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        考慮繞組間全電容參數(shù)的牽引變壓器頻率響應(yīng)建模

        2020-03-20 00:59:06周利軍江俊飛劉桓成高仕斌
        鐵道學(xué)報(bào) 2020年2期
        關(guān)鍵詞:變壓器模型

        周利軍,李 威,江俊飛,劉桓成,高仕斌

        (1.西南交通大學(xué) 電氣工程學(xué)院,四川 成都 610031;2.中國(guó)工程物理研究院 材料研究所,四川 綿陽(yáng) 621908)

        牽引變壓器是牽引供電系統(tǒng)的核心設(shè)備之一,其能否可靠運(yùn)行直接關(guān)系到牽引供電系統(tǒng)的安全與穩(wěn)定[1]。由于牽引負(fù)荷波動(dòng)性較大,短時(shí)可能出現(xiàn)嚴(yán)重的過(guò)負(fù)荷現(xiàn)象,且易發(fā)生短路故障。繞組在大電流沖擊下承受巨大的電磁力,當(dāng)其機(jī)械強(qiáng)度不足時(shí),可能發(fā)生各種形變、整體的軸向移位、局部的曲翹變形等[2-4]。因此,開(kāi)展變壓器繞組變形診斷技術(shù)的研究尤為重要。

        頻率響應(yīng)法由于具有抗干擾能力強(qiáng)、靈敏度高、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn),是目前國(guó)內(nèi)外診斷繞組變形的主要方法之一[5-7]。該方法的研究工作主要集中在建模仿真、小型化物理模型實(shí)驗(yàn)以及現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)這三類(lèi)。在仿真建模方面,目前主要采用的仿真模型有黑箱模型、多導(dǎo)體傳輸模型、集總參數(shù)電路模型。黑箱模型是通過(guò)矢量匹配法擬合測(cè)量得到的導(dǎo)納矩陣來(lái)對(duì)變壓器繞組進(jìn)行建模,但其無(wú)法反映變壓器內(nèi)部繞組的具體信息[8-9];多導(dǎo)體傳輸線模型是基于傳輸線理論的分布參數(shù)模型,是將線匝模擬成多根相互耦合并且首尾相連的多導(dǎo)體傳輸線,由于大型變壓器線匝數(shù)量龐大,該方法的計(jì)算工作量大[10-12];混合多導(dǎo)體傳輸模型基于行波理論和多導(dǎo)體模型提出,將一個(gè)線餅作為一根傳輸線以簡(jiǎn)化建模,但是模型的精確度降低,更多用于高頻分析[13-14];集總參數(shù)電路模型以單個(gè)或多個(gè)線餅為單元,通過(guò)電阻、電感、電容等基本單元構(gòu)建繞組等效電路,該方法既簡(jiǎn)化了建模計(jì)算,又能夠準(zhǔn)確反映變壓器內(nèi)部的具體結(jié)構(gòu)信息[15-17]。

        小型變壓器的集總參數(shù)電路模型的線餅單元較少、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,受不同線餅間電容的影響較小,其仿真結(jié)果精確度較高。但隨著變壓器容量的增加,其內(nèi)部線餅數(shù)量增加體積增大,繞組結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜,內(nèi)部繞組間線餅的不對(duì)稱(chēng)性加劇,受線餅間電容的影響較大,而傳統(tǒng)集總參數(shù)電路模型忽略了該電容的影響,不能準(zhǔn)確的描述繞組間電容的耦合關(guān)系。為進(jìn)一步提高大型變壓器的頻率響應(yīng)仿真精確度,本文在傳統(tǒng)集總參數(shù)電路模型的基礎(chǔ)上,考慮了繞組間全電容參數(shù),對(duì)模型進(jìn)行了改進(jìn)。

        1 牽引變壓器模型

        型號(hào)為QYS-R-(31500+25000)/220的牽引變壓器是組合式V/X接線牽引變壓器,由兩臺(tái)單相雙柱3繞組變壓器置身于同一油箱組成,其中每柱由牽引繞組(T)、饋電繞組(F)和高壓繞組(H)構(gòu)成,T繞組首端與接觸網(wǎng)相連,F(xiàn)繞組首端與正饋線相連,T繞組和F繞組的末端相連形成中性點(diǎn)N與軌道相連,具體的接線形式見(jiàn)圖1。25 MVA的單相變壓器其繞組具體排列結(jié)構(gòu)及尺寸見(jiàn)圖2。T繞組和F繞組都是連續(xù)式繞組,由70個(gè)線餅構(gòu)成,而H繞組是組合式繞組,其繞制結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,包含連續(xù)式、糾結(jié)式和內(nèi)屏蔽式繞組三種繞組形式,由82個(gè)線餅構(gòu)成。

        圖1 V/X牽引變壓器接線圖

        圖2 變壓器繞組排列結(jié)構(gòu)及尺寸圖(單位:mm)

        圖3 牽引變壓器常規(guī)集總電路模型

        1.1 傳統(tǒng)集總參數(shù)電路

        根據(jù)傳統(tǒng)集總參數(shù)電路模型,建立牽引變壓器常規(guī)集總參數(shù)電路模型見(jiàn)圖3,考慮到牽引變壓器的線餅數(shù)量較多,為減少模型計(jì)算量,以雙線餅為基本電路單元。n1、n2、n3分別為H繞組、F繞組和T繞組的基本單元數(shù)?;締卧煽v向等值電容(Cs1、Cs2、Cs3)、縱向電導(dǎo)(Gs1、Gs2、Gs3)、電感(L1、L2、L3)、電阻(R1、R2、R3)構(gòu)成,并且考慮繞組之間對(duì)應(yīng)位置的電容(Ck1、Ck2)和電導(dǎo)(Gk1、Gk2),H繞組和T繞組的對(duì)地電容(Cg1、Cg2)和電導(dǎo)(Gg1、Gg2),以及每個(gè)基本單元之間的互感M。其中,T繞組和F繞組餅數(shù)一致,都有70個(gè)線餅,35個(gè)基本單元。而H繞組有82個(gè)線餅,41個(gè)基本單元,與F繞組基本單元數(shù)不對(duì)稱(chēng),利用等效的方法,將H繞組的41個(gè)基本單元等效為35個(gè)基本單元,建立了傳統(tǒng)的集總參數(shù)電路模型。

        1.2 改進(jìn)型集總參數(shù)電路

        由于傳統(tǒng)的集總參數(shù)電路模型對(duì)H繞組單元數(shù)進(jìn)行了等效,并且只考慮了繞組間對(duì)應(yīng)位置的電容,存在較大的誤差。為了提高模型的準(zhǔn)確性,對(duì)傳統(tǒng)的電路模型進(jìn)行改進(jìn),不采用等效的方法,而是考慮繞組間每?jī)蓚€(gè)基本單元之間的交叉電容,提出全電容集總參數(shù)電路模型。圖4為全電容電路模型,考慮H繞組的第p個(gè)基本單元與F繞組第q個(gè)單元之間的交叉電容Cp,q,以及F繞組的第q個(gè)基本單元與T繞組第s個(gè)單元之間的交叉電容Cq,s。

        圖4 全電容電路模型圖

        2 等效參數(shù)計(jì)算

        基于簡(jiǎn)化的牽引變壓器的實(shí)際結(jié)構(gòu),利用數(shù)值公式與有限元相結(jié)合的方法進(jìn)行參數(shù)計(jì)算,其中縱向等值電容、電阻和對(duì)地電容用數(shù)值公式法計(jì)算。考慮到電感參數(shù)和3個(gè)繞組間的全電容的計(jì)算量較大且數(shù)值計(jì)算誤差較大,所以電路模型中的電感、繞組間的電容參數(shù)通過(guò)在Ansoft Maxwell 軟件中搭建變壓器有限元模型計(jì)算。

        2.1 縱向等值電容參數(shù)

        縱向等值電容Cs包括線匝之間的匝間電容Ct和線餅之間的餅間電容Cd。匝間電容和餅間電容的計(jì)算可按平板電容公式[18]

        (1)

        式中:ε0為真空介電常數(shù);εp為匝間的等效介電常數(shù);da為線餅的平均直徑;h1為線匝的凈金屬高度;ap為匝間絕緣厚度;εd為餅間的等效介電常數(shù);B為線餅的徑向?qū)挾?;ad為餅間絕緣厚度。

        計(jì)算縱向等值電容時(shí),基于能量相等的原理,假定電壓均勻分布在線餅的各線匝上。對(duì)于連續(xù)式繞組,運(yùn)用能量相等的原理,得到雙餅的縱向等值電容Cs1[19]為

        (2)

        式中:N1為連續(xù)式繞組雙餅的匝數(shù)。

        由于牽引變壓器的H繞組包含普通糾結(jié)式繞組,其雙餅匝數(shù)為42匝,與連續(xù)式繞組相比,其相鄰線匝的電壓差增大。其匝間電容數(shù)值會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于餅間電容的數(shù)值,所以餅間電容的數(shù)值可以忽略不計(jì)。利用匝間總能量計(jì)算得到糾結(jié)式繞組的縱向等值電容Cs2[19]為

        (3)

        式中:N2為糾結(jié)式繞組雙餅的匝數(shù)。

        內(nèi)屏蔽式繞組是將附加的電容線匝直接卷入連續(xù)式線餅的內(nèi)部,并將其端頭包好,絕緣懸空斷開(kāi),所以屏蔽線匝并不參與變壓器的正常運(yùn)行。牽引變壓器H繞組包括屏9、屏7、屏5、屏2四種內(nèi)屏蔽跨二段屏式繞組,具體結(jié)構(gòu)形式見(jiàn)圖5,內(nèi)屏蔽式繞組的縱向等值電容Cs3[19]為

        (4)

        式中:N3為單餅屏蔽線匝的匝數(shù);N4為單餅工作線匝的匝數(shù);b為工作線匝的總厚度;b′為屏蔽線匝的總厚度。

        圖5 內(nèi)屏蔽式繞組

        2.2 對(duì)地電容參數(shù)

        電路模型中的對(duì)地電容,按同軸圓柱的電容公式,包括H繞組對(duì)油箱壁的電容Cg1和T繞組對(duì)鐵心的電容Cg2為

        (5)

        式中:εg1、εg2分別為H繞組與油箱壁間的等效介電常數(shù)和T繞組與鐵芯間的等效介電常數(shù);Ry為油箱內(nèi)壁的等效半徑;Rw為H繞組的外半徑;Rn為T(mén)繞組的內(nèi)半徑;Rt為鐵芯的外接圓半徑;hz為線圈的高度。

        2.3 電阻參數(shù)

        計(jì)算串聯(lián)電阻時(shí),考慮高頻情況下的集膚效應(yīng),每個(gè)基本單元的電阻

        (6)

        式中:l為基本單元的長(zhǎng)度;w為導(dǎo)體橫截面的徑向厚度;h為導(dǎo)體橫截面的軸向高度;μ為導(dǎo)體的磁導(dǎo)率;f為頻率;σ為導(dǎo)體的電導(dǎo)率。

        2.4 電感參數(shù)

        根據(jù)牽引變壓器的實(shí)際結(jié)構(gòu)尺寸和材料特性,在Ansoft Maxwell 軟件中搭建變壓器有限元模型,見(jiàn)圖6。由于墊塊、紙筒等對(duì)電感的計(jì)算影響較小,建模時(shí)忽略線餅之間的墊塊以及線圈之間的絕緣紙筒和撐條。為了得到變壓器模型的電感矩陣,進(jìn)行一系列的3維靜磁場(chǎng)模擬,對(duì)于n個(gè)導(dǎo)體的系統(tǒng),系統(tǒng)自動(dòng)進(jìn)行n次場(chǎng)模擬,基于靜電儲(chǔ)能原理得到導(dǎo)體間的電感

        (7)

        式中:Wij為第i個(gè)單元與第j個(gè)單元之間的儲(chǔ)能;Bi為第i個(gè)單元施加電流產(chǎn)生的磁通密度;Hj為第j個(gè)單元施加電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度。

        (8)

        式中:Lii為第i個(gè)單元的自感;Wii為對(duì)第i個(gè)單元施加電流I后的磁場(chǎng)儲(chǔ)能。第i個(gè)單元與第j個(gè)單元之間的互感Mij

        (9)

        圖6 變壓器有限元模型

        2.5 繞組間的電容參數(shù)

        求解繞組間的電容時(shí),將求解區(qū)域的介電常數(shù)設(shè)為繞組間的等效介電常數(shù)。利用三維靜電場(chǎng)分析得到繞組間的全電容矩陣C

        (10)

        式中:Cij為第i個(gè)單元與第j個(gè)單元之間的互電容;Cii為第i個(gè)單元的自電容,其數(shù)值是與其他單元互電容的總和。電容和靜電能量的關(guān)系為

        (11)

        式中:W為靜電能量;在三維靜電場(chǎng)下電容矩陣C中的元素為

        (12)

        3 集總參數(shù)電路的數(shù)學(xué)模型

        根據(jù)改進(jìn)后的集總參數(shù)電路模型,建立以電感電流和節(jié)點(diǎn)電壓為狀態(tài)變量的多端口狀態(tài)空間方程

        (13)

        式中:G為電導(dǎo)矩陣;L和R分別為電感矩陣和電阻矩陣;V和I分別為節(jié)點(diǎn)電壓向量和電感電流向量;Г為系數(shù)矩陣;電導(dǎo)矩陣G=2πfCtanδ,δ為導(dǎo)體絕緣介質(zhì)損耗角;矩陣C和Г可通過(guò)下面的式子構(gòu)造得到

        (14)

        (15)

        式中:CHF為H繞組與F繞組的全電容矩陣;CFH為CHF的轉(zhuǎn)置矩陣;CFT為F繞組與T繞組的全電容矩陣;CTF為CFT的轉(zhuǎn)置矩陣;O1和O2為零矩陣。

        當(dāng)在外部給節(jié)點(diǎn)k注入一個(gè)電壓Vk時(shí),有

        (16)

        式中:P為由矩陣Г去掉第k行后的第k列元素構(gòu)成的矩陣;Q為由矩陣C和矩陣G去掉第k行后的第k列元素相加再乘以jω構(gòu)成的矩陣,ω為角頻率。

        據(jù)式(16),得到

        (17)

        對(duì)式(17)進(jìn)行拉普拉斯變換,得到所有節(jié)點(diǎn)電壓和電感電流相對(duì)于施加電壓的傳遞函數(shù)H(s)

        (18)

        式中:E為單位對(duì)角矩陣;s為拉普拉斯算子。

        4 仿真分析及試驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證

        為了驗(yàn)證本文所提的改進(jìn)型集總參數(shù)電路模型的準(zhǔn)確性,根據(jù)實(shí)際的牽引變壓器進(jìn)行建模,利用公式法和有限元法得到電路模型中的各個(gè)參數(shù),然后通過(guò)狀態(tài)方程計(jì)算得到頻率從1~100 kHz的改進(jìn)模型和傳統(tǒng)模型的頻響仿真曲線,將其與現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)曲線進(jìn)行對(duì)比。圖7為現(xiàn)場(chǎng)的測(cè)試圖,試驗(yàn)對(duì)象是QYS-R-(31500+25000)/220牽引變壓器,試驗(yàn)采用的儀器是FRAX99繞組變形測(cè)試儀,分別測(cè)量了其中25 MVA變壓器3個(gè)繞組的頻響曲線。

        圖7 現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試牽引變壓器

        圖8 不同繞組牽引變壓器仿真與實(shí)測(cè)頻響曲線

        圖8為牽引變壓器3個(gè)繞組仿真頻響曲線與實(shí)測(cè)曲線的對(duì)比圖。由圖8(a)和圖8(b)可以看出,T繞組和F繞組的仿真曲線與實(shí)測(cè)曲線圖的吻合程度較高,顯示出相同的變化特征,并且曲線中存在兩個(gè)明顯的特征頻率諧振帶,在特征頻率帶內(nèi),改進(jìn)模型的頻響曲線更加接近實(shí)測(cè)曲線。頻率較低時(shí),雖然繞組的容抗較大,感抗較小,頻率響應(yīng)在低頻部分主要受電感的影響,但是考慮繞組間的全電容更加能夠反映出繞組內(nèi)部的耦合關(guān)系,所以改進(jìn)型的頻響曲線比傳統(tǒng)曲線更加接近實(shí)測(cè)曲線。隨著頻率的增大,繞組的感抗增大,容抗減小,頻響曲線受外部接線及雜散電容的影響較大,并且鐵芯的渦流效應(yīng)以及導(dǎo)體的集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致電感參數(shù)隨頻率變化,所以仿真曲線與實(shí)測(cè)曲線相比,諧振頻率點(diǎn)有一定的偏移。圖8(c)為H繞組的傳統(tǒng)模型曲線、改進(jìn)模型曲線和實(shí)測(cè)曲線對(duì)比圖,與T、F繞組的頻響曲線明顯不同,由于H繞組是組合式繞組,由連續(xù)式繞組、糾結(jié)式繞組和內(nèi)屏蔽式繞組構(gòu)成,繞組串聯(lián)電容參數(shù)相比T、F繞組復(fù)雜。H繞組的頻率響應(yīng)具有阻尼共振和反共振的“駝峰”形響應(yīng)特征,這些反諧振是由繞組屏蔽部分的高串聯(lián)電容引起的。H繞組在30 kHz左右出現(xiàn)明顯的反諧振點(diǎn),之后隨著頻率的增大,曲線幅度平緩的增加,平滑的響應(yīng)清晰地描述了組合式繞組的FRA特性。從圖8(c)中可以看出H繞組頻響曲線也存在兩個(gè)明顯的特征頻率諧振帶,仿真曲線與實(shí)測(cè)曲線在特征頻率帶內(nèi)的諧振點(diǎn)頻率上吻合較好,且曲線的變化趨勢(shì)一致,顯示出相同的變化特征,但是整體仿真曲線上比實(shí)測(cè)曲線表現(xiàn)出更快的幅值增加趨勢(shì)。由于高壓繞組結(jié)構(gòu)上的特殊性和復(fù)雜性,仿真結(jié)果是經(jīng)過(guò)一定的等效和簡(jiǎn)化,對(duì)地電容、縱向等值電容以及電感的計(jì)算與實(shí)際值會(huì)存在一定的偏差。H繞組對(duì)地電容包括對(duì)油箱壁的電容、對(duì)另一柱高壓繞組的電容以及對(duì)同一油箱內(nèi)另一臺(tái)變壓器的電容,電容效應(yīng)較為復(fù)雜,簡(jiǎn)化為利用同軸圓柱電容計(jì)算公式導(dǎo)致了誤差的存在。數(shù)值計(jì)算H繞組的縱向等值電容時(shí),由于H繞組線餅間油道有不同的高度,為了簡(jiǎn)化建模和計(jì)算,取油道的平均高度作為等效的油道高度,所以縱向等值電容的計(jì)算值與實(shí)際值也存在一定的偏差。有限元計(jì)算H繞組的電感的誤差在于將內(nèi)屏蔽式繞組的屏蔽線匝的厚度計(jì)入了正常運(yùn)行的工作線匝中,導(dǎo)致高壓繞組的電感值較實(shí)際值偏大,并且沒(méi)有考慮繞組電感隨頻率的變化。

        表1~表3分別記錄這三個(gè)繞組在特征頻率帶下的諧振頻率和幅值,由表1~表3可知,對(duì)比傳統(tǒng)模型的諧振點(diǎn),改進(jìn)的集中參數(shù)電路模型的諧振點(diǎn)更加接近實(shí)測(cè)值。

        由圖8和表1~表3可以看出,與傳統(tǒng)模型相比,改進(jìn)的集總參數(shù)電路模型的仿真頻響曲線與實(shí)測(cè)曲線的吻合程度更好,從而驗(yàn)證了改進(jìn)的集總參數(shù)電路模型的準(zhǔn)確性。

        表1 T繞組不同特征頻率帶諧振點(diǎn)仿真與實(shí)測(cè)值

        表2 F繞組不同特征頻率帶諧振點(diǎn)仿真與實(shí)測(cè)值

        表3 H繞組不同特征頻率帶諧振點(diǎn)仿真與實(shí)測(cè)值

        5 結(jié)論

        (1)低頻下,考慮繞組間的全電容參數(shù)更能反映出繞組內(nèi)部的耦合關(guān)系,使諧振點(diǎn)與實(shí)測(cè)曲線更加吻合。

        (2)隨著頻率增大,頻響曲線受外部接線及雜散電容的影響較大,鐵心的渦流效應(yīng)以及繞組自身的集膚效應(yīng)與鄰近效應(yīng)越來(lái)越明顯,電感參數(shù)數(shù)值會(huì)隨頻率改變,所以集總參數(shù)電路的頻響曲線與實(shí)測(cè)曲線相比,諧振頻率點(diǎn)存在一定的偏移。

        (3)對(duì)比傳統(tǒng)的集總參數(shù)電路模型,本文提出的考慮繞組間全電容的改進(jìn)型集總參數(shù)電路模型,在仿真變壓器繞組頻響曲線時(shí)更加精確,能為繞組的故障模擬及預(yù)測(cè)提供更為可靠的理論依據(jù)。

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