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        一種提高壓電整流功率的被動設(shè)計方案

        2020-04-23 11:17:22唐鎖
        電子技術(shù)與軟件工程 2020年8期
        關(guān)鍵詞:區(qū)域

        唐鎖

        (合肥工業(yè)大學(xué) 安徽省合肥市 230009)

        1 全橋整流器

        在過去的十年中,壓電振動能量采集已經(jīng)顯示出其通過將環(huán)境動能轉(zhuǎn)換為電能來為無線傳感器節(jié)點提供動力的前景[1]-[2]。典型PT 的原始輸出功率在數(shù)毫瓦和數(shù)百毫瓦之間變化,這取決于PT 的規(guī)模、結(jié)構(gòu)和壓電材料。雖然這可以為一些低功率的電子設(shè)備提供動力,但它不能直接使用,因為它是一種非常不穩(wěn)定的交流能源。實際可用功率很大程度上取決于所用整流電路的轉(zhuǎn)換效率[3]-[4]。

        PT 最廣泛使用的整流器是全橋整流器,它在PT 和儲能電容器[5]之間使用四個無源二極管。電路圖和相關(guān)波形如圖1 所示。當(dāng)PT 振動時,可將其模擬為與電容器CP并聯(lián)的電流源IP。固有電容器CP由PT 的上下電極層形成。輸出端連接儲能電容器CS,以存儲整流后的直流電源。波形顯示,為了克服FBR 設(shè)置的電壓閾值并將能量傳輸?shù)紺S,PT 上的電壓需要達(dá)到VS+2VD或-(VS+2VD),其中VS是CS上的電壓,VD是二極管的正向電壓降。在每半個振動周期后,VPT的極化發(fā)生變化;因此,一些產(chǎn)生的能量被浪費掉,使VPT從VS+2VD翻轉(zhuǎn)為-(VS+2VD),反之亦然。圖中用黑色區(qū)域表示能量浪費的部分。當(dāng)VPT翻轉(zhuǎn)達(dá)到兩個閾值中的一個時,這半周期內(nèi)產(chǎn)生的剩余能量可以轉(zhuǎn)移到CS中。

        當(dāng)VPT翻轉(zhuǎn)達(dá)到兩個閾值中的一個時,這半周期內(nèi)產(chǎn)生的剩余能量可以轉(zhuǎn)移到CS中。為了克服該閾值,PT 產(chǎn)生的開路電壓幅值,即VOC,需要高于VS+2VD,使FBR 的功率轉(zhuǎn)換效率不為零。這種情況可以表示為:

        這是FBR 開始運行的條件,如果不滿足式(1)的條件,則連續(xù)翻轉(zhuǎn)VPT會浪費PT 產(chǎn)生的所有能量,在這種情況下,功率轉(zhuǎn)換效率為零。即使沒有消耗PT 產(chǎn)生的所有能量,轉(zhuǎn)換效率也可能非常低,因為大部分能量都被浪費了。如果PT 在線性范圍內(nèi)振動,則開路振幅VOC與施加的激勵水平成比例。當(dāng)PT 在低激勵水平的地方實施時,VOC可能過低,無法滿足(1)中的條件。特別是,當(dāng)采用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)PT 時,VOC可低至幾百毫伏。在這種情況下,當(dāng)電壓VS達(dá)到VOC水平時,F(xiàn)BR 的功率提取效率為零。

        2 提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

        在本節(jié)中,將所提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行介紹。對于能量收集系統(tǒng)中使用的PT,頂部和底部電極層通常設(shè)計為整體式,如圖2 所示,本文所提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將電極層分裂成即n 個相等區(qū)域。由于產(chǎn)生的n 個電極區(qū)域保持在具有相同驗證質(zhì)量的公共基板上,而PT 是振動的,因此n 個區(qū)域中產(chǎn)生的電壓信號具有相同的振幅、頻率和相位。因此,n 個區(qū)域可以串聯(lián)連接,產(chǎn)生的開路電壓增加n。PT產(chǎn)生的開路電壓越高,越容易克服后續(xù)整流電路設(shè)定的閾值,因此,整流功率顯著增加。

        3 理論分析

        本節(jié)分析了PT 的原始輸出功率。原始輸出功率是指與阻抗匹配的PT 連接的電阻負(fù)載所消耗的功率。假設(shè)相鄰電極區(qū)域之間的間隙可以忽略不計,且這些間隙對振動振幅和頻率的影響也可以忽略不計,則單片PT 可以視為并聯(lián)的n 區(qū)域PT。

        圖1:全橋整流器和相關(guān)波形

        作為第一步,對整體模型進(jìn)行了分析。當(dāng)PT 被激發(fā)時,IP和CP分別是單片模型的電流源和內(nèi)部電容。電流源可表示為為激勵頻率。因此,可以計算出半個周期(T/2)內(nèi)PT 產(chǎn)生的總能量為:

        假設(shè)PT 作為開路運行,產(chǎn)生的所有能量流入CP。因此,開路產(chǎn)生的峰值電壓振幅為:

        當(dāng)電極層分裂成n 個相等的區(qū)域后,一個區(qū)域的面積為整體區(qū)域的1/n。因此,每個區(qū)域的電流源和固有電容可以分別表示為IP/n 和CP/n。當(dāng)n 區(qū)域串聯(lián)連接時,產(chǎn)生的PT 的等效電流源和固有電容分別為IP/n 和CP/n2。因此由公式(3)可推導(dǎo)出開路電壓振幅變?yōu)閚VOC。

        假設(shè)電極分為n 個區(qū)域,如前所述,相應(yīng)的電流源和固有電容為IP/n 和CP/n2。數(shù)字n 可以是任何正整數(shù)。當(dāng)n=1 時,分析模型是一個不分裂電極的整體模型。在IP的半個周期內(nèi),產(chǎn)生的總電荷可以表示為:

        如圖1 波形所示,電壓VPT在(VS+2VD)和(VS+2VD)之間翻轉(zhuǎn)時,會浪費一定量的電荷。因此,假設(shè)滿足(1)中的條件,則在翻轉(zhuǎn)VPT后可以轉(zhuǎn)移到CS的剩余電荷計算如下:

        又因為電極層分裂為n 個相等區(qū)域后的開路電壓是電極層分裂之前開路電壓的n 倍,上述方程改寫為:

        假設(shè)與VS相比,CS中的電壓增加很小,根據(jù)E=VQ 可以計算出在這半個周期內(nèi)轉(zhuǎn)移到CS中的能量是:

        因此,根據(jù)P=E/T 可計算出這半周期的平均整流功率為:

        將上述方程的導(dǎo)數(shù)設(shè)為0,可以發(fā)現(xiàn)PFBR(n)達(dá)到其最大功率,而VS等于最佳電壓,表示為:

        所以FBR 的最大輸出功率可以表示為:

        公式(10)中所示的功率是使用所提出的分裂電極方法的FBR獲得的最大功率??梢钥闯?,該方法通過減小二極管正向電壓降的影響,提高了輸出功率。

        整流器的功率轉(zhuǎn)換效率定義為整流器的輸出功率與輸入功率之比,可表示為η=PO/Pin。為了分析FBR 整流器的功率效率,需要對其輸出功率PO 和輸入功率Pin 進(jìn)行分析。

        對于FBR 整流器,當(dāng)PT 的電極被分成串聯(lián)的n 個相等區(qū)域時,最佳VS 值由公式(9)給出。因此,由公式(9)可以看出FBR 整流器的輸入電壓值為比FBR 的n=1 情況高n 倍。由于n 區(qū)域PT 產(chǎn)生的流入整流器的電流減少了n 倍,因此FBR 整流器的輸入功率Pin不會因n值的變化而改變。由于功率效率表示為η=PO/Pin,因此與采用傳統(tǒng)單片電極(n=1)的PTS相比,F(xiàn)BR 整流器的功率效率(n>1)有所提高,因為PO增加而Pin保持不變。

        4 仿真

        為了驗證理論分析,我們對提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在Candance 上進(jìn)行了仿真。其中VOC=1.5 V,VD=0.3 V,CP為3.52 nF。接下來我們對FBR 使用不同的串聯(lián)配置,通過測量存儲電容器兩端的電壓VS計算不同串聯(lián)配置下FBR 的輸出功率,VOC=1.5 V,VD=0.3 V,并將結(jié)果繪制成圖3。

        計算功率時,能量以Cs 為單位增加,除以充電所用的時間。由圖3 可知,與n=1 相比,n=2、4 和8 配置分別增加了1.7 倍、2.1倍和2.3 倍的輸出。此外,n=2、4 和8 配置的最大功率點在更高的Vs 值下實現(xiàn),這些結(jié)果與理論計算非常吻合,并顯示出所提出拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的明顯性能改進(jìn)。

        5 結(jié)論

        通過本文的理論分析和仿真結(jié)果表明,不同的連接配置重新配置了PT 產(chǎn)生的電壓和電流之間的分布,增加了PT 的開路電壓,使產(chǎn)生的能量很容易克服整流電路設(shè)定的閾值。因此,整流功率顯著增加。

        圖2:將整體電極層分裂成n 個區(qū)域

        圖3:不同串聯(lián)配置下輸出功率隨VS 變化圖

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