黃冬松，曾 祥，李亞芬

（1.國家電投集團(tuán)能源科技工程有限公司，上海200233；2.國網(wǎng)江西省電力有限公司電力科學(xué)研究院，江西南昌330096；3.國網(wǎng)江西省電力有限公司檢修分公司，江西南昌330029）

0 引言

隨著全球能源短缺問題日益凸顯，太陽能光伏產(chǎn)業(yè)得到了迅猛發(fā)展，太陽能電池的種類也衍生出很多分支。其中，非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池由于其工藝溫度低、溫度系數(shù)小、轉(zhuǎn)換效率較高等優(yōu)點(diǎn)而受到廣泛關(guān)注。從1990年起，三洋公司（現(xiàn)已被松下收購）便一直通過所謂的HIT太陽電池結(jié)構(gòu)體現(xiàn)著這種技術(shù)潛在的優(yōu)勢，并于1997年實(shí)現(xiàn)HIT太陽電池的產(chǎn)業(yè)化。對于高效率異質(zhì)結(jié)太陽電池，晶體硅的表面鈍化是非常重要的參數(shù)。通過減少電池的厚度而降低太陽電池成本勢必會使電池表面積與體積比值的增加，因此，為了有效地鈍化PN結(jié)，需要在晶體硅基片的正反兩面都使用較高質(zhì)量的氫化非晶硅層，目的在于降低摻雜非晶硅層中高缺陷態(tài)密度對異質(zhì)界面的影響[1-2]。但實(shí)驗(yàn)中常發(fā)現(xiàn)，即使沉積的薄膜具備良好的光電特性，所制備出的器件也不一定有高的轉(zhuǎn)換效率。本工作為深入了解異質(zhì)結(jié)電池工作機(jī)理，依次對p型及n型非晶硅沉積層進(jìn)行摻雜分析，并分別采用p型及n型非晶硅層制作成異質(zhì)結(jié)太陽電池，研究

1 實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)

非晶硅層通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相法沉積。n型和p型氫化非晶硅層分別在甲硅烷/氫氣/磷化氫和甲硅烷/氫氣/乙硼烷混合氣氛中進(jìn)行沉積，沉積溫度為200℃。

異質(zhì)結(jié)太陽電池在高質(zhì)量的n型單晶硅圓片上制作。晶片清洗后，浸在氫氟酸溶液中去除表面的原生氧化層并鈍化表面的懸掛鍵。為了增加鈍化，在沉積p型摻雜層之前先使用一層薄的緩沖層。最后，前側(cè)用ITO薄膜和絲網(wǎng)印刷的柵格覆蓋，背側(cè)用ZnO:B/Al覆蓋。采用準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法測試鈍化質(zhì)量。薄膜的厚度和顯微結(jié)構(gòu)通過光譜橢偏儀來估測。

2 結(jié)果分析

在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積其他工藝條件恒定的條件下，p型氫鈍化非晶硅層上摻雜濃度設(shè)置在0～7400ppm范圍內(nèi)變化作為對照組進(jìn)行對比。工藝中沉積溫度為200℃襯底厚度12nm。鈍化性能是在含緩沖層及p型沉積層上得出，其他的特性直接在單獨(dú)的p型層上測試。

從圖1中可清晰地看到，在一個太陽強(qiáng)度下，p型層開路電壓和有效壽命均會隨著混合氣體中硼含量的的增加而減少，并在有效摻入硼濃度為2000ppm左右達(dá)到穩(wěn)定。正如預(yù)期的那樣，高摻雜的樣品使其內(nèi)部缺陷密度增加，從而導(dǎo)致鈍化性能的劣化，隨著乙硼烷B2H6濃度的進(jìn)一步增加而達(dá)到某一閾值，鈍化性能保持穩(wěn)定。由于這個原因，無論實(shí)驗(yàn)反應(yīng)器中引入了多少數(shù)量的乙硼烷，在更高的摻雜條件下得到的鈍化效果是基本相同的。此外，隨著樣品中硼濃度的增加，有效吸收變得更高。這可通過橢偏儀估算出的沉積層禁帶寬度來解釋，隨著硼濃度的增加，沉積層禁帶寬度呈現(xiàn)逐漸減小的趨勢，更小的禁帶寬度可使更低能量的光波被吸收，從而提高了有效吸收率。

圖1 （左）不同樣品通過準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法測量的載流子壽命和開路電壓來表示鈍化情況；（右）有效吸收率和橢偏儀的測量結(jié)果

關(guān)于n型層，就主要的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝參數(shù)進(jìn)行了研究，1）摻雜氣體壓力在0.5～1.5Torr；2）電極間距離；3）在氣體混合物中摻雜的磷化氫PH3濃度0～830ppm。對于所有的沉積，每一片層都確保厚度為10nm。測量結(jié)果表明，在低壓范圍，無論摻雜濃度為多少，沉積的層均得到外延結(jié)構(gòu)。然而，隨著壓力的增加，尤其是當(dāng)磷化氫流速增加時觀察到這些層中的結(jié)晶比例減少。當(dāng)高于0.8Torr時，觀察不到晶體比例成分，此時所得沉積層基本為非晶層。圖2（左）體現(xiàn)了沉積層的鈍化質(zhì)量隨著摻雜濃度的變化趨勢。此外，即使在整個工藝過程中摻雜濃度相同，開路電壓還會受摻雜氣壓和電極間距離的影響。當(dāng)增大氣壓和電極間距離時，開路電壓最大值對應(yīng)的磷化氫濃度逐漸降低。這可以解釋為摻雜氣體更好地?fù)饺氲奖∧ぶ?，而更低濃度的摻雜意味著更低的缺陷密度，因而獲得了更好的鈍化層，達(dá)到更好的鈍化效果。但另一方面，為了保持n型層的特性，需要必要濃度的摻雜使得足夠多的場效應(yīng)發(fā)生，而在1.5Torr和35mm電極距離的參數(shù)下，輕摻雜條件（開路電壓最大時）似乎可使場效應(yīng)和缺陷態(tài)密度兩者達(dá)到矛盾的平衡。

圖2 （左）不同的氣壓和電極間距條件下，開路電壓與磷化氫濃度的關(guān)系；（右）4個工藝參數(shù)下開路電壓最大值對應(yīng)的磷化氫濃度

使用不同的非晶硅層來制作異質(zhì)結(jié)太陽電池，從而評估出p型層或者n型層的優(yōu)缺點(diǎn)。電池特性測量結(jié)果歸納在圖3中，其中最重要的參數(shù)為填充因子。如圖3（左）所示，在p型層太陽電池中，當(dāng)乙硼烷濃度增加時，隨著在異質(zhì)結(jié)太陽電池p型層中硼濃度的變化，器件的最大效率發(fā)生在乙硼烷的濃度為2000ppm左右。在那個點(diǎn)處，缺陷態(tài)密度與摻雜濃度之間得到了一個平衡。這也正應(yīng)證了前文所得出的結(jié)論：當(dāng)有效摻入硼濃度達(dá)到2000ppm左右時，鈍化性能保持穩(wěn)定，更高的摻雜濃度達(dá)到的鈍化效果也是基本相同的，反而會因?yàn)楦叩膿诫s濃度而引入過多的缺陷。因此，當(dāng)硼含量足夠高到可以產(chǎn)生一個足夠的場效應(yīng)來推動導(dǎo)電載流子的運(yùn)輸，并且足夠低到可以避免產(chǎn)生過多缺陷時，電池的填充因子和轉(zhuǎn)換效率數(shù)值最高。

圖3 異質(zhì)結(jié)太陽電池采用（左）p型氫化非晶層摻雜及（右）n型氫化非晶層摻雜對應(yīng)的填充因子及轉(zhuǎn)換效率

如圖3（右）所示，在n型層太陽電池中，摻雜所需的磷化氫的濃度遠(yuǎn)低于p型層中乙硼烷濃度。雖然整體看來，n型層的填充因子及轉(zhuǎn)化效率均低于p型層，但卻更適合做背表面場。這是因?yàn)樵诋愘|(zhì)結(jié)太陽電池的背面，為了更有效率地收集少數(shù)載流子，一般都會做了一個背表面場。從圖3可以清晰地看到，摻雜氣體磷化氫比乙硼烷能夠更有效地?fù)饺氡∧ぶ?。因此，為了?chuàng)造一個足夠高的電場在背面有效地收集少數(shù)載流子，所需的摻雜量就可以比在p型背表面場情況下小得多。此外，如圖3（右）所示，在高摻雜濃度下雖然引入了更多的缺陷態(tài)密度，鈍化效果比在低壓摻雜流所獲得的要差，但在整個器件性能表現(xiàn)中沒有產(chǎn)生較大不利影響。因此，可引入該摻雜水平來形成足夠強(qiáng)場效應(yīng)的背面場，進(jìn)而阻擋載流子移動到電池背面去。

3 結(jié)語

通過控制p型和n型摻雜層的幾個變量可以得出：隨著沉積氣壓的增大，摻雜量遞增，層的鈍化質(zhì)量越差。這是由于在非晶材料中遞增的缺陷態(tài)密度造成的。此外，n型非晶硅的摻雜濃度低于p型，表明摻雜氣體磷化氫比乙硼烷可更好地?fù)饺氲奖∧ぶ?。通過研究由p型及n型非晶硅層制作成的異質(zhì)結(jié)太陽電池，可以推斷出：當(dāng)摻雜量足夠高到可以產(chǎn)生足夠的場效應(yīng)來推動載流子運(yùn)輸，并且足夠低到可以避免產(chǎn)生過多缺陷時，電池性能最佳。此外，研究還發(fā)現(xiàn)：n型層異質(zhì)結(jié)太陽電池的性能普遍差于p型層，但卻能夠在更低的摻雜濃度下產(chǎn)生足夠的場效應(yīng)，因此，n型非晶硅層更適合做電池背表面場，而p型非晶硅層更適合做電池正面。本工作有助于理解非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池所包含的主要機(jī)理。