蔣倩

與傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)相比，固態(tài)硬盤(pán)有著速度快、重量輕和功耗低等優(yōu)點(diǎn)，可謂是當(dāng)下裝機(jī)中的必需品。雖然固態(tài)硬盤(pán)的優(yōu)勢(shì)很多，但缺點(diǎn)也不少，例如“容量低”和“價(jià)格高”就是阻礙固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)一步普及的原因，很多用戶在有限的預(yù)算下為了兼顧速度和大容量存儲(chǔ)，只能選擇小容量固態(tài)硬盤(pán)與機(jī)械硬盤(pán)組合搭配的折中方案。

多年來(lái)的閃存顆粒的演變致力于平衡這個(gè)問(wèn)題，從早期的Single-Level Cell顆粒（SLC）、到Multi-Level Cell顆粒（MLC），再到現(xiàn)在的主流Trinary-Level Cell顆粒（TLC），閃存顆粒中每個(gè)Cell所存儲(chǔ)的bit數(shù)量越來(lái)越大，每GB的價(jià)格也越來(lái)越低。當(dāng)然這也有副作用，更繁瑣的尋址會(huì)加速顆粒老化和同容量下更低的性能，所以每次新一代閃存顆粒面世時(shí)都會(huì)引起廣大用戶的爭(zhēng)論。

當(dāng)市場(chǎng)中“TLC黨”和“MLC黨”還在爭(zhēng)論的時(shí)候，三星存儲(chǔ)發(fā)布了一款2.5英寸SATA接口的860 QVO固態(tài)硬盤(pán)，這是三星首款QLC顆粒的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)，直接1 TB起步、另有2 TB和4 TB可選，官方宣傳持續(xù)讀取速度高達(dá)550 MB/s，持續(xù)寫(xiě)入速度520 MB/s，4 K隨機(jī)讀寫(xiě)（QD32）性能達(dá)到96 K和86 K IOPS，兼顧大容量與高性能。

三星860QVO的外包裝和860EVO相似，延續(xù)了簡(jiǎn)潔、大氣的設(shè)計(jì)風(fēng)格。QVO的產(chǎn)品后綴則表明了這是一款采用QLC顆粒的產(chǎn)品。

硬盤(pán)外殼由全金屬打造，表面經(jīng)過(guò)了磨砂處理，非常具有質(zhì)感。拆開(kāi)外殼，可以看到硬盤(pán)內(nèi)部，860QVO的PCB板可以用“短小精悍”來(lái)形容。

一顆64層堆疊的4 bit QLC NAND芯片，容量為1 TB，質(zhì)保壽命為3年，約為860EVO的一半，從理論上來(lái)講應(yīng)付日常使用綽綽有余。

影響固態(tài)硬盤(pán)性能的除了閃存顆粒以外，主控也非常重要。三星860QVO采用了和860EVO同款的MJX主控，這款主控飽受市場(chǎng)考驗(yàn)，穩(wěn)定性和性能都有保障。

背部的PCB預(yù)留了一個(gè)空焊位，2 TB版本的860QVO會(huì)在1TB版的基礎(chǔ)上多一顆64層堆疊的4bitQLCNAND芯片。

Intel酷睿i9-9900K搭配了華碩ROG MAXIMUS XI GENE使用，華碩ROG MAXIMUS XI GENE采用Z390芯片組，10相CPU核心供電和2相Uncore供電，并擁有極強(qiáng)的拓展性，可以說(shuō)是近些年來(lái)最為豪華的mATX規(guī)格主板了。

內(nèi)存方面選擇了2條芝奇幻光戟DDR4-3200 8GB C14組成雙通道，較高的頻率和極低的時(shí)序使其無(wú)論是寫(xiě)入性能、讀取性能、還是內(nèi)存延遲表現(xiàn)都非常不錯(cuò)。

首先使用CrystalDiskInfo檢測(cè)硬盤(pán)的使用狀態(tài)，可以看到三星860QVO雖然是面向中端用戶的低價(jià)產(chǎn)品，但S.M.A.R. T，NCQ，TRIM，DevSleep等技術(shù)都被保留下來(lái)，值得肯定。

使用官方軟件SANSUNG Magician Software進(jìn)行測(cè)試，順序讀取速度為559 MB/s、順序?qū)懭胨俣?28 MB/s；隨機(jī)讀取94 K IOPS、隨機(jī)寫(xiě)入86 K IOPS。

在AS SSD Benchmark和CrystalDiskMark二項(xiàng)常規(guī)的硬盤(pán)測(cè)試軟件中，三星860QVO的讀取和寫(xiě)入速度都能達(dá)到500 MB/s左右，4 K讀寫(xiě)穩(wěn)定在300 MB/s以上，和官方宣傳數(shù)據(jù)基本一致，也與SATA接口TLC顆粒的固態(tài)硬盤(pán)處于同一個(gè)水平線上。

在ATTO Disk Benchmark測(cè)試中，860QVO的最大讀取速度為561 MB/s、最大寫(xiě)入速度為528 MB/s，同樣非常出色。

另一項(xiàng)測(cè)試TxBench中，860QVO的順序讀取速度達(dá)到了561 MB/s、順序?qū)懭胱畲笾禐?31 MB/s；4K QD32讀寫(xiě)速度也達(dá)到了363 MB/s和345 MB/s。

為了進(jìn)一步檢測(cè)三星860QVO的性能，使用HD TUNE對(duì)其進(jìn)行全盤(pán)寫(xiě)入壓力測(cè)試?？梢钥吹?，在空盤(pán)狀態(tài)下三星860QVO的寫(xiě)入速度能穩(wěn)定在330 MB/s以上，證明當(dāng)寫(xiě)入文件大小沒(méi)有超出SLC緩存時(shí)成績(jī)非常不錯(cuò)。

但寫(xiě)入過(guò)半后，成績(jī)斷崖式下跌到了70 MB/s左右，可見(jiàn)在SLC緩存被寫(xiě)爆后，QLC顆粒的硬盤(pán)速度確實(shí)會(huì)受到顯著影響。

為了進(jìn)一步驗(yàn)證，在970EVO PLUS系統(tǒng)盤(pán)中找到了一個(gè)高達(dá)62.6 GB的超大文件，并將其拷貝到860QVO中。通過(guò)Windows10自帶的資源管理器，可以看到在前40 GB時(shí)，平均復(fù)制速度高達(dá)450 MB/s，但后期的復(fù)制速度也出現(xiàn)了顯著的下降。從測(cè)試中可以看到，三星860QVO的緩內(nèi)讀寫(xiě)速度都非常不錯(cuò)，達(dá)到了官方宣傳的水平，并和市面上主流的SATA3接口TLC固態(tài)硬盤(pán)基本相當(dāng)。

當(dāng)數(shù)據(jù)寫(xiě)入量超出SLC緩存后，硬盤(pán)性能會(huì)下降很多，但鑒于大部分用戶并不會(huì)經(jīng)常做超大文件讀寫(xiě)，所以三星860QVO面對(duì)日常的辦公和游戲還是毫無(wú)壓力的。