孟凡娜 徐玉祥（共同一作）

（國家知識產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作廣東中心，廣東 廣州510000）

1 專利技術(shù)綜述對提高審查能力的必要性- 以半導(dǎo)體晶片切割膠帶領(lǐng)域為例

專利審查要求審查員依法行政，具有法律素養(yǎng)、專業(yè)技能，做到站位本領(lǐng)域的技術(shù)人員等，提高專利審查能力成為實現(xiàn)創(chuàng)新發(fā)展的重要要求[1-4]。

在專利審查實踐中，通過準確、高效檢索，找出與申請主題密切相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)，使審查意見通知書更具說服力，有授權(quán)前景的專利申請通過修改獲得穩(wěn)定的專利權(quán)，確實無授權(quán)前景的申請駁回有理有據(jù)，是獲得準確審查結(jié)果的基礎(chǔ)。要做到檢索準確、高效，站位本領(lǐng)域的技術(shù)人員，應(yīng)當充分掌握領(lǐng)域的技術(shù)水平。審查實踐中，除針對審查案件的技術(shù)方案查閱教科書、工具書、科技論文、專利文獻外，通過對該特定領(lǐng)域的專利技術(shù)進行分析綜述，更能準確掌握該領(lǐng)域整體技術(shù)發(fā)展水平、技術(shù)演進脈絡(luò)，以免出現(xiàn)對現(xiàn)有技術(shù)的認識不足和偏差，有助于準確把握發(fā)明。

具體到筆者從事的審查領(lǐng)域，半導(dǎo)體晶片切割膠帶領(lǐng)域由于涉及日、韓專利申請較多、與半導(dǎo)體行業(yè)有交叉等因素，屬于審查難點。此外，在推行創(chuàng)新中國戰(zhàn)略和“中國制造2025”行動綱領(lǐng)的背景下，強化自主半導(dǎo)體設(shè)計是其中的重點之一。半導(dǎo)體晶片切割膠帶的需求激增，目前主要依靠進口，核心技術(shù)集中在日本的幾個行業(yè)巨頭，中國大陸已經(jīng)進入了迫切需要自主研發(fā)核心技術(shù)的階段。筆者前序工作中對該技術(shù)領(lǐng)域的全球?qū)＠暾堖M行了技術(shù)綜述，以期為我國半導(dǎo)體芯片制造產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料和技術(shù)自主化提供技術(shù)參考。同時提升對該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展路徑、技術(shù)研究現(xiàn)狀、核心技術(shù)專利、關(guān)鍵申請人專利布局等重要信息后的了解程度后，無形中也提高了本領(lǐng)域技術(shù)人員的站位能力，再有意識將專利技術(shù)綜述成果應(yīng)用到日常審查實踐中能高效提高審查能力。

2 半導(dǎo)體晶片切割膠帶專利技術(shù)綜述

筆者通過對該領(lǐng)域的專利申請在VEN、DWPI、SIPOABS、CNABS、JPABS 中采用分類號結(jié)合關(guān)鍵詞的方式進行檢索（檢索截止日期為2019 年6 月11 日），獲得有效專利申請2534 件，但僅在中國大陸申請的有效專利申請僅為32 件，絕大數(shù)中國大陸的申請是國外申請人通過保護工業(yè)產(chǎn)權(quán)巴黎公約或者專利合作條約（PCT）途徑進入的。

該領(lǐng)域絕大多數(shù)的申請人來自日本，其他國家或地區(qū)僅占約10%。該領(lǐng)域授權(quán)案件占已審結(jié)案件的比例高達71.8%，遠高于膠黏劑領(lǐng)域的平均授權(quán)率；并且，授權(quán)案件中82.7%仍有效；也進一步佐證了該領(lǐng)域的專利申請創(chuàng)新度、專利穩(wěn)定性較高。

對該技術(shù)領(lǐng)域涉及的技術(shù)主題進行標引，技術(shù)分支分為半導(dǎo)體晶片切割膠帶的結(jié)構(gòu)和功效方面。結(jié)構(gòu)方面，切割膜由于控制半導(dǎo)體晶片切割膠帶的粘接性和剝離性的核心膜層，是該技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新集中之處，占比39.76%；接著是，對切割膠帶整體結(jié)構(gòu)的改進，以及基于高性能、多功能化、減少工藝步驟的需求對涉及切割步驟后續(xù)的粘接工藝的接合膜的改進，分別占比22.51%、20.97%。對于基材的研究占比12.27%。背面保護膜用于倒裝芯片的背面保護，目前僅有日東電工有一定的專利布局，占比4.49%。功效方面，從無殘膠、粘接力、收縮性、切割性、拾取性、外觀（是否致力于減少毛刺、切屑）進行標引，涉及最多的是切割性能的改性且在技術(shù)萌芽階段最為集中，由于改進切割性能是切割膠帶的基本性能，從快速發(fā)展階段開始，在滿足切割性能的前提下，創(chuàng)新主體開始追求綜合性能優(yōu)異或者兼顧其他方面性能的改性。

3 半導(dǎo)體晶片切割膠帶專利技術(shù)綜述在審查實踐中的應(yīng)用

該技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠暾堉鞣诸愄枮镃09J（膠黏劑）的范疇，涉及的副分類號繁多，且多與電學(xué)、光學(xué)領(lǐng)域交叉。通過對該領(lǐng)域?qū)＠暾垬艘笤偈崂?，在深入了解技術(shù)發(fā)展脈絡(luò)、關(guān)鍵技術(shù)的前提下，筆者細化、豐富了該領(lǐng)域的分類號和關(guān)鍵詞庫。具體是，找出了更準確的H01L21 下位點組分類號H01L21/304、H01L21/302（通過機械處理，例如研磨、拋光、切割改變半導(dǎo)體材料的表面物理特性或形狀）、H01L21/301（把半導(dǎo)體再細分成分離部分，例如分隔），分別與C09J7（薄膜或薄片狀的粘合劑）膠帶的分類號，或膠帶的關(guān)鍵詞表達相與。還擴展了準確的CPC分類H01L21/6836（專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置，晶圓膠帶，例如打磨或切割支撐膠帶）、FT 分類4J040/NA20（接著劑、接著方法接著劑的特定用途，半導(dǎo)體材料用），同時結(jié)合擴展了關(guān)鍵詞（（DIE?OR WAFER? OR SEMICONDUCTOR? OR CHIP?）S（+SLICE OR +SLICING OR +CUTTING OR +CUT OR +DICING OR+DICE））和（（+ADHESIVE+ OR +BOND+ OR ADHESION? OR+BIND+）4D （+LAYER? OR +FILM? OR SHEET? OR TAPE?））。為了查全，還擴展了H01L23（半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件的零部件），與C09J7 相與。中文關(guān)鍵詞表達，擴展了（切or 割or裂片or 劃片）s（晶片or 芯片or 晶圓or 半導(dǎo)體or 裸芯or 晶硅）。建立了該領(lǐng)域分類號和關(guān)鍵詞庫。以下給出審查實例。

申請?zhí)枺?011102169792

發(fā)明名稱：半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜和生產(chǎn)所述膜的方法，及生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。

技術(shù)方案：一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，包括：將半導(dǎo)體晶片的非電路面粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上，切割所述半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體芯片，將所述半導(dǎo)體芯片與粘貼在半導(dǎo)體芯片的非電路面上的所述半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和以半導(dǎo)體芯片的電路面與被粘物相對、以及倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體芯片的非電路面的形式，將所述半導(dǎo)體芯片倒裝芯片連接至被粘物上，其中，所述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜包括：切割帶，所述切割帶包括具有凹凸加工面的基材和層壓在所述基材上的壓敏粘合劑層；和半導(dǎo)體背面用膜，所述半導(dǎo)體背面用膜層壓于所述切割帶的壓敏粘合劑層上，所述半導(dǎo)體背面用膜在可見光區(qū)域的透光率為0-20%，所述切割帶具有至多45%的霧度。

經(jīng)過優(yōu)選第一層次的半導(dǎo)體與膠帶分類號相與構(gòu)建檢索式“（H01L21/304 OR H01L21/302 OR H01L21/301）and C09J7”鎖定準確的檢索范圍，再結(jié)合該技術(shù)方案中的關(guān)鍵技術(shù)手段“背面用膜”、“壓敏粘合劑”、“具有凹凸的加工面的基材”、“透光率”、“霧度”的表達，構(gòu)建檢索式?？焖倜辛四繕宋墨IY1：CN101617395A（主分類號H01L21/52、副分類號為H01L21/301，同族副分類號包括C09J7/02），公開了半導(dǎo)體裝置的制造方法，涉及半導(dǎo)體背面用膜同時使用壓敏粘合劑層，Y2：JP2010-73897A（H01L21/301、副分類號包括C09J7/02）教導(dǎo)了激光切割帶的粘合劑層層壓的基材具有凹凸的加工面以提高切割帶的透光率使得切割帶具有至多20%的霧度，即給出了如何提高切割帶的透光率、降低其霧度的技術(shù)手段。Y1 結(jié)合Y2 可以用來評價該專利申請技術(shù)方案的創(chuàng)造性。相比僅用膠帶技術(shù)領(lǐng)域的分類號或關(guān)鍵詞與半導(dǎo)體的關(guān)鍵詞相與限定半導(dǎo)體切割膠帶技術(shù)領(lǐng)域，提高了目標文獻命中率和檢索效率。

4 結(jié)論

通過對交叉學(xué)科的技術(shù)進行專利綜述，更深入掌握該領(lǐng)域技術(shù)脈絡(luò)、關(guān)鍵技術(shù)后，再有意識應(yīng)用到審查實踐中，不僅能更準確站位本領(lǐng)域技術(shù)人員，正確理解發(fā)明、把握發(fā)明構(gòu)思，還在建立準確全面的關(guān)鍵詞、分類號數(shù)據(jù)庫的基礎(chǔ)上，能高效、準確的尋找到密切相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)，提高審查效率與質(zhì)量。