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        關(guān)于固態(tài)硬盤你必須知道這些

        2019-09-10 07:22:44陳東升
        計算機與網(wǎng)絡(luò) 2019年12期

        陳東升

        隨著固態(tài)硬盤的崛起,價格也是越來越低,裝機搭配一塊固態(tài)硬盤成為了幾乎所有電腦的標(biāo)配。PC電腦硬件之間的木桶效應(yīng),本來機械硬盤時代的短板被固態(tài)硬盤彌補了一段,但是固態(tài)硬盤的結(jié)構(gòu)簡單,制造技術(shù)低,如果愿意,自己也能DIY一塊固態(tài)硬盤,這也間接導(dǎo)致市場魚龍混雜,如何選購成為了一個難題。

        1.內(nèi)部組成

        SSD簡單說由五部分構(gòu)成:主控芯片、閃存、外置緩存顆粒、PCB板以及外殼。

        主控:主控類似于CPU進行固態(tài)硬盤的內(nèi)部運算,主控很重要。

        閃存:存儲內(nèi)容的地方。

        外置緩存:某些型號沒有外置緩存,有些集成在主控內(nèi)部,有些特殊設(shè)計不需要很大緩存所以沒有,類似于內(nèi)存。

        SLC緩存:大幅提升固態(tài)硬盤爆發(fā)速度的技術(shù)。

        PCB板:把主控、閃存顆粒、外置緩存顆粒等其他芯片焊接在上面的的板子,類似于主板。

        外殼,鐵殼子或者塑料盒子。

        2.閃存顆粒

        閃存顆粒廠商

        最大的就是3家,三星、英特爾(鎂光合作建廠)和東芝。其他顆粒也有美光的大S顆粒,還有其他的一些封裝廠,例如威剛、群聯(lián)。能生產(chǎn)顆粒最重要的晶圓的就是那最大的3家,其他廠家要么生產(chǎn)的少,要么就是拿生產(chǎn)的晶圓自己封裝成你所能看到的閃存顆粒。

        顆粒類型

        SLC,MLC,TLC,QLC以及特殊的3D Xpoint閃存顆粒。

        顆粒的簡單原理

        不同的閃存顆粒簡單點說就是單位面積儲存的數(shù)據(jù)不同,增加儲存的數(shù)據(jù)量,可以增加單位面積的數(shù)據(jù)儲存上限,但是會造成壽命和性能的降低。

        SLC顆粒:NAND閃存的始祖,具有十萬次的P/E壽命,(就是十萬次擦寫壽命,就是相當(dāng)于把盤寫滿,然后刪除),同時具有很高的速度,但是成本高,單位密度低,民用幾乎看不到。

        MLC顆粒:具有3 000 ~10 000次的P/E壽命,速度表現(xiàn)尚可,不過主流市場現(xiàn)在很少了,能買到的要么是二手,要么是“大船貨”,其已經(jīng)基本退出了主流市場,但還是可以買到,價格中等。

        TLC顆粒:具有500 ~1 000次的P/E壽命,速度較慢,但是有SLC緩存的加持,短時間速度表現(xiàn)也很不錯,加上有很多針對TLC的主控芯片,為2TLC普及添磚加瓦。家用主流市場現(xiàn)在幾乎都是TLC顆粒,但是商用或者大型數(shù)據(jù)處理中心還是以MLC和SLC為主。

        QLC顆粒:最近出現(xiàn)的顆粒,目前在市場上較少,壽命和速度表現(xiàn)較差,暫時不推薦,如果日后技術(shù)成熟了,買來作為倉庫還是不錯的。

        Intel 3D xpoint顆粒:具有極高的壽命,民用可以作為傳家寶級別,介于DRAM和NAND之間的速度,第一代約有1 % DRAM的速度,但這樣也比NAND強非常多,隨機讀寫性能碾壓NAND。

        原理:閃存顆粒原理很復(fù)雜,簡單點說就是閃存顆粒如果要數(shù)據(jù)讀寫,需要將電子穿過一個類似電容的場,不然電子亂跑,加電壓以后電子順著場做運動穿過電容中間的二氧化硅,然后讀寫數(shù)據(jù)。就像一道水閘,加電壓水閘降低,水就流過去了(可能不是很準(zhǔn)確,但是這是筆者能想到的最簡單的方法)。

        SLC閃存有0和1兩種狀態(tài),可以表示1 bit數(shù)據(jù);MLC閃存有11、10、01和00等4種狀態(tài),可以表示2 bit數(shù)據(jù);TLC閃存有111、110、101、100、011、010、001和000等8種狀態(tài),可以表示3 bit數(shù)據(jù),說這些和耐用性有什么關(guān)系呢?問題在于,閃存單元每次編程或擦除的電子穿越過程都會導(dǎo)致硅氧化物的損耗。這東西本來就只有區(qū)區(qū)10 nm的厚度,每進行一次電子穿越就會變薄一些。也正因為如此,硅氧化物越來越薄,耐用性自然就更差了。

        簡單地說,SLC的電壓狀態(tài)最少,可以容忍電壓的更大變化,MLC的4種狀態(tài)也基本可以接受,TLC的8種就太多了,電壓可變余地很小。在不清楚確切的所需電壓之時,就不得不將同樣的電壓分成8份(SLC和MLC分別只要2份和4份)。在使用過程中,編程和擦寫一個TLC閃存單元所需要的時間也越來越長,最終達到嚴(yán)重影響性能、無法接受的地步,閃存區(qū)塊也就廢了。

        顆粒封裝

        其實顆粒并不是所看到的一個大黑片,里面其實是一個晶圓小塊,然后外面是黑色樹脂包裹保護以及一些走線。

        晶圓第一步挑選完后會有一部分被淘汰,這部分通過某些渠道流出,下游廠商切割,屏蔽壞的部分,成為黑片。

        第二步切割以后,將切壞的淘汰,被下游封裝廠得到,封裝后成為白片,例如大S顆粒,白片比黑片好,不是不能用,但這是好的白片,差的白片一般用去做儲存卡、U盤等,但還是有廠商做固態(tài)硬盤。差的白片和黑片差不多,白片不能一棒子打死,但是也不能直接武斷同意。

        第三步再次檢測后留下的就是正片,正片廠商封裝完成后就成為了我們看到的顆粒。

        3.主控

        如果將顆粒比作馬,那么主控就是鞭子,驅(qū)使管理顆粒。沒有主控,顆粒只能是“莽夫”。一個好的固態(tài)硬盤,一般主控也不會很差。主控廠商有三星、Intel、慧榮、美滿(Marvell,也稱馬牌)、群聯(lián)(phison)和智威等。

        一般三星的主控只用在自家的固態(tài)硬盤上,Intel研究出來也是只給自己家企業(yè)級固態(tài)用。

        主控功能

        SLC緩存:將TLC變成只儲存1 bit的數(shù)據(jù),那么這塊就成為了SLC緩存,但是畢竟是TLC,緩存用完后便會原形畢露。

        TRIM:垃圾回收機制,因為固態(tài)硬盤和機械硬盤寫入擦除方式不同,固態(tài)硬盤寫入數(shù)據(jù)最小是Page頁,擦除就是塊,類似于寫入是可以寫入1 KB數(shù)據(jù),但是擦除時不能只擦除1 KB,需要擦除100 KB。所以需要把部分沒用的數(shù)據(jù)挪到一起,湊夠1個塊,然后一次擦除。

        磨損均衡:1個塊不能一直擦除寫入,需要大家“雨露均沾”,不然一直用1個塊,容易用壞,這就是磨損均衡。

        4.接口以及協(xié)議

        接口決定了速度的上限,不管固態(tài)實際多快。

        接口:SATA,mSATA,M.2,PCIE這4個是常見的。

        協(xié)議:SATA和部分走SATA通道的M.2固態(tài)對應(yīng)AHCI協(xié)議。走PCIE通道的M.2就是NVME協(xié)議。

        SATA和mSATA接口

        SATA在臺式機上是必定有的一個接口,mSATA在比較老的筆記本上有,不過后來少見了,因為有了M.2接口。SATA現(xiàn)在基本是3.0和2.0的較多,理論上2.0是3 Gbps,3.0速度6 Gbps,能夠達到750 MB/S的速度,實際上大部分都是500 M/S,也有少于這個的。

        M.2接口

        M.2接口有2種B-key和M-key,后者是走PCIEx4通道,前者PCIEx2通道,速度不太一樣,體驗差不多。

        PCIEx4通道

        把PCIEx4固態(tài)做到PCIE插卡上,可以增加體積增強散熱以及其他功能,例如斷電保護等。同時也能獲得直通CPU的PCIE通道,獲得更快的速度提升,但是較低的平臺會和顯卡搶占通道,畢竟直通CPU的PCIE通道很珍貴。一般其它的都是南橋提供的,速度比不上直連的。

        5. DRAM緩存

        SSD的DRAM緩存作用是儲存映射表數(shù)據(jù),有些固態(tài)硬盤沒有外置的緩存,但是集成在主控內(nèi)部,叫做SRAM。映射表數(shù)據(jù)就像是一個賬本,記錄著顆粒哪些地方儲存著什么數(shù)據(jù),哪些是沒用的數(shù)據(jù),在垃圾回收時可以方便很多。

        這部分緩存還有緩沖作用,如果要在510 KB無效空間中存放4 KB數(shù)據(jù),需要先擦除512 KB,再寫入4 KB,緩存可以存儲多個4 KB數(shù)據(jù),等到一定量后一次擦除。

        6.掉電保護

        掉電保護可以保護SSD中正在讀寫的數(shù)據(jù),簡單點說就是有一些掉電保護電容。供電時電容充電,意外斷電后電容放電,讓固態(tài)硬盤把未完成的數(shù)據(jù)完成,在映射表中做好記錄,使固態(tài)硬盤通電后還能繼續(xù)使用。一般民用數(shù)據(jù)沒那么重要,考慮到成本原因,也是售價原因,家用的沒這個功能,但是PCIE直連CPU的固態(tài)硬盤有,這類硬件的有一個通用缺點,那就是貴。一般這個功能企業(yè)級SSD都有。

        7. OP容量

        固態(tài)硬盤除了能看到的那部分空間,還有一部分隱藏空間,這部分就是OP容量。當(dāng)部分SSD原來的空間損壞后,用這些隱藏的空間頂上去來提升SSD壽命。

        8.其他

        寫放大:前面提到過,如果要在512 KB無效空間中存放4 KB數(shù)據(jù),需要先擦除512 KB,再寫入4 KB,這就是寫放大,寫入4 KB,卻要擦除512 KB,這是128倍的放大,不過一般沒有這么極端,寫放大造成了不必要的擦除,降低壽命。擦一次是這么久,如果是很多次呢,那么浪費的時間就體現(xiàn)在速度上,降低了性能。所以減小寫放大不僅提升性能,還延長壽命。

        OP空間:雖然OP空間越大越好,但是高于一定量便沒有意義,購買時一般也不會標(biāo)注出來,所以不必非常在意。

        日常使用:如果沒什么必要,不要經(jīng)常擦寫固態(tài)硬盤,這會降低壽命。所以固態(tài)硬盤240 G及以下最好就是別分區(qū)了,因為單個分區(qū)小了,可能需要重新刪除一些東西(但還要看個人喜好,只是建議)。

        通過內(nèi)容可以看出,SSD是有壽命的,尤其TLC壽命和SLC比都不是一個數(shù)量級。經(jīng)常擦寫降低壽命、主控不好降低壽命、顆粒不好壽命更低,所以選購時這三方面成考慮是最重要的。

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