小與其通態(tài)壓降成正比的原理,用檢測(cè)通態(tài)管壓降的方法檢測(cè)通態(tài)電流,分析了開(kāi)關(guān)管通態(tài)壓降的表現(xiàn)形式及電流波形重構(gòu)原理,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該技術(shù)具有實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)實(shí)用的特點(diǎn),值得推廣。
關(guān)鍵詞:電流檢測(cè);無(wú)刷電機(jī);電流波形重構(gòu);MOSFET
在功率變換器中,經(jīng)常要對(duì)流過(guò)主功率開(kāi)關(guān)器件的電流進(jìn)行檢測(cè),其目的主要有兩個(gè):第一,對(duì)功率變換器進(jìn)行過(guò)流保護(hù);第二,作為功率變換器控制器的電流反饋檢測(cè)量。通常的做法是在功率變換器的直流母線(xiàn)上安裝電流霍爾或電流互感器以提供電流反饋檢測(cè)量。由于流過(guò)主開(kāi)關(guān)器件的電流通常都較大,所采用的霍爾器件或電流互感器的額定參數(shù)也必須很大,不僅成本高、體積大、安裝不方便,且不便于實(shí)現(xiàn)功率變換器的高功率密度。文中介紹一種用半導(dǎo)體器件構(gòu)成的電流檢測(cè)電路,可以直接布置在功率變換器的控制器的印制板上,不僅成本低廉,體積小,安裝方便,而且性能良好,還可以同功率變換器固化在一起形成專(zhuān)用集成電路(ASIC)。
1 MOSFET電流檢測(cè)原理
MOSFET的通態(tài)電阻具有正的溫度系數(shù),有利于采樣多MOSFET管并聯(lián)。多只元件并聯(lián)工作時(shí),,MOSFET間可以自動(dòng)均流。當(dāng)MOSFET功率開(kāi)關(guān)流過(guò)通態(tài)電流時(shí),由于通態(tài)導(dǎo)通電阻的存在,在其導(dǎo)通溝道上有一定的壓降,又兇器件的導(dǎo)通溝道電阻基本穩(wěn)定,該壓降與器件的通態(tài)電流成正比。所以,檢測(cè)出主開(kāi)關(guān)器件的通態(tài)壓降¨以1也就足檢測(cè)流過(guò)器件的電流大小。傳統(tǒng)的方法是直接通過(guò)傳感器測(cè)量相電流,為確保系統(tǒng)安全,還需要過(guò)載保護(hù)和直流短路保護(hù),這樣又需要用一個(gè)傳感器測(cè)量直流母線(xiàn)電流。三相直流無(wú)刷電機(jī)用這種方法檢測(cè),需要4個(gè)電流傳感器,由此構(gòu)成的系統(tǒng)控制性能好,可以進(jìn)行電流閉環(huán)控制,轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)較小。缺點(diǎn)是成本高、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、裝置體積大,因此只用于對(duì)控制性能要求很高的場(chǎng)合。一種解決措施是把電流傳感器集成到功率開(kāi)關(guān)中,分別控制各相電流。這種方法把電流傳感器和電機(jī)分離,可以減小電機(jī)的體積。正常導(dǎo)通的時(shí)候可以準(zhǔn)確地檢測(cè)各相電流;換相的時(shí)候,電流通過(guò)續(xù)流二極管導(dǎo)通。因此,這種方法的缺陷是:只有功率開(kāi)關(guān)合上的時(shí)才能檢測(cè)到電流,而檢測(cè)不到通過(guò)續(xù)流二極管的電流。
2 無(wú)刷直流電機(jī)電流檢測(cè)方法
2.1 無(wú)刷直流電機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路的基本結(jié)構(gòu)
功率驅(qū)動(dòng)電路的基本結(jié)構(gòu),主要由MOSFET組成的三相逆變橋,直流母線(xiàn)兩端接蓄電池的正負(fù)極B+、B一,C,為4700pLF的電解電容,能吸收電感中儲(chǔ)存能量,C:為高頻無(wú)感電容,可對(duì)直流電壓進(jìn)行箝位,以抑制由于直流母線(xiàn)分布電感引起的器件兩端的尖峰電壓。圖中的U、V、w分別與三相無(wú)刷直流電機(jī)的定子繞組相連接。由于電機(jī)功率比較大,所以每一個(gè)橋臂都是多個(gè)MOSFET管并聯(lián)∞“J。
2.2 無(wú)刷直流電機(jī)電流檢測(cè)電路的實(shí)現(xiàn)
電路工作原理:LO為下橋MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào),當(dāng)LO為0V時(shí),下橋MOSFET管Q為關(guān)閉狀態(tài),D2右端V1信號(hào)點(diǎn)為二極管的管壓降0.5V,此時(shí),U1的正向輸入端為0.5V,負(fù)向輸入端電壓為10V,此時(shí)u1輸出為低電平,同時(shí),u2輸出也為低電平,LM339是集電極開(kāi)路輸出方式,同樣存在導(dǎo)通壓降V2的問(wèn)題,故將信號(hào)V01減去信號(hào)V02,消除LM339因?qū)▔航狄鸬臋z測(cè)誤差,起到消除輸入誤差的作用。
當(dāng)LO為12V時(shí),下橋MOSFET管Q為導(dǎo)通狀態(tài),D2右端n點(diǎn)信號(hào)為12V,此時(shí),U1的正向輸入端為12V,負(fù)向輸入端電壓為10V。U1輸出為高阻態(tài),VOI的電壓為Q內(nèi)阻上的壓降加上快恢復(fù)二極管D1的壓降,同時(shí),u2輸出也同樣為高阻態(tài),V02的電壓為二極管D3的壓降。通過(guò)運(yùn)放TLC2274組成的減法電路將信號(hào)V01減去信號(hào)V02,可得到Q內(nèi)阻上的壓降。
開(kāi)關(guān)管管壓降和電流檢測(cè)電路相關(guān)點(diǎn)的波形分析采用120。兩兩導(dǎo)通方式中,在電動(dòng)或制動(dòng)狀態(tài),總有一個(gè)下橋臂處于工作狀態(tài),故3個(gè)下橋臂的導(dǎo)通壓降之和約等于電機(jī)繞組的平均電流。
T1和T3是導(dǎo)通時(shí)刻,T2是MOSFET關(guān)斷時(shí)刻,DVl是導(dǎo)通時(shí)D3的管壓降,V2為L(zhǎng)M339的導(dǎo)通壓降。在電路中,u3起到是過(guò)流保護(hù)的功能,當(dāng)V01的電壓大于1.5V時(shí),U3的輸出為低電平,為過(guò)流信號(hào)。
例如,在采用6個(gè)IRFB4310并聯(lián)使用的無(wú)刷直流電機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路中采用以上電流檢測(cè)方法,該電流檢測(cè)電路的檢測(cè)誤差主要受并聯(lián)MOS—FET管動(dòng)態(tài)均流和工作溫度的影響。MOSFET的通態(tài)電阻具有正的溫度系數(shù),有利于動(dòng)態(tài)均流,但隨溫度的升高,其導(dǎo)通內(nèi)阻R。也升高,會(huì)造成電流檢測(cè)誤差。解決的方案:在電流檢測(cè)中,根據(jù)溫度信號(hào),對(duì)導(dǎo)通內(nèi)阻R。進(jìn)行修正,提高檢測(cè)精度。在工作環(huán)境溫度變化較大的情況下,根據(jù)MOSFET的通態(tài)電阻和溫度的曲線(xiàn)關(guān)系,修正導(dǎo)通內(nèi)阻R。可以消除溫度對(duì)檢測(cè)精度的影響。
2.3 無(wú)刷直流電機(jī)電流檢測(cè)簡(jiǎn)法
三相異步電機(jī)運(yùn)行時(shí),任意兩相問(wèn)的電流差值不應(yīng)大于額定電流的10%。否則,說(shuō)明電機(jī)有故障,必須立即切斷電源,查明原因后才能再投入運(yùn)行。對(duì)容量較大的電機(jī)都裝設(shè)電流表監(jiān)視運(yùn)行電流,而容量較小的電機(jī)較少裝設(shè)電流表,須開(kāi)機(jī)后用鉗形電流表測(cè)量電機(jī)的線(xiàn)電流,但大多數(shù)電工測(cè)量電機(jī)三相電流是否平衡的方法,都是分三次分別測(cè)出A、曰、G三相各相的電流,然后進(jìn)行比較,這種逐相測(cè)量的方法,不但欠精確,而且費(fèi)事費(fèi)工,可采取以下簡(jiǎn)法測(cè)量。
將三相異步電機(jī)的三根電源線(xiàn)同時(shí)夾在鉗形電流表的鉗口里,如果電流表顯示有數(shù)值,則說(shuō)明電機(jī)三相電流不平衡;如果電流表沒(méi)有顯示電流數(shù)值,則說(shuō)明電機(jī)三相電流平衡,此法不但測(cè)量精度高,而且簡(jiǎn)便。
電機(jī)三相電流不平衡,一般情況下,不是由三相電源引起的,而是電機(jī)有故障。嚴(yán)重的三相電流不平衡,大多是由一相保險(xiǎn)絲熔斷造成或電機(jī)單相運(yùn)行所致。電機(jī)三相電流不平衡的常見(jiàn)原因與處理方法:1)電壓不平衡,測(cè)量電源線(xiàn)電壓,一般電壓波動(dòng)不得超過(guò)一5%~+10%,三相電壓不平衡不得超過(guò)5%。若三相電壓不平衡超過(guò)5%,就應(yīng)設(shè)法消除不平衡;2)定子繞組線(xiàn)圈短路,檢查電機(jī)有無(wú)局部過(guò)熱現(xiàn)象,如有極有可能是繞組線(xiàn)圈短路;3)繞組首尾端接錯(cuò),檢查并糾正;4)定子繞組匝數(shù)不相等,可用萬(wàn)用表或電橋測(cè)量繞組電阻,根據(jù)電阻大小檢查匝數(shù)是否有錯(cuò),對(duì)有錯(cuò)誤的重新繞制定子繞組;5)定子繞組部分線(xiàn)圈接線(xiàn)錯(cuò)誤,打開(kāi)電機(jī),檢查繞組接線(xiàn)是否有錯(cuò),對(duì)接錯(cuò)的重新連接。
3 結(jié)論
本文的電流檢測(cè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,檢測(cè)噪聲較小,獲得了較高的三相反饋電流信噪比,提高了永磁同步電機(jī)電流環(huán)跟蹤效果,已經(jīng)應(yīng)用于光電跟蹤系統(tǒng)中。
參考文獻(xiàn)
[1]馬佳光.捕獲跟蹤與瞄準(zhǔn)系統(tǒng)的基本技術(shù)問(wèn)題[J].光電工程,2019(3):1-42.
[2]劉雷波.信號(hào)完整性問(wèn)題和印制電路板設(shè)計(jì)[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2018.
[3]呂英華.電磁兼容的印制電路板設(shè)計(jì)[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2018.