本報訊近日，東芝存儲器公司四日市廠區(qū)遭遇長約13分鐘的跳電，新Fab2、Fab3、Fab4、Fab5以及Fab6全體廠區(qū)皆受到?jīng)_擊。目前，整個廠房的營運仍未完全恢復(fù)。對此，集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXcbange）評估，此事件將使得晶圓短期內(nèi)報價面臨漲價壓力，第三季度2D NAND Flash產(chǎn)品價格可能上漲，3D NAND Flash產(chǎn)品價格跌幅則可能微幅收斂。

東芝與西數(shù)分別發(fā)布美于此事件的公開說明，其中西數(shù)表示約有6ExaByte（EB）的產(chǎn)能將受到?jīng)_擊，大部分影響將發(fā)生在今年第三季度。

對于3D NAND架構(gòu)為主的eMMC/UFS以及SSD等主流產(chǎn)品，在買賣雙方皆有高庫存支持下，第三季度合約價走跌態(tài)勢不致翻轉(zhuǎn)，但跌幅可能略微收斂，而在晶圓及渠道零售市場，由于西數(shù)占有相當市場影響力，同時美光亦宣布擴張減產(chǎn)幅度至10%，加上今年市場已長期處在接近成本線的壓力，集邦咨詢預(yù)期將為晶圓報價帶來短期調(diào)漲壓力，但還需看客戶接受程度。