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        航空電子設(shè)備大氣中子單粒子效應(yīng)故障率預(yù)計(jì)方法

        2020-05-14 10:34:00陳冬梅嚴(yán)拴航白樺孫旭朋底桐王群勇
        環(huán)境技術(shù) 2020年2期
        關(guān)鍵詞:故障率中子電子設(shè)備

        陳冬梅,嚴(yán)拴航,白樺,孫旭朋,底桐,王群勇

        (1.北京圣濤平試驗(yàn)工程技術(shù)研究院有限責(zé)任公司,北京 100089;2.航空工業(yè)第一飛機(jī)設(shè)計(jì)研究院,西安 710089)

        引言

        航空電子設(shè)備從起飛、巡航至降落的整個飛行過程,會穿越大氣層內(nèi)充滿高能大氣中子的輻射環(huán)境。在這個飛機(jī)日常工作的輻射環(huán)境中,航空電子設(shè)備中關(guān)鍵指令與關(guān)鍵數(shù)據(jù)的底層執(zhí)行半導(dǎo)體集成電路(如CPU、FPGA、DSP、SRAM或DRAM),容易產(chǎn)生1變0或0變1的基本錯誤現(xiàn)象。理論界與工業(yè)界借用航天領(lǐng)域的單粒子效應(yīng)(SEE,Single Event Effect),也稱之為單粒子效應(yīng)(SEE)。但是,由于航空電子設(shè)備遭遇的輻射源是不帶電的大氣中子,而航天領(lǐng)域電子系統(tǒng)遭遇的輻射源是帶電的重離子與質(zhì)子,兩者機(jī)理不完全相同,因此,航空界又通常稱之為中子單粒子效應(yīng)(NSEE,Neutron Single Event Effect)。

        雖然航空電子設(shè)備關(guān)鍵指令與關(guān)鍵數(shù)據(jù)的底層執(zhí)行半導(dǎo)體集成電路,其本身對大氣中子的輻射環(huán)境敏感,具有不可避免的本征敏感物理屬性,但是,由于2005年以前,其使用數(shù)量大約以M(106)bit為單位,這些半導(dǎo)體集成電路在應(yīng)用中產(chǎn)生中子單粒子效應(yīng)的概率并不太高。隨著先進(jìn)航空電子設(shè)備的智能化、模塊化、集成化的提升,這些敏感半導(dǎo)體集成電路的使用數(shù)量達(dá)到G(109)甚至T(1012)bit,這些半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)生中子單粒子效應(yīng)的概率就越來越高。并且由于航空電子設(shè)備的復(fù)雜程度大幅提升,由單粒子效應(yīng)的基本錯誤現(xiàn)象,傳遞至設(shè)備甚至系統(tǒng),導(dǎo)致災(zāi)難性或危害性故障的可能性就越來越大,飛機(jī)的可靠性與安全性受到嚴(yán)重威脅。飛機(jī)的維修性與可用性也隨之遭受相應(yīng)影響[1-11]。

        在航空電子設(shè)備的工程應(yīng)用實(shí)踐中,越早清楚航空電子設(shè)備的抗中子單粒子效應(yīng)能力,及時改進(jìn)設(shè)計(jì),保障飛機(jī)的安全性與可用性,優(yōu)化航空電子設(shè)備的可靠性與維修性,則可以大大減少事后發(fā)現(xiàn)故障并修正修復(fù)的昂貴代價。因此,航空電子設(shè)備大氣中子單粒子效應(yīng)故障率預(yù)計(jì)方法是在飛機(jī)的全壽命周期過程中及時發(fā)現(xiàn)這一問題的必要定量計(jì)算工具[29-40]。

        1 大氣中子單粒子效應(yīng)故障率預(yù)計(jì)方法現(xiàn)狀

        國際電工委員會航空電子過程管理技術(shù)委員會IEC TC 107由波音、空客等航空工業(yè)巨頭于2000年成立。2003年就開始起草編制IEC 62396-1《大氣中子單粒子效應(yīng)的應(yīng)對策略》,2006年正式發(fā)布。至今,IEC 62396的系列標(biāo)準(zhǔn)的狀態(tài)如下:

        IEC 62396-1:航空電子設(shè)備過程管理——大氣輻射效應(yīng)——第1部分:航空電子設(shè)備單粒子效應(yīng)大氣輻射效應(yīng)的應(yīng)對策略

        IEC 62396-2:航空電子設(shè)備過程管理——大氣輻射效應(yīng)——第2部分:航空電子系統(tǒng)單粒子效應(yīng)試驗(yàn)指南

        IEC 62396-3:航空電子設(shè)備過程管理——大氣輻射效應(yīng)——第3部分:大氣輻射單粒子效應(yīng)(SEE)系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計(jì)

        IEC 62396-4:航空電子設(shè)備過程管理——大氣輻射效應(yīng)——第4部分:高壓航空電子設(shè)備潛在單粒子效應(yīng)防控設(shè)計(jì)

        IEC 62396-5:航空電子設(shè)備過程管理——大氣輻射效應(yīng)——第5部分:航空電子系統(tǒng)熱中子注量率及單粒子效應(yīng)評估

        IEC TR 62396-6:航空電子設(shè)備過程管理——大氣輻射效應(yīng)——第6部分:極端空間天氣對航空電子環(huán)境和電子產(chǎn)品的潛在影響

        IEC TR 62396-7:航空電子設(shè)備過程管理——大氣輻射效應(yīng)——第7部分:航空電子設(shè)計(jì)中單粒子效應(yīng)分析過程管理

        IEC TR 62396-8:航空電子過程管理——大氣輻射影響——第8部分:航空電子系統(tǒng)中質(zhì)子、電子、介子、μ介子注量率及單粒子效應(yīng)評估(正在編制)

        IEC TR 62396-9:航空電子過程管理——大氣輻射影響——第9部分:航空電子設(shè)備單粒子效應(yīng)故障率預(yù)計(jì)方法(正在投票)

        并且,IEC 62396-1的要求,已經(jīng)納入2018年波音、空客等對其供應(yīng)鏈航空航天國防高性能電子元器件的管理計(jì)劃(ADHP ECMP)IEC 62239-2018,成為保障航空電子設(shè)備符合DO 254的基礎(chǔ)程序與認(rèn)證方法。我國也已于2019年形成了相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 37312.1-2019《航空航天、國防及其他高性能應(yīng)用領(lǐng)域(ADHP)電子元器件第1部分:高可靠集成電路與分立半導(dǎo)體器件通用要求》[9],要求考慮相應(yīng)的大氣中子單粒子效應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 34956-2017《大氣輻射影響航空電子設(shè)備單粒子效應(yīng)防護(hù)設(shè)計(jì)指南》[10],GB/T 34955-2017《大氣輻射影響航空電子系統(tǒng)單粒子效應(yīng)試驗(yàn)指南》[11]。

        為此,可以看出,事實(shí)上,波音、空客等航空工業(yè)巨頭,將嚴(yán)格控制大氣中子單粒子效應(yīng)的責(zé)任,作為DO 254《機(jī)載電子設(shè)備硬件的設(shè)計(jì)保證指南》等的符合性要求,下移至其供應(yīng)鏈,并且提供了IEC 62396系列標(biāo)準(zhǔn)這一套框架性的應(yīng)用方法?;裟嵬柗浅V匾?,主導(dǎo)編制了IEC TR 62396-7在設(shè)計(jì)中管理SEE的方法與程序。但是,盡管如此,在這一套方法中,唯獨(dú)缺少航空電子設(shè)備大氣中子單粒子效應(yīng)故障率預(yù)計(jì)方法。我國的技術(shù)專家團(tuán)隊(duì),在多年跟隨IEC 62396系列標(biāo)準(zhǔn)編制的過程中,發(fā)現(xiàn)了這一短板,并通過多年的知識產(chǎn)權(quán)積累[12-26],形成了這一核心技術(shù),2015年在捷克,提出了在IEC TC 107技術(shù)委員會中由中國主導(dǎo)提出的第一個國際標(biāo)準(zhǔn)IEC TR 62396-9的編制申請。經(jīng)過多年的努力,2018年經(jīng)過IEC TC107年會討論決議,納入了PWI計(jì)劃。2019年由中國國家標(biāo)準(zhǔn)委員會正式向IEC TC 107提出了投票申請。

        2 航空電子設(shè)備NSEE故障率預(yù)計(jì)方法

        2.1 目的與適用范圍

        2.1.1 目的

        航空電子設(shè)備(以下簡稱“設(shè)備”)大氣中子單粒子效應(yīng)故障率的預(yù)計(jì)方法,可在航空電子設(shè)備的過程管理中,為器件、功能板、設(shè)備遭受的大氣輻射危害提供定量評估。包括單粒子效應(yīng)故障率預(yù)計(jì)模型和預(yù)計(jì)程序。

        2.1.2 適用范圍

        本方法適用于在海拔高度約2.5萬米以下的航空電子設(shè)備大氣中子單粒子效應(yīng)故障率預(yù)計(jì),可以應(yīng)用于設(shè)備設(shè)計(jì)、開發(fā)、試驗(yàn)和維護(hù)等過程。包括簡單預(yù)計(jì)程序和詳細(xì)預(yù)計(jì)程序。

        簡單預(yù)計(jì)程序適用于初步設(shè)計(jì)階段,已知信息少。詳細(xì)預(yù)計(jì)程序適用于研制階段,產(chǎn)品已具有詳細(xì)器件清單以及相應(yīng)試驗(yàn)數(shù)據(jù),設(shè)計(jì)過程中采取了中子單粒子效應(yīng)減緩措施,已知任務(wù)大氣中子輻射應(yīng)力等。

        2.2 計(jì)算原理

        2.2.1 設(shè)備單粒子效應(yīng)總故障率預(yù)計(jì)模型

        大氣中子輻射導(dǎo)致的設(shè)備總故障率預(yù)計(jì)模型如(1)所示[8]。

        式中:

        λSEE—設(shè)備NSEE故障率(h-1)。

        λsoft-fault—設(shè)備NSEE軟故障率(h-1)。

        λfirm-fault—設(shè)備NSEE固定故障率(h-1)。

        λhard-fault—設(shè)備NSEE硬故障率(h-1)。

        理論上,本模型可用于支撐 IEC 62396-1和IEC TR 62396-7中整個設(shè)備涉及的各類單粒子效應(yīng)故障率的計(jì)算。目前,主要考慮了SEU、SET、SEFI與SEB效應(yīng)。設(shè)備軟故障率預(yù)計(jì)模型沒有考慮MCU與MBU。設(shè)備的硬故障率模型沒有考慮SEGR和SHE效應(yīng),主要原因是缺少數(shù)據(jù)。然而,隨著IEC 62396-1、2、3、4、5、6、7、8、9系列標(biāo)準(zhǔn)的編制完善更新,只要有足夠的測試數(shù)據(jù),這四類數(shù)據(jù)就可以納入模型計(jì)算。

        2.2.2 設(shè)備軟故障率計(jì)算方法

        大氣中子輻射導(dǎo)致的設(shè)備軟故障率計(jì)算方法如(2)所示。

        式中:

        ΠSEU-i—針對器件i的SEU的防護(hù)因子(無量綱),取值范圍(0,1]。

        ΠSET-i—針對器件i的SET防護(hù)因子(無量綱),取值范圍(0,1]。

        Πused—該器件資源利用率因子(無量綱),取值范圍(0,1],該值為使用的存儲位數(shù)除以器件總的存儲位數(shù)。

        λSEU-i—第i個器件的SEU率(h-1)。其計(jì)算公式如(3)所示。

        λSET-i—第i個器件的SET率(h-1)。其計(jì)算公式如(4)所示。

        式中:

        f—大氣中子輻射注量率(#/cm2·h)。

        σSEU-i—第i個器件SEU截面(cm2/device)。

        σSET-i—第i個器件SET截面(cm2/device)。

        器件的SEU截面與實(shí)際使用的存儲位數(shù)相關(guān),計(jì)算公式如(5)所示。

        式中:

        σSEU-i—器件的SEU截面。

        σSEU-bit—器件每存儲位的SEU截面(cm2/bit)。

        Mbit—該器件的總存儲位數(shù)(bit)。

        2.2.3 設(shè)備固定故障率計(jì)算方法

        大氣中子輻射導(dǎo)致的設(shè)備固定故障率計(jì)算方法如(6)所示。

        式中:

        λfirm-fault—由SEFI和SEL在設(shè)備上引起的設(shè)備固定故障率(h-1)。

        λfirm-SEL-i—第i個器件的大氣中子SEL率(h-1),且該器件采取了限流防護(hù)措施。其計(jì)算公式如(7)所示。

        λSEFI-i—第i個器件的大氣中子SEFI率(h-1)。其計(jì)算公式如(8)所示。

        ΠSEL-i—第i個器件的大氣中子SEL防護(hù)因子(無量綱),取值0或1,有防護(hù)為1,無防護(hù)為0。

        式中:

        f—大氣中子輻射注量率(#/cm2·h)。

        σSEFI-i—第i個器件SEFI截面(cm2/device)。

        2.2.4 設(shè)備硬故障率計(jì)算方法

        大氣中子輻射導(dǎo)致的設(shè)備硬故障率計(jì)算方法如下式所示。

        式中:

        ΠSEB-i—通過對設(shè)備i進(jìn)行降額處理的SEB減緩因子。無緩解取1,有緩解取0

        λhard-SEL-i—第i個器件的大氣中子SEL率(h-1),且該器件未采取限流防護(hù)措施。其計(jì)算公式如(10)所示。

        λSEB-i—第i個器件的大氣中子SEB率(h-1)。其計(jì)算公式如(11)所示。

        式中:

        f—大氣中子輻射注量率(#/cm2·h)。

        σSEL-i—第i個器件SEL截面(cm2/device)。

        3 計(jì)算程序

        3.1 簡單預(yù)計(jì)程序

        設(shè)備單粒子效應(yīng)故障率簡單預(yù)計(jì)程序適用于初步設(shè)計(jì)階段。已知少量信息。

        3.1.1 確定大氣中子注量率典型值

        以高度12.2 km,北緯45 °,10 MeV以上大氣中子的注量率值為6 000/cm2·h進(jìn)行計(jì)算[1]。

        3.1.2 確定單粒子效應(yīng)敏感器件清單

        表1 簡單預(yù)計(jì)程序某設(shè)備單粒子效應(yīng)敏感器件清單

        表1為某設(shè)備單粒子效應(yīng)敏感器件清單模板,基本信息包括器件、CCA、器件類型、器件數(shù)量、總存儲容量等信息,附表1[39]可以幫助識別SEE敏感類型。

        3.1.3 敏感器件單粒子效應(yīng)截面典型值

        表2給出了特征尺寸在90~120 nm之間的敏感器件的平均截面值,該值參考了IEC 62396-1中的數(shù)據(jù)源,并得到了真實(shí)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)支持。不在表內(nèi)的敏感器件類別,可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)帶入典型值或者取0。

        3.1.4 計(jì)算設(shè)備軟故障率

        設(shè)備軟故障率根據(jù)公式(2)(見2.2.2)進(jìn)行計(jì)算。其中資源利用率因子取值為1。軟故障傳遞率因子的經(jīng)驗(yàn)取值范圍為1/100~1/10,推薦值1/52[12-14]。SEU、SET防護(hù)因子取值為1。

        3.1.5 計(jì)算設(shè)備固定故障率

        設(shè)備固定故障率根據(jù)公式(6)(見2.2.3)進(jìn)行計(jì)算。SEL防護(hù)因子取0。

        3.1.6 計(jì)算設(shè)備硬故障率

        設(shè)備硬故障率根據(jù)公式(9)(見2.2.4)進(jìn)行計(jì)算。SEL防護(hù)因子取0。

        3.1.7 計(jì)算設(shè)備總故障率

        設(shè)備總故障率根據(jù)公式(1)(見2.2.1)進(jìn)行計(jì)算。對3.1.4、3.1.5、3.1.6計(jì)算的結(jié)果求和,獲得設(shè)備單粒子效應(yīng)總故障率。

        3.2 詳細(xì)預(yù)計(jì)程序

        設(shè)備單粒子效應(yīng)故障率詳細(xì)預(yù)計(jì)程序適用于研制階段。產(chǎn)品已具有詳細(xì)器件清單以及相應(yīng)試驗(yàn)數(shù)據(jù),設(shè)計(jì)過程中采取了中子單粒子效應(yīng)減緩措施,已知任務(wù)大氣中子輻射應(yīng)力等。

        3.2.1 飛行航線的大氣中子平均注量率計(jì)算

        大氣中子平均注量率的計(jì)算如(12)式所示:

        式中:

        fav—大氣中子輻射平均注量率(#/cm2·h)。

        大氣中子注量如(13)所示:

        表2 敏感器件單粒子效應(yīng)截面典型值

        式中:

        t1—起飛前通電開始時間(h)。

        t2—降落后關(guān)機(jī)時間(h)。

        f(x(t),y(t),z(t))—飛機(jī)在T時刻,位置在x,y,z處的大氣中子注量率(#/cm2·h)。

        x—經(jīng)度(°);

        y—緯度(°);

        z—高度(m);

        Fluence——飛行航線大氣中子注量(#/cm2)。

        flux(x(t),y(t),z(t))的計(jì)算,可參照 Boeing模型[28]、NASA模型[32]及修正模型[15-18]進(jìn)行計(jì)算。

        對于特定的飛行航線,用戶可以依據(jù)任務(wù)的重要程度,選擇采用公式(12)的平均注量率,或采用峰值注量率,或IEC 62396-1推薦典型值注量率6 000 n/cm2·h[1],或極端太陽活動下的ESW中子注量率(詳見IEC TR 62396-6[6])。

        3.2.2 確定單粒子效應(yīng)敏感器件清單

        單粒子效應(yīng)敏感器件列表由附表1[39]對某一設(shè)備的電子器件列表進(jìn)行篩選得到。敏感設(shè)備列表描述了設(shè)備中有多少個CCAs,每個CCAs中有多少個電子器件,以及電子器件的一般信息,包括設(shè)備類型、制造商、數(shù)量、工藝信息、使用資源和防護(hù)情況,如表3所示。表3基于IEC TR 62396-7修改形成,所以可以支持IEC TR 62396-7[7],[33]。

        3.2.3 獲取敏感器件單粒子效應(yīng)截面

        可按以下優(yōu)先級獲得敏感器件的大氣中子輻射截面數(shù)據(jù)。

        1)針對已開展的14 MeV單能中子、散列中子等高能中子源[34][37]進(jìn)行的單粒子效應(yīng)試驗(yàn),以試驗(yàn)數(shù)據(jù)為準(zhǔn)獲取單粒子效應(yīng)類型和相應(yīng)的截面數(shù)據(jù),可以參考IEC 62396-1標(biāo)準(zhǔn),或查詢下列數(shù)據(jù)庫。

        ①a.NASA戈達(dá)德中心輻射數(shù)據(jù)庫(Http://radhome.gsfc.nasa.gov/radhome/parts.htm);

        ②NASA噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)庫(Http://radnet.jpl.nasa.gov/SEE.htm);

        ③NASA噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室質(zhì)子單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)庫(Http://radnet.jpl.nasa.gov/Compedi/P/ProtonSeeCompendium.htm);

        ④ ESA 輻 射 數(shù) 據(jù) 庫(Http://www.escies.org/public/radiation/database.html)。

        2)可以利用FOM方法[35,36],將敏感器件重離子試驗(yàn)的截面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化成中子單粒子效應(yīng)截面數(shù)據(jù)。大氣中子單粒子效應(yīng)截面公式如(15)式所示。

        式中:

        σn—為中子單粒子敏感截面,單位為cm2。

        FOM——品質(zhì)因子如下式所示。

        式中:

        LETth—重離子單粒子效應(yīng)閾值(MeV·cm2/mg);

        L0.25—重離子單粒子試驗(yàn)飽和截面25 %時對應(yīng)的LET值(MeV·cm2/mg);

        —重離子單粒子試驗(yàn)飽和截面(cm2);

        w—重離子單粒子試驗(yàn)威布爾擬合尺度因子(無量綱);

        s—重離子單粒子試驗(yàn)威布爾擬合形狀因子(無量綱)。

        有關(guān)特定類型器件的特定單粒子效應(yīng)的SEE截面數(shù)據(jù)的保守估計(jì),請參閱IEC 62396-1了解更多信息。

        表3 某設(shè)備單粒子效應(yīng)敏感器件清單

        注:雖然不推薦質(zhì)子或重離子空間輻射數(shù)據(jù),但這些數(shù)據(jù)在初始設(shè)計(jì)狀態(tài)下總比沒有好。

        3.2.4 計(jì)算設(shè)備軟故障率

        根據(jù)2.2.2節(jié)公式(2)進(jìn)行計(jì)算。

        SEU防護(hù)因子,經(jīng)驗(yàn)方法有防護(hù)取0,否則為1。防護(hù)措施包括:奇偶校驗(yàn)碼、ECC/EDAC[29,30]等。SET緩解因子經(jīng)驗(yàn)取0,無緩解取1。軟故障傳遞率因子,經(jīng)驗(yàn)的取值范圍為1/100~1/10,推薦值1/52[12-14]。

        3.2.5 計(jì)算設(shè)備固定故障率

        根據(jù)2.2.3公式(6)進(jìn)行計(jì)算。注意此處的SEL效應(yīng)只包括采取了限流防護(hù)措施的SEL效應(yīng)。

        3.2.6 計(jì)算設(shè)備硬故障率

        根據(jù)公式2.2.4公式(9)進(jìn)行計(jì)算。注意此處的SEL效應(yīng)只包括未采取防護(hù)措施的SEL效應(yīng)。

        3.2.7 計(jì)算設(shè)備總故障率

        根據(jù)2.2.1公式(1)進(jìn)行計(jì)算。對3.2.4、3.2.5、

        3.2.6 計(jì)算結(jié)果求和,獲得設(shè)備單粒子效應(yīng)總故障率。

        4 計(jì)算案例

        4.1 研究對象

        某機(jī)載衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)(如圖1),無冗余。該設(shè)備包括數(shù)字下變頻器、數(shù)字基帶處理器、軟件求解器等模塊,實(shí)時給出導(dǎo)航設(shè)備的位置和速度信息,該試驗(yàn)件是一個商用飛機(jī)的電器性能模型[19-26]。

        單粒子效應(yīng)的敏感分析:該設(shè)備使用的1個DSP、1個SRAM和2個SRAM型FPGA為敏感器件。該設(shè)備的敏感器件未采取防護(hù)措施。

        該設(shè)備參照IEC 62396-2于中國原子能科學(xué)研究院采用14 MeV單能中子源開展試驗(yàn)驗(yàn)證。試驗(yàn)累計(jì)注量為1.011×109/cm2,監(jiān)測到死機(jī)、無定位和定位超差等錯誤28次(具體數(shù)據(jù)見表4)[38]。

        圖1 衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)功能

        然后采用簡單預(yù)計(jì)程序和詳細(xì)預(yù)計(jì)程序?qū)υO(shè)備的可見故障率進(jìn)行預(yù)計(jì)。

        4.2 簡單預(yù)計(jì)程序(數(shù)據(jù)來源:IEC 62396-1)

        在該設(shè)備的初步設(shè)計(jì)階段,設(shè)計(jì)者只能獲得設(shè)備類別和所需設(shè)備數(shù)量的信息,而對具體的器件型號、工藝等詳細(xì)信息沒有了解。因此DSP、SRAM、FPGA等器件的單粒子效應(yīng)截面可以參照表2。

        以高度12.2 km,北緯45 °,10 MeV以上大氣中子注量率的國際典型值6 000/ cm2·h,每個設(shè)備的防護(hù)因子取1進(jìn)行計(jì)算(見表5),則:

        1)當(dāng)軟故障傳遞率為1/52時,該設(shè)備軟故障率預(yù)計(jì)值為7.858E-05 h-1;

        2)該設(shè)備的固定故障率預(yù)計(jì)值為2.568E-05 h-1;

        3)該設(shè)備的硬故障率預(yù)計(jì)值為5.280E-05 h-1;

        4)該設(shè)備總故障率預(yù)計(jì)值為1.571E-04 h-1。

        4.3 詳細(xì)預(yù)計(jì)程序——(數(shù)據(jù)來源:IEC 62396-1)

        在該設(shè)備的研制階段,已經(jīng)知道詳細(xì)的器件清單、資源利用率、防護(hù)措施等情況,采用詳細(xì)方法進(jìn)行單粒子效應(yīng)故障率的預(yù)計(jì)時,DSP、SRAM、FPGA器件參照IEC 62396-1獲取中子單粒子效應(yīng)截面數(shù)據(jù)。取大氣中子注量率6 000/cm2·h進(jìn)行計(jì)算,高度12.2 km,北緯45 °,10 MeV以上,每個設(shè)備的防護(hù)因子取1進(jìn)行計(jì)算(見表6)則:

        1)當(dāng)軟故障傳遞率為1/52時,該設(shè)備的軟故障主要由SEU引起,則計(jì)算出的設(shè)備軟故障率為6.990E-04 h-1;

        2)該設(shè)備的固定故障主要由設(shè)備SEFI引起,則其固定故障率為2.720E-05 h-1;

        3)該設(shè)備的硬故障主要由SEL引起,則其硬故障率預(yù)計(jì)值為5.526E-05 h-1;

        4)該設(shè)備總故障率預(yù)計(jì)值為7.815E-04 h-1。

        表4 導(dǎo)航接收機(jī)中子輻照試驗(yàn)數(shù)據(jù)

        表5 簡單預(yù)計(jì)程序衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)單粒子效應(yīng)故障率

        表6 詳細(xì)預(yù)計(jì)程序(經(jīng)驗(yàn)公式)衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)單粒子效應(yīng)故障率

        4.4 詳細(xì)預(yù)計(jì)程序——(數(shù)據(jù)來源:高能中子試驗(yàn)歷史數(shù)據(jù))

        在該設(shè)備的研制階段,已經(jīng)知道詳細(xì)的器件清單、資源利用率、防護(hù)措施等情況,采用詳細(xì)預(yù)計(jì)程序進(jìn)行單粒子效應(yīng)故障率的預(yù)計(jì)時,其中FPGA、DSP和SRAM的器件中子單粒子效應(yīng)截面來源于XILINX公開發(fā)布的試驗(yàn)數(shù)據(jù)。取大氣中子注量率6 000個/cm2·h,高度12.2 km,北緯45 °,10 MeV以上,每個設(shè)備的防護(hù)因子取1進(jìn)行計(jì)算(見表7),則:

        1)當(dāng)軟故障傳遞率為1/52時,該設(shè)備的軟故障故障主要由SEU引起,則計(jì)算出的設(shè)備軟故障率為9.053E-5h-1;

        2)由于在對DSP,SRAM與FPGA等器件的測試中沒有發(fā)現(xiàn)SEFI與SEL的影響,該設(shè)備的固定故障和硬故障的故障率預(yù)計(jì)值為0 h-1;

        3)該設(shè)備總故障率預(yù)計(jì)值為9.053E-5 h-1。

        4.5 設(shè)備地面試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析(數(shù)據(jù)來源:14 MeV設(shè)備級試驗(yàn))

        設(shè)備的SEE故障率評估結(jié)果結(jié)合該設(shè)備地面試驗(yàn)數(shù)據(jù)如表4所示,引用標(biāo)準(zhǔn)IEC 62396-1按中子注量率6 000/cm2·h進(jìn)行計(jì)算,衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)的結(jié)果總結(jié)如表8所示。

        1)該設(shè)備的軟故障率評估值為1.246E-4 h-1。

        2)該設(shè)備的固定故障率評估值為4.154E-5 h-1。

        3)該設(shè)備的硬故障率評估值為0 h-1。

        4)該設(shè)備的總故障率評估值為1.661E-4 h-1。

        評估案例表明,使用簡單預(yù)計(jì)程序與設(shè)備級試驗(yàn)結(jié)果相差-5.42 %,詳細(xì)預(yù)計(jì)程序采用IEC 62396-1的10年以前的數(shù)據(jù),相差+370.50 %,詳細(xì)預(yù)計(jì)程序采用我們自己的歷史試驗(yàn)數(shù)據(jù)相差-45.50 %。因此,須謹(jǐn)慎采用IEC 62396-1的10年以前的數(shù)據(jù),須盡量采用我們自己的國內(nèi)歷史試驗(yàn)數(shù)據(jù)驗(yàn)證,以盡量掌握數(shù)據(jù)內(nèi)涵的一致性。

        5 結(jié)論

        本文以衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)為例,提出了航空電子設(shè)備單粒子效應(yīng)故障率預(yù)計(jì)模型與程序。結(jié)論如下:

        1)航空工業(yè)界迫切需要航空電子設(shè)備大氣中子單粒子效應(yīng)故障率預(yù)計(jì)方法,為早發(fā)現(xiàn)、早防護(hù)提供了一套定量分析工具。

        2)本文模型基于公開發(fā)布資料,有關(guān)模型參數(shù)的確定均來源于試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)值,并經(jīng)實(shí)例驗(yàn)證。

        表7 詳細(xì)預(yù)計(jì)程序(試驗(yàn)數(shù)據(jù))衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)單粒子效應(yīng)故障率

        表8 預(yù)計(jì)值與試驗(yàn)評估值對比

        附表1 敏感器件單粒子效應(yīng)[39]

        3)具有冗余架構(gòu)和特殊架構(gòu)的電子設(shè)備大氣中子單粒子效應(yīng)故障率預(yù)計(jì)方法不在本文考慮范圍之內(nèi)。

        4)本文團(tuán)隊(duì)一直持續(xù)關(guān)注相關(guān)技術(shù)發(fā)展,例如由于半導(dǎo)體器件工藝尺寸的縮小,MCU效應(yīng)日益嚴(yán)重,是未來設(shè)計(jì)防護(hù)的重點(diǎn)。本文將根據(jù)技術(shù)發(fā)展情況選擇合適的時機(jī)進(jìn)行修訂。

        附表1(資料性)敏感器件單粒子效應(yīng)引起的故障分類[40]

        不同器件與工藝類型的單粒子效應(yīng)敏感特性類型見附表1。

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