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        一種基于虛擬陣元的超波束形成方法*

        2020-03-27 06:37:44馬曉強(qiáng)
        火力與指揮控制 2020年1期
        關(guān)鍵詞:旁瓣協(xié)方差方位

        馬曉強(qiáng),江 寧

        (1.四川郵電職業(yè)技術(shù)學(xué)院通信工程系,成都 610067;2.電子科技大學(xué)信息與通信工程學(xué)院,成都 611731)

        0 引言

        在雷達(dá)、聲納、通訊等領(lǐng)域中,常規(guī)波束形成(Conventional Beam-Forming,CBF)能夠?qū)Σㄟ_(dá)方向(Direction of Arrival,DOA)進(jìn)行信號合成、增強(qiáng)輸出數(shù)據(jù)中信噪比含有量,易于實(shí)現(xiàn),寬容性好,在陣列信號處理中被廣泛應(yīng)用[1-5]。但該方法存在主波束寬、旁瓣級高、能量泄漏等缺點(diǎn),易引起旁瓣干擾,不利于弱目標(biāo)檢測。

        為了克服CBF 方法存在的主波束寬、旁瓣級高等缺點(diǎn),研究學(xué)者提出了一種波束銳化方法:超波束形成方法(Hyper Beam-forming,HBF)[6-8],該方法在陣列孔徑保持不變情況下,有效減小了CBF 主波束寬度,抑制了旁瓣,解決了空間加權(quán)方法在進(jìn)行旁瓣抑制和波束銳化折中選擇問題。

        由現(xiàn)有文獻(xiàn)[9-12]可知,現(xiàn)有HBF 方法的實(shí)現(xiàn)過程通常為通過對接收陣分子陣做波束形成,形成同一方向波束對,然后在對該波束對進(jìn)行和差波束運(yùn)算,最后對和差波束運(yùn)算結(jié)果進(jìn)行合成,使波束圖銳化。該過程在信噪比較高情況下,可很好實(shí)現(xiàn)主波束銳化和旁瓣抑制[13-15],但該過程分子陣所用陣元數(shù)為接收陣一半,在實(shí)現(xiàn)主波束銳化和旁瓣抑制時(shí),其所能達(dá)到的最低信噪比有限,在一定信噪比下不能實(shí)現(xiàn)對弱目標(biāo)檢測。

        為了提高HBF 在低信噪比應(yīng)用中的魯棒性,依據(jù)陣元間協(xié)方差矩陣同一斜對角線上不同元素具有相同相位差的特點(diǎn)[16-17],按互相關(guān)方法對接收陣進(jìn)行虛擬擴(kuò)展;然后按HBF 思想分子陣分裂波束形成;最后對分裂波束形成結(jié)果進(jìn)行合成,得到改善的超波束形成結(jié)果,本文稱之為基于虛擬陣元的超波束形成方法(Hyper Beam-forming Based on Virtual Array Element,VAEHBF)。

        數(shù)值仿真和實(shí)測數(shù)據(jù)處理結(jié)果表明,相比HBF,本文方法通過對接收陣進(jìn)行虛擬擴(kuò)展,在保持分辨力不變的情況下,進(jìn)一步提高了合成波束增益,對最低信噪比的適應(yīng)能力得到了3 dB 改善,提高了HBF 的目標(biāo)檢測性能及方位估計(jì)能力。

        1 HBF 方法

        1.1 基本原理

        圖1 HBF 分裂波束示意圖

        為了更直觀說明HBF 輸出波束過程,如圖1 所示,對于相鄰陣元間距為d 的N 接收陣,波長為、方位為θ 的目標(biāo)信號,則相鄰陣元接收目標(biāo)信號相位差為。期望波束方位為θ0,相鄰陣元插入相移因子。令目標(biāo)信號為單位信號,以陣元1 作為參考點(diǎn),左、右子陣對應(yīng)波束表達(dá)式RL和RR可分別表示為[13]

        根據(jù)HBF 合成中和波束RS、差波束RD[4-5]表達(dá)式,可得RS和RD的輸出為

        根據(jù)HBF 合成波束公式,RH輸出為

        式中,n 為HBF 階數(shù),通過調(diào)整n 可獲得相應(yīng)寬度主波束輸出。n 通常取n∈[0.3,1],隨著n 減小,HBF 輸出主波束寬度減小。

        1.2 性能仿真

        為了對HBF 基本原理和實(shí)際應(yīng)用效果做進(jìn)一步說明分析,接下來采用陣元數(shù)為N=16 的半波長接收陣進(jìn)行數(shù)值仿真說明,仿真結(jié)果如下。

        由圖2 可知,在波達(dá)方向上,“差波束”最小,“和波束”最大,且兩者旁瓣位于相同方位上,因此,可通過兩者相減獲得窄波束和低旁瓣級波束輸出。

        圖2 和波束與差波束的輸出

        圖3 進(jìn)一步驗(yàn)證了圖2 仿真結(jié)果和HBF 特性,即當(dāng)目標(biāo)方位和波束合成方向相同時(shí),RS=2RL,RD=0;當(dāng)目標(biāo)方位和波束合成方向偏離較大時(shí),RS減小,RD增大,進(jìn)而使式(3)輸出RH得到銳化。

        圖3 CBF 與HBF 輸出波束比較

        圖4 不同階數(shù)下的HBF 輸出波束

        另外,由圖4 可知,隨著階數(shù)n 減小,HBF 主波束寬度和旁瓣級同時(shí)減小。

        該仿真結(jié)果表明,HBF 可在陣列孔徑保持不變的情況下,有效減小了CBF 主波束寬度,抑制了旁瓣,解決了空間加權(quán)方法在進(jìn)行旁瓣抑制和波束銳化折中選擇問題。

        2 VAEHBF 方法

        2.1 基本原理

        由式(3)可知,RH輸出波束對目標(biāo)探測能力受RL影響。為了提高RH輸出波束對目標(biāo)探測能力,VAEHBF 依據(jù)陣元間協(xié)方差矩陣同一斜對角線上不同元素具有相同相位差的特點(diǎn),對協(xié)方差矩陣同一斜對角線上不同元素進(jìn)行疊加運(yùn)算,可虛擬出與接收陣相同數(shù)據(jù)的接收陣元。

        令接收陣接收數(shù)據(jù)協(xié)方差矩陣為R,對R 進(jìn)行互相關(guān)處理可得一維新數(shù)據(jù)X'。

        此時(shí),可按圖5 所示分子陣方法對擴(kuò)展后接收陣進(jìn)行分裂波束形成。

        圖5 VAEHBF 分裂波束示意圖

        同樣,令目標(biāo)信號為單位信號,以虛擬陣元1-N作為參考點(diǎn),左、右子陣對應(yīng)波束表達(dá)式RL'和RR'可分別表示為

        由式(5)可得RS'和RD'的輸出為

        由式(6)可得RH'輸出為

        由式(7)可知,RH'輸出波束對目標(biāo)探測能力受RL'影響。

        根據(jù)空間增益理論可知,采用RL'和RL形式所得空間增益分別為

        式中,log(·)以10 為底對數(shù)函數(shù)。

        2.2 實(shí)現(xiàn)流程及運(yùn)算量分析

        由第2.1 節(jié)理論分析可知,VAEHBF 方法可分為如下步驟實(shí)現(xiàn):

        步驟1)對接收陣接收數(shù)據(jù)進(jìn)行共軛相乘,得到接收陣接收數(shù)據(jù)協(xié)方差矩陣R;

        步驟2)按式(4)對協(xié)方差矩陣R 進(jìn)行互相關(guān)處理,可得一維新數(shù)據(jù)X';

        步驟3)按圖5 分子陣方法對擴(kuò)展后接收陣進(jìn)行分裂波束形成,可得左、右子陣對應(yīng)波束表達(dá)式RL'和RR'。

        步驟4)由式(5)和式(6),根據(jù)相應(yīng)階數(shù)n,得到相應(yīng)超波束形成結(jié)果。

        由以上實(shí)現(xiàn)過程可知,VAEHBF 方法相比HBF方法,運(yùn)算量增加量主要為:增加了步驟1)和步驟2)運(yùn)算以及步驟3)中分子陣陣元增加1 倍波束形成運(yùn)算??偟挠?jì)算復(fù)雜度增加了N2+N 復(fù)乘運(yùn)算和N(N+2)復(fù)加運(yùn)算;隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的進(jìn)步,以上N2+N 復(fù)乘運(yùn)算和N(N+2)復(fù)加運(yùn)算的增加對VAEHBF 方法在實(shí)際應(yīng)用中的影響有限。

        2.3 數(shù)值仿真分析

        為了對比VAEHBF 與HBF 方法對最低信噪比的適應(yīng)能力,同樣采用陣元數(shù)為N=16 的半波長接收陣進(jìn)行數(shù)值仿真說明。圖6 為不同輸入信噪比下,按式(9)計(jì)算200 次獨(dú)立統(tǒng)計(jì)所得方位估計(jì)值的均方根誤差(Root Mean Square Error,RMSE),圖7為正確檢測目標(biāo)概率;圖8 和圖9 為輸入信噪比-10 dB 情況下,由2 種方法所得方位歷程圖。圖10為某一時(shí)刻由2 種方法所得波束圖。

        圖6 方位估計(jì)均方根誤差

        圖7 正確檢測目標(biāo)概率

        圖8 HBF 所得方位歷程圖

        圖9 VAEHBF 所得方位歷程圖

        圖10 波束圖

        由圖6 和圖7 可知,由于VAEHBF 通過對接收陣進(jìn)行虛擬擴(kuò)展,提高了分子陣波束形成空間增益和探測能力,在同一均方根誤差情況下,相比HBF方法,VAEHBF 方法對目標(biāo)的檢測能力提高了3 dB,數(shù)值仿真結(jié)果與理論分析一致。

        同時(shí),由圖8 至圖10 可知,相比HBF 方法,VAEHBF 方法通過對接收陣進(jìn)行虛擬擴(kuò)展,提高超波束形成對最低信噪比的適應(yīng)度,在信噪比為-10 dB情況下,VAEHBF 方法可有效實(shí)現(xiàn)對80°目標(biāo)的檢測,而在HBF 方法所得波束中,60°、100°和120°處背景噪聲形成峰值已超過80°處目標(biāo)信號形成的峰值,無法實(shí)現(xiàn)對80°處目標(biāo)有效檢測。該結(jié)果與圖7所示結(jié)果相對應(yīng),即在信噪比為-10 dB 情況下,HBF 方法對目標(biāo)的正確檢測概率只有35 %左右,而VAEHBF 方法對目標(biāo)的正確檢測概率為70%左右,遠(yuǎn)大于HBF 方法對目標(biāo)的正確檢測概率。

        3 實(shí)測數(shù)據(jù)處理

        為了進(jìn)一步說明VAEHBF 與HBF 方法在實(shí)際應(yīng)用中效果,采用實(shí)測數(shù)據(jù)對其進(jìn)行分析說明,本次實(shí)測數(shù)據(jù)為進(jìn)行目標(biāo)檢測試驗(yàn)所得,實(shí)驗(yàn)采用32元水平線陣接收信號,陣間隔為1 m。

        本次處理實(shí)測數(shù)據(jù)長度為120 s,所用采樣率為fs=5 kHz。濾波器頻帶為fl=600 Hz~900 Hz,圖11 和圖12 為HBF 和VAEHBF 所得方位歷程圖。

        圖11 HBF 所得方位歷程圖

        圖12 VAEHBF 所得方位歷程圖

        由圖11 和圖12 可知,相比HBF 方法,VAEHBF 方法通過對接收陣進(jìn)行虛擬擴(kuò)展,可以在不同時(shí)刻清晰地顯示80°~110°內(nèi)不同方位處的弱目標(biāo)運(yùn)動(dòng)軌跡。實(shí)測數(shù)據(jù)處理結(jié)果進(jìn)一步得到證實(shí),相比HBF 方法,VAEHBF 方法在保持分辨力不變的情況下,可進(jìn)一步提高合成波束增益,提高了目標(biāo)檢測性能及方位估計(jì)能力。

        4 結(jié)論

        本文提出了一種基于虛擬陣元的超波束形成方法,該方法依據(jù)陣元間協(xié)方差矩陣同一斜對角線上不同元素具有相同相位差的特點(diǎn),首先按互相關(guān)方法對接收陣進(jìn)行虛擬擴(kuò)展;然后按HBF 思想分子陣分裂波束形成;最后對分裂波束形成結(jié)果進(jìn)行合成,提高了HBF 對最低信噪比適應(yīng)能力。理論分析、數(shù)值仿真和實(shí)測數(shù)據(jù)處理結(jié)果表明,相比HBF,本文方法通過對接收陣進(jìn)行虛擬擴(kuò)展,在保持分辨力不變的情況下,進(jìn)一步提高了合成波束增益,對最低信噪比的適應(yīng)能力得到了3 dB 改善,提高了HBF的目標(biāo)檢測性能及方位估計(jì)能力。

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