譚昭 ,吳時彬 ,楊偉 ,翟嘉
(1.中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所,成都 610209; 2.中國科學(xué)院大學(xué),北京 100049)
高分子薄膜厚度薄、質(zhì)量輕、種類多,在微電子領(lǐng)域可作為敏感元件及半導(dǎo)體器件等各種器件,是實現(xiàn)器件和系統(tǒng)微型化的有效的技術(shù)手段之一[1]。薄膜內(nèi)應(yīng)力的分布能夠直接影響微電子薄膜器件的壽命及性能。在光學(xué)方向,薄膜可作為反射膜、干涉濾波片等[2]。美國于2010 年開展了衍射薄膜成像項目(“MOIRE”計劃)。衍射薄膜是將以衍射光學(xué)為工作原理的菲涅爾透鏡制作在薄膜基底上的光學(xué)元件,具有質(zhì)量輕、厚度薄、公差容限大等優(yōu)點[3]。
無論對于哪種類型的薄膜來說,結(jié)構(gòu)剛度都是一個十分重要的參數(shù)。而薄膜是柔性體,它的結(jié)構(gòu)剛度主要取決于邊緣幾何外形和預(yù)應(yīng)力水平[4]。所以在應(yīng)用時預(yù)先施加合理大小的預(yù)應(yīng)力對薄膜后續(xù)使用十分重要。而且預(yù)應(yīng)力不僅與薄膜的成型和使用壽命息息相關(guān),其引起的形變也會影響薄膜光學(xué)性能與力學(xué)性能[5–6],所以測量預(yù)應(yīng)力是薄膜的一個重要課題。如今薄膜的應(yīng)力檢測技術(shù)主要分為以下幾種方法:
(1) 1906 年 Stoney 提出經(jīng)典的 Stoney 公式。Stoney 公式主要描述了薄膜應(yīng)力變化與引起的基底曲率變化之間的關(guān)系。由此衍生了Stoney 公式法利用測量基底曲率變化來測量薄膜殘余應(yīng)力的方法?;浊史?、激光干涉法、光柵反射法等均是Stoney 公式法的一種[7]。但這類方法比較適合測量薄膜成型中或者成型后的應(yīng)力,對后期薄膜無基底應(yīng)用時的預(yù)應(yīng)力無法進(jìn)行測量。
(2) X 射線衍射法是通過測量應(yīng)力引起的點陣間距變化所導(dǎo)致的彈性應(yīng)變轉(zhuǎn)換為應(yīng)力的測量方法[5]。微觀拉曼光譜法是利用激光拉曼光譜技術(shù)標(biāo)定出纖維所受應(yīng)變與拉曼光譜頻率位移之間的關(guān)系來測量薄膜應(yīng)力[8]。這類方法是通過測量微觀變化量再轉(zhuǎn)化成應(yīng)力大小,使用的儀器大多比較昂貴,并且對薄膜的材料特性有一定的要求。
(3)應(yīng)力應(yīng)變片是通過貼在被測物上,通過測量被測物應(yīng)變變化來計算應(yīng)力大小,在應(yīng)力測量方面有廣泛的應(yīng)用。但是應(yīng)力應(yīng)變片是接觸式的測量,對于柔性體的薄膜來說,使用時十分容易使薄膜產(chǎn)生褶皺,影響測量結(jié)果,同時會影響到薄膜后續(xù)使用。
(4)拉伸法是在薄膜邊緣節(jié)點處安裝載荷傳感器,拉伸薄膜直接測出應(yīng)力的大小。這樣直接測出的應(yīng)力數(shù)據(jù)可靠性高,但是測量的是薄膜的變化量,而且有時可能對薄膜造成破環(huán)。
(5) 2001 年日本尼康株式會社的鈴木用掩模版膜內(nèi)應(yīng)力測試裝置及方法向美國申請專利[9]。介紹了薄膜對沖擊響應(yīng)產(chǎn)生的振動頻率反饋推算出薄膜預(yù)應(yīng)力的測量方法。日本鹿島建設(shè)株式會社運(yùn)用了薄膜對均勻載荷產(chǎn)生的位移變化推測應(yīng)力的位移法[10]。這兩種方法無需對薄膜進(jìn)行破環(huán)就可以測得薄膜應(yīng)力,缺點是對薄膜前期的建模、標(biāo)定及邊界的設(shè)定條件比較難。
而對于裝配好的薄膜來說,需要一種不會影響到薄膜后續(xù)使用的無損測量方法。而且使用中的薄膜無法主觀直接改變預(yù)應(yīng)力的大小,需要測量應(yīng)力絕對值的方法。對于這兩點需求,應(yīng)力應(yīng)變片、拉伸法、微觀拉曼光譜法等方法都不適用。位移法和頻率測試法是一種無損測量薄膜應(yīng)力絕對值的方法,其中位移法控制的變量相比于頻率測試法更少,實驗更加簡單。
對于不同材料和形狀的薄膜,位移法都需要前期的建模與標(biāo)定實驗。日本鹿島建設(shè)株式會與同濟(jì)大學(xué)等均對建筑上矩形薄膜進(jìn)行了分析與實驗[11–12]。重慶大學(xué)的吳建梁等對圓形薄膜進(jìn)行了理論分析但是缺少實驗驗證部分[12–13]。
筆者主要是利用位移法測量圓形薄膜預(yù)應(yīng)力??紤]理論與實驗的結(jié)合。首先設(shè)計實驗利用密封腔改變對薄膜作用的均勻載荷,測量得出均勻載荷下薄膜的中心撓度。然后用有限元軟件ABAQUS 建立的模型求出預(yù)應(yīng)力的有限元解,再利用理論方程建立模型求出中心位移,與實驗及有限元解進(jìn)行對比,判斷位移法能否應(yīng)用于圓形聚酰亞胺薄膜預(yù)應(yīng)力的測量。
Von Karman 于1910 年提出薄板大撓度理論的微分方程——Von Karman’s 方程。隨著工業(yè)的發(fā)展,理論模型在不斷完善[13–15]。圖1 為薄膜受力簡圖,其中r是薄膜徑向坐標(biāo),取值0~R(半徑);q是施加的均勻載荷。
圖1 薄膜受力簡圖
根據(jù)Von Karman’s 方程,推導(dǎo)出施加均勻預(yù)張力圓薄膜的基本方程與圓薄膜變形協(xié)調(diào)方程見式(1)、式 (2)[15]。
式中:Nr是薄膜單位長度徑向力;w是撓度;E是彈性模量;h是薄膜厚度。
邊界條件:r=R時,w=0,u=0,u為薄膜徑向位移。r=0 時,Nr有限。引入無量綱變量:
其中N0為預(yù)應(yīng)力;υ為泊松系數(shù)。
則方程(1)與方程(2)可以改寫并合并為:
薄膜邊界條件為:當(dāng)x=1 時,2(xSr)′– (1+υ)(xSr)=S0(1–υ);當(dāng)x= 0 時,Sr有限。
方程(9)在邊界條件下的解為
其中
a是預(yù)緊力與泊松比以及測量點位置決定的參數(shù),可通過計算求解。
可由式(10)求得a后,再將a代入式(12)求得S0,可得預(yù)應(yīng)力大小。反之也可求得相應(yīng)預(yù)應(yīng)力下的薄膜中心位移。
在數(shù)學(xué)中,有限元法是一種為求解偏微分方程邊值問題近似解的數(shù)值技術(shù)。有限元不僅計算精度高,而且能適應(yīng)各種復(fù)雜形狀,因而成為行之有效的工程分析手段。而ABAQUS 是一套功能強(qiáng)大的工程模擬有限元軟件,可以解決從相對簡單的線性分析到許多復(fù)雜的非線性問題。
考慮到薄膜結(jié)構(gòu)的特殊性采用ABAQUS 中的三維殼單元建立模型。賦予模型相對應(yīng)的參數(shù)見表1。通過靜力通用分析步對薄膜邊緣施加均勻徑向邊載荷,模擬薄膜預(yù)應(yīng)力。運(yùn)用動力隱式的分析步對薄膜施加壓強(qiáng),使用三角形的自由網(wǎng)格對薄膜進(jìn)行網(wǎng)格劃分。有限元模型的網(wǎng)格劃分見圖2。
表1 薄膜材料參數(shù)
圖2 有限元模型網(wǎng)格劃分示意圖
利用邊載荷施加1 MPa 預(yù)應(yīng)力,薄膜面內(nèi)應(yīng)力分布見圖3a。確認(rèn)薄膜施加邊緣載荷后薄膜面內(nèi)應(yīng)力分布均勻,可以用此方法模擬預(yù)應(yīng)力的施加。在面上施加10 Pa 均勻壓強(qiáng),通過后處理程序查看薄膜面內(nèi)位移,見圖3b,薄膜中心位移為0.316 5 mm。
圖3 薄膜面內(nèi)應(yīng)力分布及位移分布
實驗使用的薄膜為聚酰亞胺薄膜,與有限元分析對象一致,薄膜參數(shù)見表1。為了對薄膜施加均勻載荷,將薄膜的一面密封形成一個密封腔,利用氣壓缸改變密封腔內(nèi)壓強(qiáng),產(chǎn)生的壓強(qiáng)q為均勻載荷,用壓差表測量壓強(qiáng)q。利用測距儀測量薄膜中心撓度產(chǎn)生位移變化y0,記錄薄膜中心點的位移數(shù)據(jù)。圖4 為實驗原理示意圖。
圖4 實驗原理示意圖
將裝配好的薄膜一面與一個口徑和薄膜框口徑相同的鋼板相連接。并用密封膠將空隙補(bǔ)好形成一個密封腔。采用德國德圖testo510 壓差表測量氣壓值,精度為1 Pa。利用氣壓缸向密封腔內(nèi)充入一定的空氣,形成與外界的壓強(qiáng)差。經(jīng)過一段時間確保壓強(qiáng)無變化來證明所形成的空間的密封性。連接好儀器,壓差表歸零,利用氣壓缸改變密封腔內(nèi)壓強(qiáng)。每增減5 Pa 壓強(qiáng)記錄測距儀的數(shù)據(jù)及對應(yīng)的壓強(qiáng)。測距儀采用基恩士LK–H022K 型,精度為0.001 mm。圖5 為實驗裝置圖。
圖5 實驗裝置圖
表2 為實驗得出的結(jié)果,其中數(shù)據(jù)1 與2 是第一組預(yù)應(yīng)力下的兩組重復(fù)實驗的數(shù)據(jù);數(shù)據(jù)3 與數(shù)據(jù)4 是第二組預(yù)應(yīng)力下的數(shù)據(jù)。
表2 實驗數(shù)據(jù)
得到數(shù)據(jù)后,進(jìn)行以下幾步數(shù)據(jù)的處理計算。
(1)任選一個壓強(qiáng)下的薄膜中心位移數(shù)據(jù)作為基準(zhǔn),運(yùn)用有限元求出對應(yīng)的預(yù)應(yīng)力。
例如,數(shù)據(jù)2 中,在40 Pa 壓強(qiáng)下薄膜中心位移為0.163 mm。利用有限元求出薄膜預(yù)應(yīng)力為7.933 MPa。圖6 是有限元應(yīng)力分布及位移分布圖。
(2)改變壓強(qiáng),用有限元計算在該預(yù)應(yīng)力下其它壓強(qiáng)對應(yīng)的薄膜中心位移。
圖6 有限元應(yīng)力分布及位移分布
(3)計算在該預(yù)應(yīng)力下,薄膜在各個壓強(qiáng)下的中心位移的解析解。
例如,將預(yù)應(yīng)力N0=7.933 MPa,壓強(qiáng)q=40 Pa及薄膜參數(shù)帶入公式(7)、公式(8)可求出Q=194 100,S0= –1 237 600。
再將參數(shù)帶入公式(12)為:
求得a=2.0×10–8,以及待求的為薄膜中心位移x=0。將參數(shù)代入式(10)求得薄膜中心位移y為0.159 mm。
(4)另選擇一組或者幾組數(shù)據(jù)重復(fù)(1)~(3)步驟,確認(rèn)數(shù)據(jù)的可靠性。
例如,20 Pa 壓強(qiáng)下薄膜中心位移為0.083 mm,有限元求出薄膜預(yù)應(yīng)力為7.794 MPa。再求出在對應(yīng)預(yù)應(yīng)力不同壓強(qiáng)下的薄膜中心位移的解析解及有限元解。
(5)將上述計算數(shù)據(jù)與實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行對比。表3 為第一組預(yù)應(yīng)力下的數(shù)據(jù)計算結(jié)果,其中A 為7.933 MPa 預(yù)應(yīng)力下的薄膜中心位移的有限元解,B 為7.933 MPa 下的薄膜中心位移的解析解,C 為7.794 MPa 下的薄膜中心位移的有限元解,D 為7.794 MPa 下的薄膜中心位移的解析解。圖7 為實驗與計算結(jié)果的對比散點圖。
第二組預(yù)應(yīng)力下運(yùn)用相同的方法進(jìn)行計算。由數(shù)據(jù)4 得出在35 Pa 壓強(qiáng)下薄膜中心撓度為0.209 mm,有限元計算預(yù)應(yīng)力為5.468 MPa;45 Pa 壓強(qiáng)下薄膜中心撓度為0.258 mm,有限元計算預(yù)應(yīng)力大小為5.694 MPa。再進(jìn)行不同壓強(qiáng)下的薄膜中心撓度的計算,圖8 為結(jié)果對比圖,其中E 為5.468 MPa 下的薄膜中心位移的有限元解,F(xiàn) 為5.468 MPa 下的薄膜中心位移的解析解,G 為5.694 MPa 下的薄膜中心位移的有限元解,H 為5.694 MPa 下的薄膜中心位移的解析解。
表3 數(shù)據(jù)計算結(jié)果
圖7 第一組預(yù)應(yīng)力下實驗與計算結(jié)果的對比散點圖
圖8 第二組預(yù)應(yīng)力下實驗與計算結(jié)果的對比散點圖
通過上述理論與實驗的驗證,在同樣大小的均勻載荷下,理論模型與有限元模型計算的中心位移誤差均在6%以內(nèi)。在取不同的壓強(qiáng)組作為計算預(yù)應(yīng)力的參考值時,預(yù)應(yīng)力的差值也在2%以內(nèi)。
(1) Von Karman’s 方程可以用于大徑厚比的高分子薄膜材料,可以通過這個方程計算均勻壓強(qiáng)下的薄膜中心撓度變化,利用方程推算薄膜預(yù)應(yīng)力的方法能夠應(yīng)用于實際的薄膜上。
(2)從原理上實現(xiàn)了薄膜預(yù)應(yīng)力的無損測量,無需和薄膜有相應(yīng)的接觸,任選幾組壓強(qiáng)可求出薄膜預(yù)應(yīng)力,不會導(dǎo)致載荷過大對薄膜產(chǎn)生破環(huán)。
(3)位移法測量的是薄膜應(yīng)力的絕對值,而不是拉伸法或者應(yīng)力應(yīng)變片等方法測量的變化量。在實際應(yīng)用時,對于已經(jīng)裝配好的薄膜鏡來說,無法改變薄膜預(yù)應(yīng)力,但是需要判斷裝配好的薄膜的預(yù)應(yīng)力是否與預(yù)期施加的預(yù)應(yīng)力符合,可以通過均勻載荷下測量中心撓度的方法來驗證薄膜的預(yù)應(yīng)力是否與預(yù)期相符合,也可以通過這種方法測量薄膜長時間使用后預(yù)應(yīng)力的變化來判斷薄膜是否失效。