張 勝，徐 林，寧 旭，張海生，秦明新

（陸軍軍醫(yī)大學(xué)生物醫(yī)學(xué)工程與影像醫(yī)學(xué)系電子工程學(xué)教研室，重慶 400038）

0 引言

電磁脈沖在擴(kuò)散的過(guò)程中會(huì)在一瞬間發(fā)出最強(qiáng)的能量，并以光速擴(kuò)散，對(duì)其影響范圍內(nèi)任何未加保護(hù)的電子設(shè)備產(chǎn)生干擾或破壞作用[1]。1962年，美國(guó)在太平洋約翰斯頓島高空進(jìn)行氫彈核爆試驗(yàn)時(shí)產(chǎn)生的電磁脈沖致使數(shù)千千米以內(nèi)的電氣設(shè)備和電子系統(tǒng)失靈，甚至燒毀，美國(guó)軍事專家隨即組織研究，后期受?chē)?guó)際核不擴(kuò)散條約的限制，美軍更為關(guān)注非核電磁脈沖武器的發(fā)展，出現(xiàn)了高功率微波、超寬帶等電磁脈沖武器[2]。1991年，美軍在海灣戰(zhàn)爭(zhēng)期間首次使用電磁炸彈，由于其特有的攻擊特點(diǎn)，此后的數(shù)次戰(zhàn)爭(zhēng)中電磁脈沖武器都發(fā)揮了重要作用[3]。

電磁脈沖武器攻擊將造成通信、防空和指揮中心電子系統(tǒng)癱瘓，電子設(shè)備損毀[4]。隨著科技的發(fā)展，醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電路集成度更高，靈敏度更強(qiáng)，特別是檢測(cè)人體生物電信號(hào)的設(shè)備更趨于小型化、智能化，使得電子系統(tǒng)對(duì)電磁能量的敏感度和易損性與日俱增。調(diào)研中發(fā)現(xiàn)，目前我軍師以下部隊(duì)配備的醫(yī)療設(shè)備種類(lèi)中，約有60%包含電子元器件，在沒(méi)有任何加固保護(hù)的情況下，醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備遭受電磁脈沖武器攻擊將嚴(yán)重削弱我軍衛(wèi)勤保障能力，給傷員的救治工作帶來(lái)極大影響。因此，開(kāi)展我軍醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電磁易損性研究具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。本文重點(diǎn)圍繞未來(lái)戰(zhàn)場(chǎng)我軍可能遭遇的電磁脈沖武器攻擊樣式，介紹我軍醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電磁易損性研究進(jìn)展，提出意見(jiàn)與建議，為下一步我軍在該方面的工作重點(diǎn)和科學(xué)研究明確方向。

1 國(guó)外電磁脈沖武器發(fā)展現(xiàn)狀

世界各軍事強(qiáng)國(guó)對(duì)電磁脈沖武器發(fā)展高度重視。20世紀(jì)70年代，美、俄、德、法等發(fā)達(dá)國(guó)家在高功率微波技術(shù)及其對(duì)電子設(shè)備和武器裝備的效應(yīng)方面開(kāi)展了大量的基礎(chǔ)性研究工作[5-6]。美國(guó)于20世紀(jì)80年代率先研制出非核電磁脈沖武器，即高功率微波彈，90年代開(kāi)展彈載高功率微波武器研制[7-8]。2014年，美國(guó)開(kāi)始推行以“創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)”為核心的第三次“抵消戰(zhàn)略”，認(rèn)為高功率微波是一項(xiàng)能夠改變未來(lái)戰(zhàn)爭(zhēng)規(guī)則的技術(shù)，開(kāi)展了多種高功率微波武器樣機(jī)系統(tǒng)研究，如反電子高功率微波先進(jìn)導(dǎo)彈計(jì)劃（Counter-Electronics HPM Advanced Missile Project，CHAMP），如圖1（a）所示[9-10]。2012年在猶他試驗(yàn)場(chǎng)反電子高功率微波先進(jìn)導(dǎo)彈（counter-electronics HPM advanced missile，CHAM）飛過(guò)時(shí)，沿線電子系統(tǒng)均遭受攻擊，出現(xiàn)降級(jí)或失效現(xiàn)象，房屋內(nèi)計(jì)算機(jī)和監(jiān)控系統(tǒng)失靈，如圖1（b）所示[9-10]。美國(guó)空軍已將高功率、高頻率和緊湊性作為高功率微波武器研究重點(diǎn)，CHAMP試驗(yàn)成功表明高功率微波武器技術(shù)已趨于成熟，不斷走向?qū)崙?zhàn)化[11]。

圖1 美國(guó)CHAMP項(xiàng)目及CHAM演示試驗(yàn)[9-10]

俄羅斯在高功率微波武器研制方面同美國(guó)一樣，處于世界領(lǐng)先水平，早在20世紀(jì)80年代前蘇聯(lián)時(shí)期就已開(kāi)展高功率微波效應(yīng)試驗(yàn)[12-13]。在2001年馬來(lái)西亞武器展上，俄羅斯展示了一款名為“Ranets-E”的電磁脈沖武器系統(tǒng)，其工作在X波段、輸出功率超過(guò)500 MW，能產(chǎn)生重復(fù)頻率500 Hz、10～20 ns的強(qiáng)電磁脈沖，能確保摧毀14 km以內(nèi)的來(lái)襲戰(zhàn)機(jī)或制導(dǎo)彈藥的電子設(shè)備，破壞40 km以內(nèi)的電子設(shè)備[12-13]。2016年7月，俄羅斯KRET公司披露了為第六代無(wú)人作戰(zhàn)飛機(jī)安裝高功率微波武器的計(jì)劃，可使敵方飛機(jī)電子設(shè)備失效，攻擊半徑可達(dá)數(shù)十千米[14]。2017年10月，據(jù)英國(guó)媒體報(bào)道，該公司正在研發(fā)一款大功率超高頻脈沖武器——“阿拉布加”（Alabuga）導(dǎo)彈，可癱瘓3.5 km2區(qū)域內(nèi)所有電子設(shè)備，甚至可對(duì)地下100 m深的電磁設(shè)備進(jìn)行有效打擊[15]。

英、德、法、日、印等其他軍事強(qiáng)國(guó)在電磁脈沖武器方面也有大量的研究成果，但總體水平低于美國(guó)和俄羅斯[15-16]。

從目前各國(guó)電磁脈沖武器研究進(jìn)展來(lái)看，未來(lái)戰(zhàn)場(chǎng)高功率微波武器對(duì)我軍醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備威脅最大，應(yīng)重點(diǎn)加強(qiáng)高功率微波武器的電磁易損與防護(hù)研究[17-19]。

2 電磁易損性研究現(xiàn)狀

電磁易損性指的是設(shè)備和分系統(tǒng)、系統(tǒng)在電磁干擾影響下性能降級(jí)或不能完成規(guī)定任務(wù)的特性[20]。美國(guó)在該領(lǐng)域研究起步早，機(jī)構(gòu)完善且標(biāo)準(zhǔn)齊全。美國(guó)擁有12家電磁易損性研究試驗(yàn)場(chǎng)，其中陸軍2家、海軍與海軍陸戰(zhàn)隊(duì)7家、空軍5家[21]。以陸軍白沙導(dǎo)彈靶場(chǎng)為例，該基地?fù)碛忻绹?guó)陸軍研究實(shí)驗(yàn)室（Army Research Laboratory，ARL）生存力和致命性分析局下屬的先進(jìn)電磁易損性評(píng)估研究室及美國(guó)陸軍最大的微波暗室，最大可測(cè)試100 t的武器裝備，眾多專家可完成美軍賦予的各項(xiàng)電磁易損性研究任務(wù)[22]。

美國(guó)已建立起較為全面的電磁防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)和完整的元件級(jí)及系統(tǒng)級(jí)試驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)庫(kù)，已成為其他國(guó)家研究電磁易損性的重要參考。早在1986年，美國(guó)便完成了電子元器件易損性測(cè)試，并通過(guò)國(guó)防部指令（DoDD）、國(guó)防部指示（DoDI）和標(biāo)準(zhǔn)（MIL-STD）等系列文件內(nèi)容來(lái)保證軍用和民用系統(tǒng)、設(shè)備能夠在所處電磁環(huán)境中正常工作[23-24]。以美軍2012年頒布的機(jī)載醫(yī)療設(shè)備檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)（Joint Enroute Care Equipment Test Standard）為例，其中明確規(guī)定美軍航空醫(yī)療器材必須滿足美軍標(biāo)MIL-STD-461E、MIL-STD-461F和MIL-STD-464C的要求。美國(guó)佛羅里達(dá)州埃格林空軍基地對(duì)救護(hù)直升機(jī)進(jìn)行電磁兼容性測(cè)試場(chǎng)景如圖2所示[25]。

圖2 美國(guó)佛羅里達(dá)州埃格林空軍基地對(duì)救護(hù)直升機(jī)進(jìn)行電磁兼容性測(cè)試[25]

俄羅斯國(guó)防部自20世紀(jì)70年代就在圣彼得堡和莫斯科附近建成了多個(gè)超大規(guī)模的有界波模擬器，用于模擬源區(qū)核電磁脈沖和高空核電磁脈沖環(huán)境[26]。1993年，俄羅斯完成了電磁脈沖對(duì)微電子電路的效應(yīng)實(shí)驗(yàn)和防護(hù)技術(shù)研究，其武器系統(tǒng)一般都滿足電磁兼容性、抗靜電和抗電磁脈沖的技術(shù)指標(biāo)[27]。

由于各國(guó)對(duì)電磁脈沖武器攻擊效能保密等原因，醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電磁易損性相關(guān)試驗(yàn)方面鮮有公開(kāi)報(bào)道，主要針對(duì)手機(jī)、射頻識(shí)別（radio frequency identification，RFID）等對(duì)醫(yī)療設(shè)備電磁干擾等進(jìn)行研究[28-29]。但從公開(kāi)的高功率微波對(duì)電子系統(tǒng)破壞效應(yīng)資料判斷，當(dāng)功率密度達(dá)到0.01～1 μW/cm2時(shí)，醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備系統(tǒng)將受到影響，詳見(jiàn)表1[30-31]。

目前，我國(guó)部分高校和研究所在電磁易損性研究方面也做了大量工作，取得了很多成果，例如：原軍械工程學(xué)院和國(guó)防科技大學(xué)等高校相繼建成了一些強(qiáng)電磁脈沖模擬系統(tǒng)[26，32]；西北核技術(shù)研究所對(duì)單片機(jī)系統(tǒng)、單片機(jī)傳輸系統(tǒng)、直流固態(tài)繼電器輸入端等進(jìn)行了效應(yīng)試驗(yàn)研究[33-35]；中國(guó)工程物理研究院對(duì)復(fù)雜系統(tǒng)輻射易損性、分析方法、地面通信系統(tǒng)、集成電路瞬態(tài)擾動(dòng)效應(yīng)實(shí)驗(yàn)方法進(jìn)行了研究[23]。

表1 高功率微波對(duì)醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備破壞閾值[30-31]

3 我軍醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電磁易損性研究現(xiàn)狀

3.1 電磁易損性研究相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

我國(guó)軍用電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)研究和制定通常采用等效轉(zhuǎn)換國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和自行研發(fā)相結(jié)合的方式，GJB 151A—1997《軍用設(shè)備和分系統(tǒng)電磁發(fā)射和敏感度要求》、GJB 152A—1997《軍用設(shè)備和分系統(tǒng)電磁發(fā)射和敏感度測(cè)量》主要參照了美軍標(biāo)MIL-STD-461D/MIL-SID-462D，從2013年開(kāi)始執(zhí)行的GJB 151B—2013《軍用設(shè)備和分系統(tǒng)電磁發(fā)射和敏感度要求與測(cè)量》則大部分參照了美軍標(biāo)MIL-SID-461F。從總體上看，我國(guó)軍標(biāo)電磁兼容的標(biāo)準(zhǔn)及其測(cè)量體系建設(shè)要滯后美軍5～10 a，在軍用衛(wèi)生裝備領(lǐng)域電磁易損性的建設(shè)差距更大，到目前為止并沒(méi)有專門(mén)針對(duì)軍用醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備提出的電磁兼容與防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。我軍衛(wèi)生機(jī)構(gòu)主要配備的通用衛(wèi)生裝備和醫(yī)療器材多數(shù)采用國(guó)內(nèi)商業(yè)化民用產(chǎn)品及其規(guī)范，滿足的是國(guó)內(nèi)外民用產(chǎn)品的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)，并不符合現(xiàn)代戰(zhàn)場(chǎng)復(fù)雜電磁環(huán)境條件下的使用，例如YY 0505—2012《醫(yī)用電氣設(shè)備 第1-2部分：安全通用要求并列標(biāo)準(zhǔn)：電磁兼容要求》所規(guī)定的電場(chǎng)輻射敏感度的要求是10 V/m，與軍用標(biāo)準(zhǔn)GJB 151B—2013規(guī)定的極限200 V/m相差甚遠(yuǎn)。因此，現(xiàn)有軍隊(duì)醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備中的電子信息和控制系統(tǒng)在電磁脈沖武器的攻擊下極易遭受破壞。

3.2 研究現(xiàn)狀

近些年，多家單位在醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電磁易損性方面做了大量研究。

3.2.1 系統(tǒng)級(jí)

原總后勤部衛(wèi)生部藥品儀器檢驗(yàn)所聯(lián)合原軍械工程學(xué)院靜電與電磁防護(hù)研究所開(kāi)展了多種型號(hào)的心電圖機(jī)、監(jiān)護(hù)儀、彩超機(jī)的電磁易損性試驗(yàn)，包括連續(xù)波電場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)、超寬譜電磁脈沖輻射場(chǎng)效應(yīng)試驗(yàn)、高空核爆炸核電磁脈沖輻射場(chǎng)效應(yīng)試驗(yàn)、混響室連續(xù)波強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)試驗(yàn)和靜電放電抗擾度試驗(yàn)[36]。試驗(yàn)表明：大部分受試設(shè)備均不能滿足GJB 151A—1997所確定的輻射場(chǎng)兼容性要求，在規(guī)定的輻射條件下出現(xiàn)不同程度的性能降低甚至死機(jī)現(xiàn)象，嚴(yán)重影響了設(shè)備的正常使用。個(gè)別受試設(shè)備即使通過(guò)了GB/T 17626系列電磁兼容試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)要求，但當(dāng)靜電放電電壓少量超過(guò)GB/T 17626規(guī)定值時(shí)便出現(xiàn)異常。因此，即使通過(guò)了國(guó)家電磁兼容性測(cè)試的設(shè)備，也難以保證滿足GJB 151A—1997的要求，更不能保證在戰(zhàn)時(shí)復(fù)雜電磁環(huán)境下的正常工作。雖然所有受試設(shè)備在輻射源撤除，系統(tǒng)重啟后均能恢復(fù)正常工作，尚未造成硬損傷，但在戰(zhàn)時(shí)環(huán)境下將會(huì)嚴(yán)重影響設(shè)備的急救監(jiān)護(hù)功能，貽誤治療時(shí)機(jī)。

原第四軍醫(yī)大學(xué)生物醫(yī)學(xué)工程學(xué)院以國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)GJB 151A—1997和GJB 152A—1997為參考，選取心電圖機(jī)、多參數(shù)監(jiān)護(hù)儀等多種急救和診斷衛(wèi)生裝備開(kāi)展了電場(chǎng)輻射發(fā)射、電磁輻射敏感度、電源線傳導(dǎo)發(fā)射和電纜束注入傳導(dǎo)敏感度4項(xiàng)通用測(cè)試試驗(yàn)[19]。大部分受試設(shè)備均在30 MHz～1 GHz的電場(chǎng)輻射發(fā)射和電磁輻射敏感度試驗(yàn)中出現(xiàn)了較為嚴(yán)重的問(wèn)題，而傳導(dǎo)發(fā)射和傳導(dǎo)敏感度試驗(yàn)結(jié)果基本符合國(guó)軍標(biāo)要求。試驗(yàn)表明：國(guó)內(nèi)軍隊(duì)現(xiàn)階段配備的衛(wèi)生裝備在戰(zhàn)場(chǎng)復(fù)雜電磁環(huán)境下功能正常性均受到不同程度的影響，應(yīng)重視衛(wèi)生裝備在復(fù)雜電磁環(huán)境下的分析研究。

原第三軍醫(yī)大學(xué)勞動(dòng)衛(wèi)生學(xué)教研室分別現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用高功率微波武器暴露和實(shí)驗(yàn)室模擬武器電磁暴露，檢測(cè)不同暴露方式、暴露強(qiáng)度、暴露時(shí)間條件下的武器級(jí)電磁暴露對(duì)工作狀態(tài)、待機(jī)狀態(tài)和關(guān)機(jī)狀態(tài)的便攜式心電圖機(jī)的影響[37]。試驗(yàn)表明：武器級(jí)電磁暴露對(duì)便攜式心電圖機(jī)有明顯的損壞效應(yīng)，表現(xiàn)為自動(dòng)關(guān)機(jī)、打印故障、顯示屏心電波形顯示異常、顯示屏損壞、按鍵失靈、電池?fù)p毀、接通的導(dǎo)聯(lián)損毀和單片機(jī)損毀等。武器級(jí)電磁暴露對(duì)便攜式心電圖機(jī)的損毀效應(yīng)與暴露方式、功率密度、暴露時(shí)間和心電圖機(jī)的工作狀態(tài)有關(guān)。功率密度越高，暴露時(shí)間越長(zhǎng)，微波暴露對(duì)心電圖機(jī)的損毀效應(yīng)越強(qiáng)，而且在工作狀態(tài)下更易受損。便攜式心電圖機(jī)內(nèi)電子元件中單片機(jī)最易被高能微波暴露損毀。此外，高能脈沖能夠損毀便攜式心電圖機(jī)的電池系統(tǒng)，需要重點(diǎn)加固和防護(hù)。

原第三軍醫(yī)大學(xué)大坪醫(yī)院以某款便攜式監(jiān)護(hù)儀為研究對(duì)象，分別進(jìn)行混響室射頻輻射、超寬帶電磁脈沖輻射和有界波電磁脈沖模擬器模擬產(chǎn)生高空核爆電磁脈沖輻射3種試驗(yàn)[38-39]?；祉懯疑漕l輻射試驗(yàn)表明：所選用的監(jiān)護(hù)儀對(duì)射頻電磁輻射具有一定的抗干擾能力，異常狀態(tài)多表現(xiàn)為測(cè)量波形基線漂移、畸變。監(jiān)護(hù)儀對(duì)于不同頻率的電磁干擾具有不同的電磁敏感性，所選用的監(jiān)護(hù)儀對(duì)390 MHz左右的電磁干擾最為敏感，其臨界場(chǎng)強(qiáng)最低。超寬帶電磁脈沖輻射試驗(yàn)表明：超寬帶電磁脈沖對(duì)監(jiān)護(hù)儀具有顯著的干擾效應(yīng)，被測(cè)設(shè)備與脈沖源的距離越近，輻射場(chǎng)強(qiáng)度越大，干擾越大。相比射頻連續(xù)波，電磁脈沖對(duì)監(jiān)護(hù)儀的干擾更嚴(yán)重，需重點(diǎn)進(jìn)行防護(hù)。有界波電磁脈沖模擬器模擬產(chǎn)生高空核爆電磁脈沖輻射試驗(yàn)表明：監(jiān)護(hù)儀的干擾電場(chǎng)閾值均小于高空核爆電磁脈沖在近地空間所形成的電場(chǎng)峰值（大約50 kV/m），監(jiān)護(hù)儀在工作狀態(tài)下將受到高空核爆電磁脈沖的顯著影響。

上述單位所做試驗(yàn)重點(diǎn)圍繞我軍典型醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備系統(tǒng)級(jí)展開(kāi)研究，更加注重系統(tǒng)級(jí)功能性損傷，尚未開(kāi)展醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備元件級(jí)（芯片級(jí)）電磁易損性的試驗(yàn)，未能對(duì)元件級(jí)（芯片級(jí)）損毀機(jī)理進(jìn)行深入分析研究。

3.2.2 元件級(jí)（芯片級(jí)）

各元器件對(duì)醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備系統(tǒng)功能的實(shí)現(xiàn)起到至關(guān)重要的作用，微電子系統(tǒng)對(duì)外部電磁環(huán)境極為敏感，加強(qiáng)元件級(jí)（芯片級(jí)）在高功率微波作用下的失效模式和失效機(jī)理研究對(duì)于系統(tǒng)抗高功率微波的防護(hù)和加固具有重要意義。

近些年，元件級(jí)電磁易損性研究以早期具有軍事背景的高校為主，已對(duì)典型電子器件的電磁損傷效應(yīng)和毀傷機(jī)理開(kāi)展了相關(guān)研究：西安電子科技大學(xué)針對(duì)典型雙極晶體管，從器件內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度、電流密度和溫度分布變化的分析出發(fā)，研究了在強(qiáng)電磁脈沖作用下其內(nèi)在損傷過(guò)程與機(jī)理[40-41]。研究表明，雙極晶體管損傷部位在不同幅度的注入電壓作用下是不同的，注入電壓幅度較低時(shí)，發(fā)射區(qū)中心下方的集電區(qū)附近首先燒毀；而在高幅度注入電壓作用下，由于基區(qū)、外延層、襯底構(gòu)成的PIN結(jié)構(gòu)發(fā)生擊穿，導(dǎo)致靠近發(fā)射極一側(cè)的基極邊緣處首先發(fā)生燒毀。中北大學(xué)主要針對(duì)電磁脈沖彈的損傷機(jī)理和效能評(píng)估進(jìn)行了電磁仿真研究[42-43]。西北核技術(shù)研究所也開(kāi)展了電磁脈沖作用下PIN二極管的響應(yīng)研究并進(jìn)行了數(shù)值模擬研究，分析了PIN管在脈沖電壓上升沿時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)的電流過(guò)沖現(xiàn)象[44]。原軍械工程學(xué)院分析了輻照法和注入法的特點(diǎn)，采用注入法開(kāi)展了半導(dǎo)體器件電磁脈沖損傷閾值的研究[45]。這些研究為我軍開(kāi)展醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備元件級(jí)（芯片級(jí)）研究提供了方法借鑒和理論支撐。

4 問(wèn)題與改進(jìn)策略

（1）目前，國(guó)內(nèi)相對(duì)于美軍成規(guī)模研究電磁環(huán)境效應(yīng)的機(jī)構(gòu)還不多，研究我軍醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電磁易損性的單位數(shù)量更少，專業(yè)人才儲(chǔ)備不足，嚴(yán)重制約我軍衛(wèi)勤裝備的進(jìn)一步發(fā)展。因此，應(yīng)加大此領(lǐng)域研究單位的合作，增強(qiáng)專業(yè)人才培養(yǎng)力度，加強(qiáng)科技創(chuàng)新資源優(yōu)化配置，挖掘全社會(huì)科技創(chuàng)新潛力，提高我軍衛(wèi)勤裝備保障能力水平。

（2）由于缺少軍用醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電磁兼容與防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)，導(dǎo)致我軍在采購(gòu)醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備時(shí)隨意性很大，很多醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備無(wú)法實(shí)現(xiàn)在復(fù)雜電磁條件下的正常運(yùn)行，戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)境適應(yīng)性差，給戰(zhàn)時(shí)保障帶來(lái)極大安全隱患。應(yīng)抓緊研究制定我軍醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電磁兼容與防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范我軍集中采購(gòu)醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備的標(biāo)準(zhǔn)條件，引導(dǎo)企業(yè)生產(chǎn)符合我軍相關(guān)電磁兼容與防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)的電子醫(yī)療設(shè)備。

（3）總體而言，國(guó)內(nèi)相關(guān)研究顯得零碎而不系統(tǒng)、不深入，研究?jī)H僅是得到試驗(yàn)結(jié)果和問(wèn)題總結(jié)，卻沒(méi)有解決問(wèn)題的措施。我軍醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電磁易損性基礎(chǔ)性研究不夠，對(duì)于元件級(jí)（芯片級(jí)）電磁易損性研究等相關(guān)資料更新不及時(shí)，各研究機(jī)構(gòu)信息資源共享不暢通。因此，應(yīng)加強(qiáng)科研機(jī)構(gòu)的合作與研究成果轉(zhuǎn)換，積極研究未來(lái)戰(zhàn)場(chǎng)電磁環(huán)境以及敵方的電磁武器的攻擊特點(diǎn)，采取針對(duì)性的技術(shù)手段，研究對(duì)應(yīng)的防護(hù)措施，尤其是急救醫(yī)療設(shè)備的防護(hù)技術(shù)方面的研究。

5 結(jié)語(yǔ)

軍隊(duì)醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電磁易損性研究是一個(gè)復(fù)雜問(wèn)題。隨著電磁脈沖武器技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，電磁對(duì)抗在信息化戰(zhàn)爭(zhēng)中廣泛使用，復(fù)雜電磁環(huán)境對(duì)我軍醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備的影響不可忽視，同時(shí)伴隨著新材料在醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備中的不斷應(yīng)用，在縫隙和接口處更易受到電磁脈沖武器攻擊，這些都對(duì)電磁易損性研究提出了更高要求。我軍醫(yī)療衛(wèi)生電子裝備電磁易損性研究相對(duì)滯后，將嚴(yán)重制約我軍在未來(lái)戰(zhàn)場(chǎng)上的衛(wèi)勤保障能力。未來(lái)我軍在電磁易損性研究方面應(yīng)更加注重多維考慮、多參數(shù)處理、元件級(jí)（芯片級(jí)）和系統(tǒng)級(jí)統(tǒng)籌研究，不斷改進(jìn)電磁易損性檢測(cè)技術(shù)，加強(qiáng)醫(yī)療電子設(shè)備電磁兼容與防護(hù)性能，提高我軍醫(yī)療電子設(shè)備在信息化戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)境中的生存能力，確保設(shè)備能夠安全穩(wěn)定運(yùn)行，適應(yīng)未來(lái)戰(zhàn)場(chǎng)需要。