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        企業(yè)數(shù)據(jù)策略的關(guān)鍵

        2019-08-30 08:22:18佚名
        中國(guó)信息化周報(bào) 2019年28期
        關(guān)鍵詞:線纜固態(tài)英特爾

        佚名

        數(shù)據(jù)洪流時(shí)代,大多數(shù)IT部門(mén)會(huì)用溫度這個(gè)概念來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)分類(lèi)?!袄洹睌?shù)據(jù)幾乎不會(huì)被訪問(wèn),但需要安全地存儲(chǔ)起來(lái),多數(shù)會(huì)被存儲(chǔ)在磁帶存儲(chǔ)器或云中;“熱”數(shù)據(jù)則會(huì)被放置到在磁盤(pán)上,并被頻繁、快速且安全地訪問(wèn)。然而從數(shù)量、速度、多樣性和熱度四個(gè)維度來(lái)衡量數(shù)據(jù),越來(lái)越多的數(shù)據(jù)將會(huì)是熱數(shù)據(jù),如何實(shí)現(xiàn)成本和性能之間的平衡是IT需要面對(duì)的巨大問(wèn)題。

        英特爾傲騰技術(shù)?打破傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)分層模型

        英特爾傲騰技術(shù)不僅足以用作擴(kuò)展的內(nèi)存池,而且響應(yīng)速度比高性能NAND固態(tài)盤(pán)更快。這意味著,對(duì)于許多應(yīng)用而言,英特爾傲騰技術(shù)可以提高媲美內(nèi)存的性能,從而為“熱”數(shù)據(jù)提供一個(gè)性能優(yōu)于磁盤(pán)、價(jià)格低于DRAM的更高性能的解決方案。

        實(shí)際上,英特爾傲騰技術(shù)將內(nèi)存和存儲(chǔ)的特性與低延遲、高耐久性、高服務(wù)質(zhì)量和高吞吐量結(jié)合在一起,增加了每臺(tái)服務(wù)器的規(guī)模,并降低了事務(wù)處理成本。通過(guò)與最新的英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器結(jié)合使用,英特爾傲騰固態(tài)盤(pán)支持部署更大且更經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的數(shù)據(jù)集,以便通過(guò)更大的內(nèi)存池獲得新洞察。

        英特爾 3D XPoint技術(shù)

        英特爾 3D XPoint技術(shù)作為英特爾傲騰技術(shù)的核心,采用了全新的內(nèi)存方法。它將材料的亞微觀層切分為多個(gè)列,每列包含一個(gè)內(nèi)存單元和一個(gè)選擇器。它使用垂直線纜連接各個(gè)列,并采用了創(chuàng)新的交叉點(diǎn)結(jié)構(gòu),可以通過(guò)在頂部和底部各選擇一根線纜來(lái)單獨(dú)尋址內(nèi)存單元??梢詮娜齻€(gè)維度堆疊這些內(nèi)存網(wǎng)格,以提高存儲(chǔ)密度。DRAM需要為每個(gè)內(nèi)存單元使用一個(gè)晶體管,因而在大小和成本方面產(chǎn)生了不良影響;而與之不同的是,每個(gè)英特爾 3D XPoint內(nèi)存單元可以通過(guò)改變線纜中的電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)輕松寫(xiě)入或讀取,完全不需要晶體管。

        內(nèi)存單元會(huì)保持持久狀態(tài),這意味著它們即便被斷電,也會(huì)保留它們自己的值。這些功能共同提供了快速、密集和非易失特性,使英特爾傲騰技術(shù)成為模糊存儲(chǔ)和內(nèi)存之間界限的完美選擇。對(duì)于某些工作負(fù)載而言,英特爾傲騰固態(tài)盤(pán)將內(nèi)存池的大小提高了多達(dá)8倍,并將DRAM替換為至多10∶12。

        英特爾傲騰技術(shù)的基準(zhǔn)測(cè)試

        大多數(shù)NAND固態(tài)盤(pán)的測(cè)量值都是峰值性能,且通常采用100%讀取或100%寫(xiě)入工作負(fù)載,但這些都不是常見(jiàn)的。英特爾使用了極常見(jiàn)的混合工作負(fù)載(70%的讀取和30%的寫(xiě)入)進(jìn)行了測(cè)試,這種混合工作負(fù)載常見(jiàn)于數(shù)據(jù)庫(kù)的事務(wù)處理中。同時(shí),還在存儲(chǔ)設(shè)備上展示了1到16范圍內(nèi)隊(duì)列深度的情況-出色的I/O性能。在這種情況下,NAND固態(tài)盤(pán)達(dá)到的性能越高越好。英特爾傲騰技術(shù)可將關(guān)鍵方面的性能提高5-15倍。

        對(duì)于70/30混合工作負(fù)載,英特爾傲騰技術(shù)在QD1下實(shí)現(xiàn)的性能是高耐久性NAND固態(tài)盤(pán)(P3700)所實(shí)現(xiàn)性能的15倍。英特爾傲騰技術(shù)可在QD12下達(dá)到最大吞吐量,而大多數(shù)基于NAND的固態(tài)盤(pán)需要在隊(duì)列深度達(dá)到100或更高的情況下才能實(shí)現(xiàn)最高性能。

        英特爾傲騰技術(shù)將延遲降為以前的十分之一(延遲<10微秒),將QoS提高了100倍,提高了讀取速度(7微秒對(duì)比70微秒),這得益于介質(zhì)的物理特性。

        此外,基于不同應(yīng)用場(chǎng)景亦推出了英特爾精選解決方案,這些經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的解決方案在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器、英特爾數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤(pán)、英特爾以太網(wǎng)等產(chǎn)品架構(gòu)上開(kāi)發(fā)而成,能夠給客戶(hù)帶來(lái)更優(yōu)的系統(tǒng)性能、更強(qiáng)的系統(tǒng)穩(wěn)定性、更快的部署時(shí)間和更優(yōu)異的總體擁有成本(TCO),可針對(duì)廣泛的工作負(fù)載提供優(yōu)化。

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