6·18年中大促后，不到兩個(gè)月的時(shí)間，8GB內(nèi)存市場(chǎng)價(jià)竟?jié)q了超過35%，到底是真缺貨還是亂漲價(jià)？

其實(shí)這場(chǎng)內(nèi)存漲價(jià)風(fēng)波也并不是悄無聲息的，確實(shí)是早早地給消費(fèi)者打了預(yù)防針。臺(tái)積電年初出現(xiàn)的晶圓污染事件就報(bào)廢了10萬片，相當(dāng)于該工廠一個(gè)月的產(chǎn)能了，直接損失高達(dá)5.5億美元。6月，東芝位于日本四日市的NAND工廠出現(xiàn)了斷電事故。四日市NAND工廠舉足輕重，該工廠是2017年開始建設(shè)的，去年才正式投產(chǎn)，由東芝、西數(shù)合作運(yùn)營，是雙方NAND閃存的主力工廠，占到全球40%的產(chǎn)能。想必關(guān)注閃存市場(chǎng)的的小伙伴看到“起火”、“停電”等關(guān)鍵詞，就會(huì)聯(lián)想到漲價(jià)這件事上來，甚至還有人調(diào)侃：存儲(chǔ)市場(chǎng)隔幾年就要出個(gè)起火事故，要不然哪來的漲價(jià)理由呢？

很明顯，還沒完，日本在7月又推出對(duì)韓出口新規(guī)。從7月4日起對(duì)特定項(xiàng)目實(shí)行出口審查、要求單獨(dú)申請(qǐng)出口許可。首先是7月4日以后，要求對(duì)氟化聚酰亞胺、光刻膠（Resist）和蝕刻氣體（氟化氫）三個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行單獨(dú)許可和審查，這3種材料都是顯示面板及半導(dǎo)體芯片制造過程當(dāng)中所需的關(guān)鍵材料。估計(jì)日本當(dāng)局審理時(shí)間要90天，但是當(dāng)時(shí)南韓業(yè)者大概最多3個(gè)月的庫存。這意味著什么呢？韓國三星、SK海力士兩家公司占了全球70%左右的內(nèi)存、50%左右的閃存，日本限制對(duì)韓出口特殊原料，勢(shì)必造成內(nèi)存、閃存生產(chǎn)供貨不足，進(jìn)而沖擊全球市場(chǎng)。

針對(duì)閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀，大廠紛紛推出了重大決策：目前美光公司已經(jīng)公布具體的產(chǎn)能削減計(jì)劃：內(nèi)存削減產(chǎn)能5%，NAND閃存削減從原本計(jì)劃的5%擴(kuò)大到了10%。今年來的內(nèi)存市場(chǎng)疲軟已經(jīng)嚴(yán)重影響到三巨頭的營收了，三星上季度盈利預(yù)計(jì)暴跌50%以上，他們顯然不會(huì)坐視內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下跌，已經(jīng)開始從產(chǎn)能上調(diào)節(jié)市場(chǎng)供應(yīng)。繼日本推出半導(dǎo)體原材料出口方面的新規(guī)之后，海力士也宣布內(nèi)存/閃存產(chǎn)能會(huì)受到相當(dāng)大的影響，并開始計(jì)劃收購Intel位于中國大連的Fab 68工廠和相應(yīng)的NAND閃存業(yè)務(wù)，雙方已展開談判。之所以選擇Intel大連工廠，主要是因?yàn)樵搹S產(chǎn)能充足，可以短時(shí)間內(nèi)緩解SK海力士的燃眉之急，保證市場(chǎng)穩(wěn)定。

但是，據(jù)韓國媒體報(bào)道稱，自7月4日日本宣布半導(dǎo)體材料限韓令后，韓系半導(dǎo)體廠商至今已1個(gè)月未能從日本進(jìn)口高純度氟化氫及光阻劑材料。報(bào)道中提到，由于日本的外銷審查已實(shí)施1個(gè)月，韓國業(yè)界推測(cè)SK海力士剩下的高純度氟化氫與光阻劑庫存只剩下1.5個(gè)月。三星電子的情況也大致相同，雖然副會(huì)長李在熔曾于7月中旬訪日，但并未順利解決原料取得問題。

這就意味著，雖然目前三星還未宣布減產(chǎn)，如果原材料事件一直不解決，三星方面也可能不得不做出這樣的決策。很明顯的，因?yàn)檫@些風(fēng)波，幾大內(nèi)存巨頭確實(shí)受到了不小的阻力，市場(chǎng)前景有點(diǎn)不確定，但是內(nèi)存漲價(jià)是必然的了，消費(fèi)者恨得牙癢癢也只能等待觀望了。

不管是缺貨還是漲價(jià)，這些都是國際大廠之間的跟風(fēng)與競(jìng)爭，恰恰給國產(chǎn)內(nèi)存廠商帶來了新的機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)。6月30日晚間，紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。我們知道，紫光是國內(nèi)發(fā)展NAND閃存的重要力量，在武漢及成都分別投資240億美元建設(shè)存儲(chǔ)芯片國家基地，一期工程建成之后，將月產(chǎn)10萬片，三期都完成后將擁有月產(chǎn)30萬片的生產(chǎn)能力。在內(nèi)存方面，紫光旗下的DDR4內(nèi)存芯片研發(fā)已經(jīng)不是瓶頸了，而紫光擅長的是大規(guī)模投資，其DRAM事業(yè)部未來無疑會(huì)像NAND閃存那樣大手筆投資建廠，解決國內(nèi)DDR4內(nèi)存有研發(fā)無生產(chǎn)的問題。