不知道為什么，很多人看到“國產(chǎn)”二字，就會不自覺地將山寨、劣質(zhì)、易壞等詞聯(lián)系到一起。事實(shí)上，近年來國產(chǎn)存儲設(shè)備在嚴(yán)格質(zhì)檢、加大技術(shù)研發(fā)力度的基礎(chǔ)上，已經(jīng)可以給大家交出更完美的答卷了，尤其是長期以來備受壓力的閃存領(lǐng)域也取得了可喜的成績。

兆易創(chuàng)新NOR閃存收入超越美光

據(jù)CINNO Research公布的最新數(shù)據(jù)顯示，2019年第二季度的NOR閃存市場上，我國內(nèi)地的兆易創(chuàng)新（GigaDevice）取得7700萬美元收入，環(huán)比猛增45.1%，是各家進(jìn)步最快的，從而一舉超越美國閃存巨頭美光，從第五名來到了第四名，份額達(dá)到13.9%。前三第一是我國臺灣華邦（Winbond），第二是旺宏（Macronix），第三則是美國Cypress（賽普拉斯） 。截至目前，兆易創(chuàng)新NOR閃存累計(jì)出貨量已經(jīng)超過100億顆，產(chǎn)品線也極為豐富，物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、消費(fèi)類、工控、汽車電子、高性能等等領(lǐng)域都有突破。

NOR閃存是隨機(jī)存儲介質(zhì)，用于數(shù)據(jù)量較小的場合，它的傳輸效率很高，可執(zhí)行程序可以在芯片內(nèi)執(zhí)行（ XI P， eXecute In Place），這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼 讀到系統(tǒng)RAM中。由于NOR的這個(gè)特點(diǎn)，嵌入式系統(tǒng)中經(jīng)常將NOR芯片做啟動芯片使用，也就是很多人說的BIOS使用。NOR閃存的可靠性要高于NAND閃存，這主要是因?yàn)镹OR型閃存的接口簡單，數(shù)據(jù)操作少，位交換操作少，因此可靠性高，極少出現(xiàn)壞區(qū)塊，因而一般用在對可靠性要求高的地方。這一次兆易創(chuàng)新的NOR閃存成績可以說是中國公司具有歷史性的進(jìn)步。

長江存儲NAND閃存宣布量產(chǎn)64層3D NAND

可能有人說NOR閃存并不是消費(fèi)者普遍應(yīng)用的NAND閃存，并不能代表國產(chǎn)存儲的發(fā)展意義。在這里編輯有必要跟大家一起來回顧一下了。就在9月2日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。作為中國首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品的亮相可以說是中國自研閃存歷史上里程碑一樣的存在。

長江存儲算是國產(chǎn)閃存的標(biāo)桿企業(yè)，一直致力于為全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務(wù)，并計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動設(shè)備制造商的需求。

如今亮相的長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲密度。Xtacking可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道（VIA）將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

國產(chǎn)主控性能趕上國際大廠產(chǎn)品

另外，不僅僅是閃存方面有了重要突破，在國產(chǎn)主控領(lǐng)域，聯(lián)蕓科技作為國產(chǎn)SSD主控芯片重要代表，也于6月展示了其最新的MAP100X系列PCIe、NVMe 1.3接口的SSD控制芯片核心技術(shù)及解決方案，全面覆蓋高、中、低PCIe接口SSD市場，可全面參與全球同規(guī)格SSD主控芯片競爭。

聯(lián)蕓科技MAP100X系列PCIe SSD控制芯片包括三款型號：

高端：MAP1001帶DDR緩存，支持8CH X 4CE;

主流：MAP1003帶DDR緩存，支持4CH X 4CE;

性價(jià)比：MAP1002不帶DDR緩存，支持4CH X 4CE，支持 HMB方案。

該系列SSD控制芯片采用聯(lián)蕓科技自主研發(fā)的Agile ECC2糾錯(cuò)技術(shù)，支持硬件RAID功能，支持端到端數(shù)據(jù)保護(hù)，支持NAND顆粒自適配技術(shù)。支持AES256/SHA256以及SM2/SM3/SM4國密算法，支持先進(jìn)的電源管理等。從主控的性能數(shù)據(jù)來看，已經(jīng)趕上了國際主控大廠同級別產(chǎn)品的實(shí)力，而這一點(diǎn)，也充分證明了國產(chǎn)存儲實(shí)力的大幅度提升。

國產(chǎn)內(nèi)存突破有研發(fā)無生產(chǎn)的困局

不管是缺貨還是漲價(jià)，這些都是國際大廠之間的跟風(fēng)與競爭，恰恰給國產(chǎn)內(nèi)存廠商帶來了新的機(jī)會和挑戰(zhàn)。今年6月30日，紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。

8月27日，重慶市與紫光集團(tuán)簽署紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，紫光集團(tuán)將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金，建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。

從DRAM存儲芯片制造工廠，到DRAM事業(yè)群總部，再到紫光云（南方）總部等，紫光在重慶的重大布局，在推動智能產(chǎn)業(yè)“補(bǔ)鏈成群”，推動經(jīng)濟(jì)社會高質(zhì)量發(fā)展上，具有十分重要的戰(zhàn)略意義。

想必很多讀者朋友對于近期內(nèi)存硬盤漲價(jià)的風(fēng)波都還記憶猶新，有人說缺貨，有人說原材料供應(yīng)有問題，說到底，這些都是國際大廠之間的跟風(fēng)與競爭，恰恰給國產(chǎn)內(nèi)存廠商帶來了新的機(jī)會和挑戰(zhàn)。如今紫光旗下的DDR4內(nèi)存芯片研發(fā)已經(jīng)不是瓶頸了，而紫光擅長的是大規(guī)模投資，其DRAM事業(yè)群未來無疑會像NAND閃存那樣大手筆投資建廠，解決國內(nèi)DDR4內(nèi)存有研發(fā)無生產(chǎn)的問題。

國際大廠之爭，為國產(chǎn)存儲帶來發(fā)展契機(jī)

如今，因?yàn)橘Q(mào)易摩擦的原因，國內(nèi)很多科技產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷至暗時(shí)刻，正因?yàn)楝F(xiàn)在如此艱難，才正是國產(chǎn)存儲的修行時(shí)間。目前，中國每年進(jìn)口的集成電路超過3000億美元，其中存儲芯片占了大約1/3的份額，但DRAM內(nèi)存及NAND閃存目前尚無國產(chǎn)廠商染指，國產(chǎn)率基本為0，其中高價(jià)值的內(nèi)存幾乎壟斷在三星、SK Hynix及美光三家公司中。我們必須承認(rèn)國產(chǎn)存儲與國際大廠之間的差距，同時(shí)也應(yīng)該積極迎接挑戰(zhàn)，認(rèn)清現(xiàn)實(shí)，畢竟國產(chǎn)智能設(shè)備對于閃存的需求會越來越大，如果不依賴國際大廠的話，換個(gè)角度來看，國產(chǎn)閃存發(fā)展的前景是相當(dāng)寬廣的。看到國產(chǎn)存儲市場如此積極的一面，不知道還有多少人質(zhì)疑“國產(chǎn)”二字的分量呢？