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        SoC電路的自動(dòng)測(cè)試方法研究

        2019-09-11 02:56:36金晶晶
        微處理機(jī) 2019年4期
        關(guān)鍵詞:程序開發(fā)自動(dòng)測(cè)試啟動(dòng)

        金晶晶

        (中國電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所,沈陽110032)

        1 引 言

        片上系統(tǒng)(System on Chip, SoC)是將微處理器、模擬IP 核、數(shù)字IO 和存儲(chǔ)器集成在同一塊芯片上形成的一種面向特定用途的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。Silicon Laboratories 公司出品的C8051F500-IQ 即是一款集成數(shù)?;旌闲盘?hào)的SoC 電路,具有與MCS-51 完全兼容的高速流水線結(jié)構(gòu)的內(nèi)核(可達(dá)50MIPS),提供在系統(tǒng)全速調(diào)試接口,內(nèi)嵌穩(wěn)壓器、片上復(fù)位、電源監(jiān)控、時(shí)鐘振蕩器、數(shù)字外設(shè)(Timer,UART,CAN 等)和模擬外設(shè)(基準(zhǔn)源,比較器,ADC)。作為一款典型的SoC 電路,C8051F500-IQ 可以滿足系統(tǒng)控制、邏輯運(yùn)算、信號(hào)處理的單片集成處理的需求,在工業(yè)控制、便攜式儀器、汽車電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。與通用集成電路相比,C8051F500-IQ 所包含的外設(shè)和電參數(shù)在種類和數(shù)量上都很多,為保證其工作的可靠性,必須進(jìn)行可靠的測(cè)試。在測(cè)試程序開發(fā)過程中,如何設(shè)置測(cè)試狀態(tài)、施加激勵(lì),是提高測(cè)試速度、保證測(cè)試效果必須要解決的問題[1-2]。

        故此,提出一種基于自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)的SoC 電路測(cè)試方法。基于對(duì)自動(dòng)測(cè)試程序開發(fā)流程的介紹,設(shè)計(jì)其啟動(dòng)程序和自動(dòng)測(cè)試程序,給出基于自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)的自動(dòng)測(cè)試方案,以實(shí)現(xiàn)對(duì)功能和性能的全面評(píng)價(jià)。

        2 測(cè)試程序開發(fā)流程

        2.1 MTP與ATP開發(fā)流程

        集成電路自動(dòng)測(cè)試程序的開發(fā)通??蓺w納為主動(dòng)測(cè)試流程(Master Test Plan, MTP)和應(yīng)用測(cè)試流程(Applicatinon Test Plan, ATP)兩類[3-4]。使用MTP方法時(shí),被測(cè)器件工作在測(cè)試模式,通過執(zhí)行相對(duì)應(yīng)的測(cè)試向量,評(píng)估被測(cè)器件的功能和性能。使用MTP 方法,可以對(duì)某個(gè)外設(shè)單元的功能和某類性能獨(dú)立測(cè)試,所測(cè)試的功能和性能與應(yīng)用指標(biāo)可能不一致,但是存在一定聯(lián)系。MTP 測(cè)試方法主要針對(duì)自主研發(fā)的電路,測(cè)試向量相對(duì)簡(jiǎn)化,具有較高的測(cè)試效率。但是這種測(cè)試方法需要設(shè)計(jì)模型的支撐,對(duì)于已產(chǎn)品化的電路,缺乏這種支撐,因此,一般不應(yīng)用MTP 方法進(jìn)行已成型產(chǎn)品的測(cè)試程序開發(fā)。

        使用ATP 方法進(jìn)行測(cè)試程序開發(fā)時(shí),需要根據(jù)被測(cè)器件的功能和性能編寫測(cè)試向量。自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)執(zhí)行該測(cè)試向量,使被測(cè)器件工作在待測(cè)狀態(tài)。在此基礎(chǔ)上,自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)施加要求的激勵(lì),并監(jiān)測(cè)被測(cè)電路的工作狀態(tài)。應(yīng)用ATP 方法開發(fā)測(cè)試程序時(shí),需要單獨(dú)對(duì)每個(gè)參數(shù)和每個(gè)模塊的工作狀態(tài)編寫測(cè)試向量并設(shè)置獨(dú)立的測(cè)試項(xiàng),自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)基于這些測(cè)試向量完成功能和性能測(cè)試。測(cè)試向量及測(cè)試項(xiàng)的數(shù)量很多,測(cè)試效率較低。但對(duì)于已產(chǎn)品化的電路,必須基于ATP 的方法進(jìn)行測(cè)試程序開發(fā)。對(duì)于成品電路通常使用該方法。

        2.2 SoC測(cè)試程序開發(fā)流程

        作為整個(gè)系統(tǒng)的控制中心和運(yùn)算中心,SoC 通過運(yùn)行用戶設(shè)計(jì)的代碼實(shí)現(xiàn)設(shè)定功能。根據(jù)這一特點(diǎn),可以編寫指令代碼,使SoC 工作在特定模式,用于功能和性能的測(cè)試。自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)檢測(cè)SoC 的這種工作狀態(tài),施加激勵(lì)信號(hào),采樣輸出結(jié)果,如果輸出結(jié)果符合設(shè)定要求,則器件工作正常,否則判定器件出現(xiàn)故障,需要分析原因進(jìn)行剔除?;赟oC 電路可以運(yùn)行程序工作在指定狀態(tài)的特點(diǎn),可以采用ATP 方法進(jìn)行SoC 電路的自動(dòng)測(cè)試程序的開發(fā)。

        執(zhí)行相應(yīng)代碼,使SoC 電路工作在指定狀態(tài),是進(jìn)行SoC 電路測(cè)試時(shí)最先進(jìn)行的一步,這些代碼的總和可以稱為啟動(dòng)程序。SoC 執(zhí)行啟動(dòng)程序后,需要告知自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)被測(cè)器件已經(jīng)準(zhǔn)備好,自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)即可施加激勵(lì)檢測(cè)被測(cè)器件的輸出結(jié)果,自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)所執(zhí)行的測(cè)試流程稱為自動(dòng)測(cè)試程序。

        啟動(dòng)程序和自動(dòng)測(cè)試程序之間需要握手信號(hào)保證同步性。在完成一項(xiàng)功能或參數(shù)的測(cè)試后,啟動(dòng)程序需要一個(gè)復(fù)位和選擇的過程,用于保證被測(cè)電路可以可靠地進(jìn)行下一個(gè)功能和參數(shù)的測(cè)試。綜上所述,SoC 的自動(dòng)測(cè)試流程如圖1 所示。

        圖1 SoC 電路測(cè)試流程圖

        3 自動(dòng)測(cè)試程序設(shè)計(jì)

        3.1 啟動(dòng)程序設(shè)計(jì)

        為保證對(duì)C8051F500-IQ 進(jìn)行可靠的全面測(cè)試,在設(shè)計(jì)啟動(dòng)程序時(shí),要對(duì)所有片上資源進(jìn)行配置并進(jìn)行測(cè)試,當(dāng)一種資源的測(cè)試完成后加入一個(gè)復(fù)位操作,保證下一個(gè)資源的測(cè)試能夠正常進(jìn)行。C8051F500-IQ 內(nèi)部集成內(nèi)核(存儲(chǔ)器、指令集、中斷、電源監(jiān)控電路等)、內(nèi)部振蕩器、時(shí)鐘乘法器、模擬外設(shè)(多路選擇器、ADC、溫度傳感器、電壓比較器、電壓調(diào)整器、電壓基準(zhǔn)等)和數(shù)字外設(shè)(數(shù)字端口、外部存儲(chǔ)器接口、定時(shí)器、UART、IIC、SPI、PCA等),其結(jié)構(gòu)如圖2 所示。

        圖2 C8051F500-IQ 結(jié)構(gòu)框圖

        根據(jù)C8051F500-IQ 的結(jié)構(gòu)框圖,啟動(dòng)程序的設(shè)計(jì)需要考慮所列模塊的功能模式及對(duì)應(yīng)電參數(shù)的需要,盡量在進(jìn)入某種功能的測(cè)試模式后便能完成電參數(shù)的測(cè)試,提高測(cè)試效率[5]。

        在進(jìn)行啟動(dòng)程序設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮和自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)的同步問題,包括時(shí)序同步和測(cè)試功能同步兩部分。時(shí)序同步的作用是通知自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)被測(cè)器件已經(jīng)進(jìn)入到可測(cè)試的模式,自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)即可施加激勵(lì)進(jìn)行測(cè)試;功能同步的作用是將當(dāng)前被測(cè)器件的狀態(tài)告知自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)可以按照自動(dòng)測(cè)試程序的測(cè)試項(xiàng),對(duì)被測(cè)電路施加激勵(lì)檢測(cè)電路輸出狀態(tài)。啟動(dòng)程序基于Silliconlab IDE 軟件開發(fā),其流程如圖3 所示。

        圖3 啟動(dòng)程序流程

        3.2 測(cè)試程序設(shè)計(jì)

        集成電路自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)是集成了電源、測(cè)量單元、信號(hào)發(fā)生器、采樣等測(cè)試測(cè)量單元的大型自動(dòng)測(cè)試設(shè)備,通過程序化控制,能夠在一次測(cè)試過程中完成被測(cè)電路的全部功能和參數(shù)測(cè)試并形成測(cè)試記錄,適用于半導(dǎo)體電路的量產(chǎn)測(cè)試。

        C8051F500-IQ 電路執(zhí)行啟動(dòng)程序后,已經(jīng)進(jìn)入了一種可測(cè)試的模式,如果告知自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)被測(cè)電路現(xiàn)在正處于何種測(cè)試模式,自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)就可以施加相應(yīng)激勵(lì),測(cè)量執(zhí)行結(jié)果[6]。因此,在自動(dòng)測(cè)試程序設(shè)計(jì)過程中,被測(cè)電路與自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)如何進(jìn)行握手,怎樣判斷被測(cè)電路工作在何種方式,施加何種激勵(lì)進(jìn)行測(cè)試是需要解決的主要問題。

        根據(jù)C8051F500-IQ 能夠自主運(yùn)行的特點(diǎn),通過向自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)輸出命令字,自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)收到命令字后即可判斷被測(cè)電路當(dāng)前工作在何種模式,隨后執(zhí)行自動(dòng)測(cè)試程序中相應(yīng)的測(cè)試項(xiàng),即可完成施加激勵(lì)和測(cè)試工作。自動(dòng)測(cè)試程序的設(shè)計(jì)流程如圖4 所示。

        圖4 測(cè)試程序流程

        4 自動(dòng)測(cè)試的實(shí)現(xiàn)

        4.1 測(cè)試配置

        C8051F500-IQ 包含模擬和數(shù)字模塊,其中12位ADC 的1LSB 為0.36mV(基準(zhǔn)源電壓為1.5V),振蕩器的精度要求在100MHz,所以需要選擇一臺(tái)具備模擬和數(shù)字測(cè)量單元且具有高速度和高精度特點(diǎn)的自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)[7-8]。UltraFLEX 是一款面向高速高精度混合信號(hào)測(cè)試領(lǐng)域的大規(guī)模集成電路自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),1MHz 的總諧波失真為-78dB,對(duì)頻率的測(cè)量范圍可達(dá)800MHz,滿足C8051F500-IQ 的測(cè)試需求,因此在該自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)上進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試程序開發(fā),自動(dòng)測(cè)試程序分為功能測(cè)試和參數(shù)測(cè)試兩部分。

        被測(cè)電路上電復(fù)位后順序執(zhí)行啟動(dòng)程序和自動(dòng)測(cè)試程序,完成一項(xiàng)功能或電參數(shù)的測(cè)試,并輸出測(cè)試結(jié)果,軟件復(fù)位后再進(jìn)行下一個(gè)功能和電參數(shù)的測(cè)試,直至所有功能和電參數(shù)的測(cè)試完成。在編寫自動(dòng)測(cè)試程序的測(cè)試項(xiàng)時(shí),有些測(cè)試項(xiàng),如復(fù)位閾值的測(cè)試,是不能通過直接施加激勵(lì)信號(hào)得到結(jié)果的,需要利用UltraFLEX 的底層編程功能,對(duì)BBAC、DCVI、PPMU 等單元進(jìn)行設(shè)置,完成電壓、電流、比較時(shí)間的掃描測(cè)試。

        4.2 測(cè)試結(jié)果

        基于UltraFLEX 自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)編寫C8051F500-IQ 的自動(dòng)測(cè)試程序。此測(cè)試程序共有1300 個(gè)測(cè)試項(xiàng),其中功能測(cè)試項(xiàng)8 類,直流參數(shù)測(cè)試項(xiàng)46 類,交流參數(shù)測(cè)試項(xiàng)9 類,在每類測(cè)試項(xiàng)中包含了電源電壓以及端口電壓的拉偏條件。配合高、低溫試驗(yàn)箱,可以對(duì)電路進(jìn)行全溫區(qū)條件下的全部功能和參數(shù)的測(cè)試,測(cè)試時(shí)間約27s。

        利用該測(cè)試流程對(duì)30 只C8051F500-IQ 進(jìn)行測(cè)試,篩選出不合格產(chǎn)品2 只。將2 只產(chǎn)品在驗(yàn)證板上進(jìn)行對(duì)比測(cè)試,發(fā)現(xiàn)不合格產(chǎn)品的失效項(xiàng)以及失效情況與自動(dòng)測(cè)試結(jié)果一致。

        5 結(jié)束語

        根據(jù)SoC 產(chǎn)品和自動(dòng)測(cè)試設(shè)備的特點(diǎn),設(shè)計(jì)了啟動(dòng)程序和測(cè)試程序,在UltraFLEX 自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)上完成C8051F500-IQ 的全參數(shù)自動(dòng)測(cè)試。試驗(yàn)結(jié)果表明,該方法實(shí)現(xiàn)了C8051F500-IQ 產(chǎn)品的全參數(shù)自動(dòng)測(cè)試并有效剔除不合格產(chǎn)品,對(duì)于同類SoC產(chǎn)品的自動(dòng)測(cè)試程序開發(fā)有借鑒意義。

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