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        花狀與顆粒狀NiMn2O4納米材料的制備及其超級電容性能

        2020-06-09 10:02:16李明偉楊紹斌賈婧顧金峰耿福洋
        化工進(jìn)展 2020年5期
        關(guān)鍵詞:花狀沉淀劑電流密度

        李明偉,楊紹斌,賈婧,顧金峰,耿福洋

        (1 遼寧工程技術(shù)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,遼寧阜新123000;2 遼寧工程技術(shù)大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,遼寧阜新123000)

        全球變暖和化石燃料的消耗是迫切發(fā)展可持續(xù)、有效和清潔能源轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)存裝置的主要?jiǎng)恿?。在各種能量轉(zhuǎn)換和存儲(chǔ)設(shè)備中,燃料電池、電池和超級電容器被認(rèn)為是重要的儲(chǔ)存設(shè)備[1]。超級電容器與電池、燃料電池相比具有充電速度快、循環(huán)壽命長、工作溫度范圍寬等特點(diǎn),受到了研究者的廣泛關(guān)注。過渡金屬氧化物[2-3]和聚合物[4],如NiO[5-6]、MnO2[7]、Co3O4[8]等被證明是最具應(yīng)用前景的贗電容器電極材料。然而,這些過渡金屬氧化物的低導(dǎo)電性影響了超級電容器的功率性能,限制了它們在電力儲(chǔ)能系統(tǒng)中的潛在應(yīng)用。近年來,具有尖晶石結(jié)構(gòu)的二元過渡金屬氧化物NiFe2O4[9]、CuCo2O4[10-11]、ZnCo2O4[12-13]、NiCo2O4[14-18]、MnCo2O4[19-20]、CoMn2O4[21]等因其良好的電導(dǎo)率和電化學(xué)性能,在電化學(xué)超級電容器中受到越來越多的關(guān)注。其中,尖晶石結(jié)構(gòu)的NiMn2O4納米材料用于超級電容器,展示了優(yōu)良的電化學(xué)性能。Yan 等[22]采用水熱法制備了生長在泡沫鎳上的NiMn2O4納米片,所制備的材料在2A/g電流密度條件下具有1321.6F/g 的比電容,在電流密度為2A/g 條件下,1500 次充放電循環(huán)后的比電容保持率為93.5%。Pang 等[23]制備了新型多孔雙錐體、梭形和板狀結(jié)構(gòu)NiMn2O4納米材料,并研究了材料結(jié)構(gòu)對電化學(xué)性能的影響。片狀多孔的NiMn2O4電極材料在250mA/g 條件下具有180F/g 的比電容;梭形NiMn2O4電極材料在250mA/g 條件下具有160F/g 的比電容;雙錐體形NiMn2O4電極材料在250mA/g 條件下具有94F/g 的比電容,片狀多孔的NiMn2O4電極材料具有更高的電化學(xué)性能。類似的文獻(xiàn)都是進(jìn)行的單一實(shí)驗(yàn)研究,進(jìn)行對比實(shí)驗(yàn)研究的文獻(xiàn)很少,研究沉淀劑對NiMn2O4納米材料形貌和電化學(xué)性能影響的文獻(xiàn)還未見報(bào)道。

        本文通過溶劑熱法,分別采用尿素和氨水做沉淀劑制備了花狀和顆粒狀NiMn2O4納米材料,研究了沉淀劑種類對材料物相結(jié)構(gòu)、微觀結(jié)構(gòu)、孔徑分布及電化學(xué)性能的影響。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 NiMn2O4的制備

        花狀NiMn2O4的制備:將1mmol Ni(NO3)2·6H2O、2mmol Mn(NO3)2·4H2O和10mmol尿素依次加入到60mL 乙醇中,磁力攪拌30min,將燒杯中溶液轉(zhuǎn)移到100mL 水熱反應(yīng)釜中,在烘箱中160℃恒溫反應(yīng)4h,取出冷卻至室溫,用無水乙醇洗滌3遍,洗滌產(chǎn)物在60℃條件下干燥12h,之后在空氣氣氛中350℃煅燒2h,冷卻至室溫即得到花狀NiMn2O4電極材料,標(biāo)注為NiMn2O4NF。

        顆粒狀NiMn2O4的制備:顆粒狀NiMn2O4的制備過程除了10mmol 尿素用2mL 氨水取代以外,其他過程均相同,標(biāo)注為NiMn2O4NP。

        1.2 電極的制備

        首先,將泡沫鎳裁剪成小塊,在3mol/L HCl中超聲10min,以除去表面的氧化層,然后用乙醇和去離子水反復(fù)洗滌,60℃真空干燥后稱重,記為質(zhì)量m1。其次,將活性物質(zhì)、導(dǎo)電劑、黏結(jié)劑按8∶1∶1比例稱量,滴加數(shù)滴無水乙醇,混合均勻成糊狀。最后,用刀片將糊狀物均勻地涂抹在泡沫鎳上,將涂膜后的泡沫鎳放在真空干燥箱中60℃干燥12h,取出稱量,記為質(zhì)量m2,涂覆質(zhì)量Δm=m2-m1。

        1.3 材料的表征

        采用X射線衍射(XRD)方法定性分析樣品的物相組成,本實(shí)驗(yàn)所用儀器為日本島津XRD-6100型X 衍射儀,使用Cu Kα射線,波長為0.154nm,電壓為40kV,電流為40mA,2θ在10°~80°之間,掃描速度5°/min。采用日本電子JSM-7500F型掃描電子顯微鏡(SEM)和FEI Tecnai G2 F20 S-TWIN 200kV 場發(fā)射透射電鏡(FETEM)對材料的形貌、微觀結(jié)構(gòu)等進(jìn)行分析。

        1.4 電化學(xué)性能測試

        采用CHI660E 型電化學(xué)工作站分別進(jìn)行恒流充放電、循環(huán)伏安性能和交流阻抗測試。其中制備的NiMn2O4作為工作電極,對電極為Pb電極,參比電極為氧化汞電極。恒流充放電測試條件為:電壓區(qū) 間0~0.5V,電 流 密 度 為1A/g、2A/g、5A/g、10A/g。循環(huán)伏安測試條件為:掃描速度分別為10mV/s、20mV/s、40mV/s、60mV/s、100mV/s。交流阻抗測試條件:頻率1Hz~100kHz,振幅5mV。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 晶體結(jié)構(gòu)分析

        圖1為NiMn2O4NF 和NiMn2O4NP 的XRD 譜圖。由圖可見,采用不同沉淀劑制備的NiMn2O4樣品均在18.28°、30.06°、35.45°、43.25°、57.17°、62.73°、75.37°左右有較強(qiáng)的特征衍射峰,分別對應(yīng)NiMn2O4(JCPDS no. 71-0852)[24]的(111)、 (220)、 (311)、(400)、(511)、(440)、(622)晶面,兩種樣品物相結(jié)構(gòu)一致但對應(yīng)峰值的高度不同,說明結(jié)晶度不同,NiMn2O4NF的結(jié)晶度高于NiMn2O4NP。這是由于尿素作為沉淀劑的NiMn2O4NF納米材料的成核溫度在70℃左右。但以氨水為沉淀劑,在室溫下就可以完成成核反應(yīng)。反應(yīng)溫度不同導(dǎo)致結(jié)晶度產(chǎn)生差異。反應(yīng)溫度越高,成核和生長越容易,結(jié)晶度越好。

        圖1 NiMn2O4 NF和NiMn2O4 NP的XRD譜圖

        2.2 微觀結(jié)構(gòu)與形貌分析

        所制備樣品的形貌和微觀結(jié)構(gòu)通過SEM、TEM、HRTEM 進(jìn)行觀察。從圖2(a)和(b)可以觀察到,NiMn2O4NF為納米片構(gòu)成的直徑幾微米花狀結(jié)構(gòu),納米片的厚度為50~60nm,層狀結(jié)構(gòu)之間交叉連接,片層之間形成更多的間隙和孔道,結(jié)構(gòu)疏松。從圖2(c)和(d)可以看出,NiMn2O4NP 為直徑30nm左右的納米顆粒,顆粒之間團(tuán)聚較嚴(yán)重。

        圖3 為NiMn2O4NF 和NiMn2O4NP 的TEM、HRTEM 和選區(qū)電子衍射圖(SAED)。由圖可見,NiMn2O4NF為片狀多孔結(jié)構(gòu),NiMn2O4NP為粒狀多孔結(jié)構(gòu)。NiMn2O4NF 晶格條紋的平均間距為0.297nm,與NiMn2O4XRD衍射峰的(220)晶面一致。NiMn2O4NP 晶格條紋的間距為0.209nm, 與NiMn2O4XRD 衍射峰的(400)晶面一致。另外,SAED中的衍射環(huán)分別對應(yīng)NiMn2O4的(220)、(311)、(400)、(511)、(440)晶面,進(jìn)一步證明所制備樣品是多晶NiMn2O4。并且以尿素為沉淀劑制備的NiMn2O4材料結(jié)晶度較高,氨水為沉淀劑制備的NiMn2O4材料的結(jié)晶度較低,這與XRD衍射峰的結(jié)果一致。

        圖2 NiMn2O4 NF和NiMn2O4 NP的SEM圖

        圖3 NiMn2O4 NF和NiMn2O4 NP的TEM、HRTEM和SAED圖

        為了研究NiMn2O4電極材料的比表面積和孔徑分布,對其進(jìn)行N2吸附-脫附等溫測試,結(jié)果如圖4 所示。從圖4(a)可以看到,兩種沉淀劑制備的NiMn2O4納米材料的N2吸附-脫附等溫曲線均為Ⅳ型等溫曲線,有明顯的滯后環(huán),這是一個(gè)典型的介孔結(jié)構(gòu)材料的特性。NiMn2O4NF 的比表面積為104m2/g,NiMn2O4NP 比表面積為91m2/g,NiMn2O4NF的比表面積更大。從圖4(b)的孔徑分布圖中可以看出,NiMn2O4NF 的介孔孔徑分布在3~5.5nm,而NiMn2O4NP 的介孔孔徑分布在2~3.5nm。顯而易見,NiMn2O4NF的比表面積和孔徑更大,增加了電極材料與電解質(zhì)之間的接觸面積,為氧化還原反應(yīng)提供了更多的活性點(diǎn)位,縮短了離子擴(kuò)散的路徑。

        2.3 電化學(xué)性能分析

        為了探究兩種沉淀劑所制備的NiMn2O4的電化學(xué)性能,對其進(jìn)行電性能測試,圖5為NiMn2O4NF和NiMn2O4NP在不同掃描速度下的循環(huán)伏安(CV)曲線。由圖可見,掃描速率從10mV/s 增加到100 V/s,CV曲線均出現(xiàn)了一對明顯的氧化還原峰,說明材料的電容性能主要由贗電容產(chǎn)生的,電極材料憑借NiMn2O4在充放電過程中發(fā)生氧化還原反應(yīng),即NiMn2O4在堿性條件下發(fā)生的氧化還原反應(yīng)[25],如式(1)和式(2)所示。

        圖4 NiMn2O4 NF和NiMn2O4 NP的N2吸附-脫附等溫曲線及相應(yīng)的孔徑分布曲線圖

        由式(1)和式(2)可以看出,電荷的儲(chǔ)存與釋放伴隨著鎳錳兩種元素化合價(jià)的變化。在10mV/s、20mV/s、40mV/s、60mV/s 和100mV/s 的 掃 描 速 率下,隨著掃描速率的增大,NiMn2O4NF 和NiMn2O4NP的電位變化均較小,表明電極材料電化學(xué)極化現(xiàn)象較小,結(jié)構(gòu)和性能穩(wěn)定性良好[26]。從圖5(c)可以看出,在相同的掃描速度(10mV/s)下,NiMn2O4NF的CV 曲線所包圍的面積大于NiMn2O4NP,表明該電極材料具有較好的電容特性,電化學(xué)性能更佳。

        圖5 NiMn2O4 NF和NiMn2O4 NP在不同掃描速度下的循環(huán)伏安(CV)曲線

        圖6 NiMn2O4 NF和NiMn2O4 NP在不同電流密度下的恒流充放電曲線圖及其倍率性能和循環(huán)性能對比

        圖6(a)、(b)為NiMn2O4NF和NiMn2O4NP在不同電流密度下的恒流充放電曲線。由圖可見,兩者充放電曲線都存在充電和放電的平臺(tái),說明其容量主要來自于贗電容氧化還原反應(yīng),也對應(yīng)了上文中CV 曲線上的氧化峰和還原峰。根據(jù)恒流充放電曲線計(jì)算比電容(C),如式(3)所示[27]。

        式中,im為電流密度,A/g;∫Vdt為電流面積積分;Vi、Vf為電壓V的初、終值。根據(jù)式(3)計(jì)算得到NiMn2O4NF 和NiMn2O4NP 在1A/g、2A/g、5A/g和10A/g下的比電容分別為1614F/g、1519F/g、1315F/g、985F/g和1147A/g、1058A/g、924A/g、620A/g。

        由圖6(c)可以看出,NiMn2O4NF 在電流密度為10A/g 時(shí),比電容保持率為1A/g 的61%,而NiMn2O4NP 的電容保持率為54%。由以上分析可見,尿素為沉淀劑制備的NiMn2O4材料顯示出良好的電容性能和倍率性能。這是因?yàn)槟蛩貫槌恋韯┲苽涞幕頝iMn2O4納米材料具有更大的比表面積和孔徑,電極材料與電解質(zhì)之間的接觸面積也更大,有利于電子傳輸,所以材料的電化學(xué)性能更好。

        圖6(d)為NiMn2O4NF 和NiMn2O4NP 在5A/g 電流密度下的循環(huán)壽命曲線。由圖可見,NiMn2O4NF經(jīng)1000 次恒電流充放電后其比電容仍可達(dá)初始值的89%,NiMn2O4NP同等條件下的比電容為初始值的80%,因此,以尿素為沉淀劑的花狀NiMn2O4納米材料具有更好的循環(huán)穩(wěn)定性,得益于其疏松多孔的結(jié)構(gòu)。

        2.4 交流阻抗分析

        為了表征所制備材料的交流阻抗性能,對NiMn2O4NF 和NiMn2O4NP 進(jìn)行交流阻抗測試,結(jié)果如圖7所示。交流阻抗曲線由位于高頻區(qū)的半圓弧和位于低頻區(qū)的直線共同組成,高頻區(qū)半圓弧代表電極與電解液界面的電化學(xué)阻抗,圓弧直徑越小說明阻抗數(shù)值越小;位于低頻區(qū)的直線,代表電極材料的擴(kuò)散電阻,電化學(xué)電容的曲線斜率越大,擴(kuò)散電阻越小[28]。從圖7可看出,兩種樣品的曲線在高頻區(qū)半圓弧都較小,表明電極與電解液界面的電化學(xué)阻抗都較小。而在低頻區(qū),與氨水作沉淀劑的樣品相比,尿素作沉淀劑時(shí)樣品直線的斜率較大,這說明NiMn2O4在發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)時(shí),用尿素作沉淀劑的電極材料由于結(jié)構(gòu)疏松多孔,比表面積和孔徑都較大,擴(kuò)散電阻較小,有利于電解液離子在電極內(nèi)活性物質(zhì)中擴(kuò)散,因此發(fā)生氧化還原反應(yīng)的速率提高,電容性能更好。而氨水為沉淀劑的NiMn2O4電極材料由于團(tuán)聚嚴(yán)重,比表面積和孔徑較小,擴(kuò)散電阻較大,電容性能較差。

        圖7 NiMn2O4 NF和NiMn2O4 NP的交流阻抗譜圖

        3 結(jié)論

        分別以尿素和氨水為沉淀劑,采用溶劑熱法制備了花狀與顆粒狀多孔NiMn2O4電極材料,研究了沉淀劑種類對物相結(jié)構(gòu)、微觀形貌和電化學(xué)性能的影響。采用尿素為沉淀劑制備的NiMn2O4材料具有花狀多孔層狀結(jié)構(gòu),片層之間結(jié)構(gòu)疏松多孔,在電流密度為1A/g條件下具有1614F/g的比電容,在電流密度5A/g 條件下,1000 次充放電循環(huán)后比電容保持率為89%;采用氨水為沉淀劑制備的NiMn2O4材料具有顆粒狀多孔結(jié)構(gòu),在1A/g 電流密度下比電容為1147F/g,在5A/g 電流密度下充放電循環(huán)1000 次,比容保持率達(dá)80%,尿素為沉淀劑制備的花狀多孔的NiMn2O4材料表現(xiàn)出更為優(yōu)異的超電容性能。

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