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一、缺陷試驗(yàn)驗(yàn)證

（一）缺陷原因分析驗(yàn)證

此階段需要對(duì)二次設(shè)備當(dāng)前存在的缺陷原因進(jìn)行深入分析，以此來推測(cè)設(shè)備缺陷出現(xiàn)的具體原因，在此基礎(chǔ)上針對(duì)性地進(jìn)行專項(xiàng)試驗(yàn)，通過試驗(yàn)結(jié)果來驗(yàn)證缺陷出現(xiàn)的原因是否準(zhǔn)確。如果驗(yàn)證結(jié)果通過，則驗(yàn)證試驗(yàn)結(jié)束。若驗(yàn)證結(jié)果與推測(cè)不符，則需要重新進(jìn)行驗(yàn)證直到驗(yàn)證結(jié)果準(zhǔn)確。

（二）整改對(duì)策驗(yàn)證

此階段要對(duì)二次設(shè)備缺陷的整改對(duì)策進(jìn)行驗(yàn)證，在找出缺陷原因之后針對(duì)性提出整改對(duì)策。并對(duì)二次設(shè)備進(jìn)行缺陷整改，整改完成后展開常規(guī)試驗(yàn)，若常規(guī)試驗(yàn)未通過則需要重新提出整改方案。通常驗(yàn)收合格后，有必要對(duì)缺陷進(jìn)行特別測(cè)試。特別測(cè)試合格后，二次設(shè)備的缺陷測(cè)試驗(yàn)證結(jié)束。如果不合格，就必須重新提出改善對(duì)策。

二、缺陷試驗(yàn)驗(yàn)證體系

（一）缺陷分析問題

二次設(shè)備的集成化會(huì)導(dǎo)致部分回路以及電子元件不可見，因?yàn)檫\(yùn)行環(huán)境的復(fù)雜以及輔助手段的缺乏，導(dǎo)致很難精確地分析出二次設(shè)備的缺陷產(chǎn)生原因。對(duì)于二次設(shè)備而言，其缺陷的問題分析既需要現(xiàn)場(chǎng)理論、經(jīng)驗(yàn)分析的支持，同時(shí)也要在實(shí)驗(yàn)室中對(duì)設(shè)備出現(xiàn)缺陷的具體原因以及整改措施進(jìn)行更為深入的分析論證。

（二）對(duì)于缺陷的定位不明確

大量電子元件與光纖的應(yīng)用使傳統(tǒng)二次回路被簡(jiǎn)化，電子元件也大量集中在二次設(shè)備的插件當(dāng)中，這也導(dǎo)致智能變電站的二次回路數(shù)量進(jìn)一步減少，二次設(shè)備外部接線也因此受到了影響。簡(jiǎn)化二次回路對(duì)于智能變電站而言既有優(yōu)勢(shì)又帶有缺點(diǎn)。其優(yōu)勢(shì)能有效縮短智能變電站的施工工期，減小智能變電站的實(shí)際占地面積等，其缺點(diǎn)為集成電子元件以及光纖化的二次回路在二次設(shè)備出現(xiàn)缺陷時(shí)，并不能準(zhǔn)確進(jìn)行定位，在定位時(shí)通常只能定位裝置、插件級(jí)別，至于芯片、原理級(jí)別則無法準(zhǔn)確進(jìn)行定位，這樣就給二次設(shè)備的缺陷處理提升了難度。

（三）缺陷整改問題

1.基本理論

二次設(shè)備試驗(yàn)驗(yàn)證體系的基本理論包含多方面知識(shí)，仿真技術(shù)、保護(hù)原理等一系列基本理念與設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)形成了最基本的理論基礎(chǔ)。在其中，仿真技術(shù)可以在電力系統(tǒng)事故以及二次設(shè)備缺陷問題產(chǎn)生后對(duì)其運(yùn)行環(huán)境進(jìn)行驗(yàn)證，由于電力系統(tǒng)的故障往往是不可復(fù)制的，所以在通過仿真技術(shù)進(jìn)行事后分析時(shí)能夠有效提升結(jié)論的準(zhǔn)確性。而且，為了采取多種裝置對(duì)二次設(shè)備進(jìn)行協(xié)同分析，還需要將能夠影響到缺陷分析的問題，比如定制配合以及缺陷定位排查等，通過軟件進(jìn)行仿真建模，通過建模來完成對(duì)結(jié)果的驗(yàn)證。保護(hù)原理能夠?qū)⒍卧O(shè)備需要擁有的功能描述出來，因?yàn)樵谠O(shè)備出現(xiàn)缺陷問題時(shí)，缺陷的表現(xiàn)形式有可能與保護(hù)原理的描述出現(xiàn)一定偏差，但是通過保護(hù)原理能夠迅速將缺陷問題的產(chǎn)生原因縮減在一定的范圍區(qū)間內(nèi)。

2.試驗(yàn)驗(yàn)證環(huán)境

判斷設(shè)備缺陷的原因，制定合理的改善對(duì)策后，在適當(dāng)?shù)沫h(huán)境中試驗(yàn)缺陷原因及改善對(duì)策。缺陷測(cè)試的驗(yàn)證環(huán)境由訪問層和硬件、軟件支持層這三個(gè)不同級(jí)別構(gòu)成。軟件支持層由PSCAD、IEC 61850調(diào)試工具等軟件構(gòu)成。軟件支撐層缺陷測(cè)試的主要作用是理論分析和輔助測(cè)試。硬件支撐層是組合測(cè)試裝置（例如，繼保測(cè)試器、模擬計(jì)算）而構(gòu)成的，硬件支撐層的主要作用是為軟件支撐層提供良好的硬件平臺(tái)，同時(shí)支持硬件需要基于層自身的功能向測(cè)試平臺(tái)提供測(cè)試缺陷的二次設(shè)備。接入層由諸如端子列、插頭等一系列接口設(shè)備構(gòu)成，接入層的主要作用是向測(cè)試設(shè)備和硬件支撐層提供連接，在二次設(shè)備的缺陷測(cè)試中，如果滿足一定條件，則需要建立接入層沒有，可以通過光纖和電纜等連接線來解決與硬件支撐層的連接問題。在訪問層與硬件、軟件支持層之間構(gòu)成二次設(shè)備的缺陷測(cè)試驗(yàn)證環(huán)境，在驗(yàn)證環(huán)境中，通過有效地整合驗(yàn)證資源，可以完成二次設(shè)備的自動(dòng)化、標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試。另外，試驗(yàn)驗(yàn)證環(huán)境將在與原運(yùn)行狀態(tài)相同的設(shè)備上建立測(cè)試平臺(tái)，通過理論知識(shí)和試驗(yàn)環(huán)境，利用二次設(shè)備缺損檢驗(yàn)技術(shù)，完成設(shè)備功能性和設(shè)備性能等多方面對(duì)二次設(shè)備缺失的全面驗(yàn)證。

3.試驗(yàn)驗(yàn)證技術(shù)

智能變電站二次設(shè)備缺陷測(cè)試驗(yàn)證有兩個(gè)主要階段。分別是缺陷發(fā)生原因的分析階段和缺陷改善方式的驗(yàn)證階段。

（1）缺陷發(fā)生原因

在原因分析階段，通過繼電器保護(hù)、專業(yè)經(jīng)驗(yàn)、模擬分析，基于SOE或故障記錄判斷缺陷發(fā)生原因，對(duì)判斷出的缺陷原因進(jìn)行試驗(yàn)驗(yàn)證。判斷缺陷成因時(shí)的主要推論方法有順序推理、逆序推理、試驗(yàn)法整體。在這里，順序推理是以次級(jí)設(shè)備缺陷的外在表示形式出發(fā)的，并且基于前向邏輯找到設(shè)備缺陷的來源。逆序推理是在不能用缺陷表現(xiàn)形式判斷時(shí)推動(dòng)由缺陷產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)，依次調(diào)查缺陷原因，將缺陷原因驗(yàn)證到特定項(xiàng)目。特別試驗(yàn)根據(jù)設(shè)備的缺陷原因測(cè)試設(shè)備的某些功能。例如，不滿足電磁兼容性要求的設(shè)備需要電磁符合測(cè)試，如果保護(hù)動(dòng)作過長(zhǎng)則需要保護(hù)動(dòng)作時(shí)間測(cè)試。整體試驗(yàn)是模擬二次設(shè)備運(yùn)行時(shí)的動(dòng)作狀態(tài)，實(shí)踐保護(hù)裝置的動(dòng)作，有邏輯地檢查的測(cè)試方法，整體試驗(yàn)法通常在再現(xiàn)設(shè)備的現(xiàn)場(chǎng)使用，是輔助缺陷分析的方法。

（2）缺陷改善方式

驗(yàn)證改進(jìn)措施，需要針對(duì)通過驗(yàn)證的設(shè)備缺陷原因制定合理的改善措施，對(duì)修改后的二次設(shè)備制定試驗(yàn)方案，在這個(gè)階段通常要驗(yàn)證方案中的改善措施，缺陷改善措施必須針對(duì)二次設(shè)備的缺陷問題并符合設(shè)備安全運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。在改進(jìn)措施的驗(yàn)證階段，通常針對(duì)缺陷原因開展二次試驗(yàn)，檢驗(yàn)修正完成后的裝置是否仍然存在前面的缺陷問題，如果缺陷完全解決了，則需要對(duì)二次設(shè)備的其他原功能進(jìn)行試驗(yàn)，在修正過程中除了二次設(shè)備以外，還需要對(duì)其他原功能進(jìn)行試驗(yàn)的原始功能是否受到影響。

三、結(jié)束語

綜上所述，隨著電網(wǎng)公司對(duì)于智能變電站的二次設(shè)備的要求逐漸提高，二次設(shè)備在使用過程中存在的缺陷問題也被放大。以往智能變電站在進(jìn)行消缺工作時(shí)僅僅為了滿足正常運(yùn)行，所以處理方式上相對(duì)比較簡(jiǎn)單。所以在消缺工作結(jié)束后二次設(shè)備往往會(huì)出現(xiàn)缺陷復(fù)發(fā)的情況。因此，有必要對(duì)智能變電站二次設(shè)備的缺陷試驗(yàn)驗(yàn)證方法展開分析。