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        磁通e-HR神經(jīng)元模型的Hopf分岔分析與控制

        2020-05-13 10:54:02王紅梅安新磊楊天宇
        關(guān)鍵詞:分析模型系統(tǒng)

        王紅梅,安新磊,喬 帥,張 薇,楊天宇

        (1.蘭州交通大學(xué) 數(shù)理學(xué)院,甘肅 蘭州 730070; 2.北京交通大學(xué) 電子工程學(xué)院,北京 100044)

        神經(jīng)元是生物神經(jīng)系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)單元,是神經(jīng)系統(tǒng)的重要組成部分,在調(diào)節(jié)神經(jīng)元系統(tǒng)的動態(tài)行為中起著舉足輕重的作用。其活動主要表現(xiàn)為生物電信號的形成、變化和傳遞。生物神經(jīng)系統(tǒng)是一個復(fù)雜的多層次信息神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),是通過大量神經(jīng)細(xì)胞的連接形成的。因此,在神經(jīng)元發(fā)射和信息編碼過程中,涉及到復(fù)雜的非線性動力學(xué)行為。由于神經(jīng)元動力學(xué)是生物生理學(xué)和非線性動力學(xué)之間的交叉學(xué)科,因此研究神經(jīng)元的發(fā)射具有生物學(xué)和動力學(xué)意義。隨著生物生理學(xué)和非線性動力學(xué)理論的不斷發(fā)展,基于不同研究周期的數(shù)據(jù)建立了各種與生物神經(jīng)元相關(guān)的模型[1]。據(jù)我們所知,作為一個數(shù)學(xué)神經(jīng)元模型,三個變量的HR神經(jīng)元模型不能描述離子通道的作用。因此,一些研究者提出了四變量的HR神經(jīng)元模型[2],該模型可以更好地描述神經(jīng)元的動態(tài)行為,并可通過實驗結(jié)果驗證[3]。

        由于神經(jīng)元系統(tǒng)中的神經(jīng)元處于復(fù)雜的狀態(tài),神經(jīng)元的電活動過于復(fù)雜,需要考慮更多的因素。例如,根據(jù)法拉第感應(yīng)定律,神經(jīng)元中的動作電位的變化可以在介質(zhì)中產(chǎn)生磁場。通過分析文獻(xiàn)[4]可知,神經(jīng)元的各種放電活動是通過信號的傳遞完成的,它們因為受電磁場的影響,所以在電磁輻射下可以產(chǎn)生不同的放電狀態(tài),如靜息態(tài)、尖峰放電、簇放電[5]。文獻(xiàn)[6]討論的是HR神經(jīng)元模型的Hopf分岔分析及穩(wěn)定性分析;文獻(xiàn)[7]用Washout控制器對Morris-Lecar(ML)模型進(jìn)行Hopf分岔控制;文獻(xiàn)[8-15]討論神經(jīng)元模型的分岔分析及其存在的隱藏吸引子,并對神經(jīng)元模型的分岔進(jìn)行控制。神經(jīng)元的放電模式極其豐富,故有必要對神經(jīng)元模型進(jìn)行深入研究。

        研究發(fā)現(xiàn),磁通e-HR神經(jīng)元模型具有豐富的分岔行為和放電特征。數(shù)值模擬分析了當(dāng)外界刺激電流變化情況下系統(tǒng)的平衡點分布與穩(wěn)定性分析,并且得出該模型存在亞臨界Hopf分岔點。通過數(shù)值仿真表明,當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生亞臨界Hopf分岔時,隨著初值的不同,神經(jīng)元會表現(xiàn)為不同的放電特性。另外,利用Washout分岔控制器對分岔點的分岔類型進(jìn)行控制,將亞臨界Hopf分岔轉(zhuǎn)化為超臨界Hopf分岔,從而實現(xiàn)消除膜電壓隱藏放電的目的。

        1 模型描述

        描述神經(jīng)元模型分岔分析時最常用的模型是Hindmarsh-Rose(HR)神經(jīng)元模型,但是也有另外一種模型,e-Hindmarsh-Rose(e-HR)神經(jīng)元模型[16],它具有和HR神經(jīng)元模型相似的特性。所以,基于e-HR神經(jīng)元模型,考慮外界電磁場對膜電位變化的影響,引入磁通量后建立的e-HR神經(jīng)元模型的微分方程如下:

        (1)

        式中:a,b,c,d,e,f,g,u,s,h,v,k,r,L表示系統(tǒng)的參數(shù);變量x表示神經(jīng)元的細(xì)胞膜電位;y表示快電流;z表示自適應(yīng)電流;w表示緩慢的動力學(xué)過程;φ表示穿過神經(jīng)元細(xì)胞膜的磁通量;I表示的是外部刺激電流;W(φ)是由磁通量控制憶阻器的記憶電導(dǎo)[4],它的表達(dá)式可以寫為W(φ)=α+3βφ2;此文中的各個參數(shù)取值如下:a=1,b=3,c=1,r=3,L=1.619,k0=0.1,d=0.99,e=1.01,s=3.966,k=0.957 3,v=0.000 9,k1=0.9,k2=0.5,β=0.02,f=5.012 8 ,g=0.027 8,u=0.002 15,h=1.605,α=0.1。

        2 平衡點的分布

        神經(jīng)元的不同放電模式和平衡點的分布都與它的類型有關(guān),對于模型(1)而言,它的平衡點可以由其動力學(xué)方程確定,令x'=0,y'=0,z'=0,w'=0,φ'=0,得到對應(yīng)的零線方程:

        (2)

        方程(2)中各個式子的交點就是系統(tǒng)(1)的平衡點,由方程(2)可以得到細(xì)胞膜的總電流方程[6]如下:

        (3)

        將各參數(shù)帶入式(3)中得:

        f(x)=I-1.019 440x3-1.611 082x2-3.936 34x-5.502 459=0

        (4)

        IH=0.843 392μA/cm2,pH=(-1.305 042,-7.053 972,1.189 635,-17.032 191,-2.349 075),

        通過上述分析得出,系統(tǒng)(1)在平衡點pH處有一對實部為零的共軛特征根,因此可知系統(tǒng)(1)在分岔點H處發(fā)生了Hopf分岔。

        (a)系統(tǒng)(1)平衡點曲線與Hopf分岔點 (b)特征根隨外部刺激電流的變化曲線圖1 系統(tǒng)隨外界刺激電流變化時的兩類曲線Fig.1 Two types of curves of the system as a function of external stimulus current

        3 Hopf分岔類型的判定

        對一些高維的非線性系統(tǒng)來說,求解特征根較繁瑣,可用一種較為簡便的方法求解特征多項式的根,以此來判定Hopf分岔的類型及其穩(wěn)定性,從而簡化高維系統(tǒng)的計算,較為簡便。

        令系統(tǒng)(1)為

        X'=F(x)

        (5)

        式(5)中:

        下步判斷系統(tǒng)(5)在平衡點pH=(-1.305 042,-7.053 972,1.1896 35,-17.032 191,-2.349 075)處的Hopf分岔類型,此時的外界刺激電流I=0.843 392 μA/cm2,在平衡點pH處的線性化矩陣為

        矩陣ApH的特征根為

        144。

        將系統(tǒng)(5)的線性部分提出改寫為:

        X′=F(X)=ApHX+G(X)

        (6)

        則:

        X'=PY'=ApH(PY+pH)+(PY+pH)

        (7)

        從而:

        (8)

        按照Hopf分岔理論可得Hopf分岔穩(wěn)定性判別式為

        (9)

        穩(wěn)定性指標(biāo)ηH決定Hopf分岔周期解的穩(wěn)定性,當(dāng)ηH<0或者(ηH>0)時,系統(tǒng)(5)分岔產(chǎn)生的周期解是穩(wěn)定(不穩(wěn)定)的,即系統(tǒng)發(fā)生了超臨界Hopf分岔(亞臨界Hopf分岔),也就是分岔周期解的周期是增加(減小的),判別式(9)中各個量的相關(guān)計算表達(dá)式為:

        通過計算可知,穩(wěn)定性指標(biāo)ηH=0.055 92>0,因此可知系統(tǒng)(1)在平衡點pH發(fā)生了亞臨界Hopf分岔,從而在分岔點H前后系統(tǒng)(1)的穩(wěn)定性發(fā)生了改變,由不穩(wěn)定態(tài)變?yōu)榉€(wěn)定狀態(tài),并且系統(tǒng)(1)會產(chǎn)生不穩(wěn)定的極限環(huán)。

        4 數(shù)值模擬

        通過上述理論分析可知,當(dāng)外界刺激電流為IH時,系統(tǒng)(1)在平衡點pH發(fā)生亞臨界Hopf分岔,從而使膜電壓x的放電特性發(fā)生變化,因此有必要分析系統(tǒng)(1)在Hopf分岔點H附近的放電特性。當(dāng)外界刺激電流為I1=0.83 μA/cm2時,此時系統(tǒng)的平衡點為:q=(-1.307 749,-7.110 632,1.178 898,-16.269 609,-2.353 948),在該平衡點處線性矩特征根

        所以平衡點q是穩(wěn)定的結(jié)焦點。

        當(dāng)外界刺激電流為I1,初值為(-2.307 749,-7.110 632,1.178 898,-16.269 609,-2.353 948)時,系統(tǒng)(1)膜電壓x的時間響應(yīng)圖和相軌跡如圖2(a)、(b)所示,此時的膜電壓x為穩(wěn)定的靜息態(tài)。當(dāng)外界刺激電流I1保持不變,取初值為(-5.307 749,-7.110 632,1.178 898,-16.269 609,-2.353 948)時,系統(tǒng)(1)的膜電壓x的時間序列圖和相軌跡如圖2(c)、(d)所示,此時膜電壓x是周期為2的尖峰放電狀態(tài),它的相軌跡為穩(wěn)定的極限環(huán)。由此可知,當(dāng)外界刺激電流I1保持不變時,初值取值不同,系統(tǒng)(1)的放電模式也會不同,并且產(chǎn)生了隱藏放電現(xiàn)象。

        (a)膜電壓x的時間序列圖 (b)相軌跡

        (c)膜電壓x的時間序列圖 (d)相軌跡圖2 系統(tǒng)(1)的放電分析Fig. 2 Discharge analysis of system (1)

        系統(tǒng)(1)在平衡點q處的隱藏動力學(xué)行為如圖3所示。圖3中黑星表示平衡點q;紅色區(qū)域表示穩(wěn)定平衡點的吸引域,此時膜電壓x處于靜息態(tài);藍(lán)色區(qū)域表示隱藏吸引子吸引域,此時膜電壓處于周期為2的尖峰放電。當(dāng)外界刺激電流為I1時,系統(tǒng)(1)對于不同的初始狀態(tài)有著不同的放電特性,從而揭示了神經(jīng)元模型在發(fā)生亞臨界Hopf分岔時,在平衡點q處產(chǎn)生了隱藏放電現(xiàn)象。因為與神經(jīng)元相關(guān)的各種疾病都是由于神經(jīng)元發(fā)生異常而引起的,所以控制系統(tǒng)(1)的隱藏放電行為具有很重要的實際意義。

        5 隱藏動力學(xué)控制

        由于系統(tǒng)(1)在分岔點H處發(fā)生亞臨界Hopf分岔,并且在其附近發(fā)現(xiàn)隱藏的極限環(huán)吸引子,使神經(jīng)元膜電壓產(chǎn)生隱藏放電行為。本小節(jié)基于Washout分岔控制器,對分岔點H的Hopf分岔類型進(jìn)行控制,在不改變平衡點pH位置的前提下,使其亞臨界Hopf分岔轉(zhuǎn)化為超臨界Hopf分岔,從而使系統(tǒng)(1)在分岔點H處附近的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)生改變,由此達(dá)到消除膜電壓隱藏放電的目的,施加控制后的神經(jīng)元系統(tǒng)如(10)所示。

        (10)

        受控系統(tǒng)(10)中的v為Washout濾波器的狀態(tài)變量,n為控制器的反饋增益,ξ為濾波器時間常數(shù)的倒數(shù)。當(dāng)ξ<0時為不穩(wěn)定的Washout控制器;當(dāng)ξ>0時為穩(wěn)定的Washout控制器,因此選取ξ=-0.035,其余參數(shù)取值與系統(tǒng)(1)參數(shù)取值一樣,u=n(x+ξv)3,W(φ)=α+3βφ2。

        當(dāng)外界刺激電流I1=0.83 μA/cm2時,此時受控系統(tǒng)(10)的平衡點為:q'=(q,v')=(-1.307 749,-7.110 632,1.178 898,-16.269 609,-2.353 948,-37.364 256),通過數(shù)值仿真發(fā)現(xiàn),當(dāng)反饋增益n<-0.377 8時,不管膜電壓取何值,受控系統(tǒng)(10)的隱藏放電行為完全消失,反饋增益n對受控系統(tǒng)(10)的隱藏放電的影響如圖4所示。圖4中藍(lán)色區(qū)域表示穩(wěn)定的吸引域,此時受控系統(tǒng)(10)膜電壓x處于靜息態(tài);紅色區(qū)域表示隱藏的吸引子,此時受控系統(tǒng)(10)膜電壓處于周期為2的尖峰放電;黑星表示受控系統(tǒng)(10)的平衡點。

        圖3 系統(tǒng)(1)在平衡點q處的隱藏放電區(qū)域分析Fig. 3 Analysis of hidden discharge area at equilibrium point q in system (1)圖4 反饋增益n對受控系統(tǒng)(10)膜電壓x的放電影響Fig. 4 Effect of feedback gain (n)on discharge voltage of controlled system (10) membrane (x)

        6 結(jié)論

        基于理論分析與數(shù)值仿真相結(jié)合的方法發(fā)現(xiàn),當(dāng)外界刺激電流I1保持不變時,取不同的初值,系統(tǒng)(1)的放電模式也會不同。通過引入磁通量來分析e-HR神經(jīng)元模型的分岔分析與平衡點的分布及穩(wěn)定性可知,系統(tǒng)(1)存在一個分岔點H,且在分岔點H處發(fā)生亞臨界Hopf分岔,并且在它的附近發(fā)現(xiàn)了隱藏的極限環(huán)吸引子。運用Washout分岔控制器,對分岔點H進(jìn)行Hopf分岔控制,使其亞臨界Hopf分岔轉(zhuǎn)化為超臨界Hopf分岔,從而實現(xiàn)消除膜電壓隱藏放電的目的。研究結(jié)果有助于探究和控制神經(jīng)元的隱藏放電行為。

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