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        航天繼電器微觀形貌參數(shù)與電氣參數(shù)融合方法研究*

        2019-08-21 04:38:36李文華盧文將趙月山仝大永
        航天控制 2019年3期
        關(guān)鍵詞:觸點(diǎn)關(guān)聯(lián)度粗糙度

        李文華 盧文將 趙月山 李 爽 鄭 杭 仝大永

        1.省部共建電工裝備可靠性與智能化國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(河北工業(yè)大學(xué)), 天津300130 2.河北省電磁場(chǎng)與電器可靠性重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(河北工業(yè)大學(xué)), 天津300130 3.沈陽鐵路信號(hào)有限責(zé)任公司, 沈陽110025

        航天繼電器廣泛應(yīng)用于航天控制以及武器裝備系統(tǒng)中,其貯存可靠性可直接影響到整個(gè)國防系統(tǒng)的可靠運(yùn)行。繼電器在經(jīng)長(zhǎng)期貯存之后能否可靠地完成其規(guī)定的功能是人們所關(guān)注的,因此貯存期間的性能研究對(duì)于產(chǎn)品的可靠性判斷具有重要的指導(dǎo)意義。

        傳統(tǒng)的方法已經(jīng)不再適用于航天繼電器這一類高可靠長(zhǎng)壽命電子裝備的可靠性預(yù)測(cè)。研究發(fā)現(xiàn),大部分產(chǎn)品的失效機(jī)理最終可以追溯到產(chǎn)品潛在的性能退化過程。文獻(xiàn)[1]建立了高溫條件下繼電器吸合時(shí)間的貯存退化模型,文獻(xiàn)[2]基于航天繼電器的退化參數(shù),提出了一種基于Wiener過程的航天繼電器可靠性評(píng)估方法。文獻(xiàn)[3]給出了基于隨機(jī)過程的元器件性能退化建模流程。文獻(xiàn)[4]建立了考慮整彈退化程度影響的導(dǎo)彈突發(fā)失效模型, 用于客觀描述導(dǎo)彈性能退化對(duì)其突發(fā)失效的影響。文獻(xiàn)[5]采用逆高斯過程模型擬合組件的應(yīng)力松弛數(shù)據(jù)。文獻(xiàn)[6]在步進(jìn)應(yīng)力加速退化試驗(yàn)的基礎(chǔ)上,對(duì)于具有隨機(jī)效應(yīng)和測(cè)量誤差的非線性產(chǎn)品的退化過程,基于具有隨機(jī)效應(yīng)和測(cè)量誤差的退化模型建立了非線性Wiener模型。以上文獻(xiàn)都是基于性能退化數(shù)據(jù)對(duì)產(chǎn)品的性能退化過程進(jìn)行分析與建模,沒有結(jié)合觸點(diǎn)表面微觀形貌變化對(duì)產(chǎn)品性能的影響。本文融合觸點(diǎn)的微觀粗糙度參數(shù)與宏觀電參數(shù),從多維參數(shù)分析繼電器貯存期間的綜合性能狀態(tài),解決了單一電參數(shù)分析繼電器性能不夠全面的問題。

        本文在對(duì)航天繼電器進(jìn)行恒定溫度應(yīng)力貯存壽命加速試驗(yàn)的基礎(chǔ)上,監(jiān)測(cè)并記錄貯存過程中的多個(gè)性能參數(shù)。采用非接觸式表面形貌儀掃描試驗(yàn)后的觸點(diǎn)表面微觀形貌,建立觸點(diǎn)組接觸差平面。提出接觸粗糙度參數(shù)的概念,采用灰色關(guān)聯(lián)度分析法建立繼電器觸點(diǎn)組接觸粗糙度參數(shù)與接觸性能之間的關(guān)系,融合觸點(diǎn)表面微觀參數(shù)分析繼電器貯存過程中接觸性能的退化。

        1 恒定溫度應(yīng)力貯存壽命加速試驗(yàn)簡(jiǎn)述

        航天繼電器在貯存過程中受到溫度、濕度、振動(dòng)等諸多環(huán)境因素的影響,貯存環(huán)境復(fù)雜。溫度是影響密封式電磁繼電器貯存可靠性最主要的因素[7],因此,試驗(yàn)采用溫度為加速應(yīng)力進(jìn)行恒定溫度應(yīng)力貯存壽命加速試驗(yàn),在不改變失效機(jī)理的前提下,提高繼電器的貯存應(yīng)力水平,以加速航天繼電器的性能退化過程。繼電器貯存溫度上限值為40℃,兼顧試驗(yàn)的加速性和繼電器結(jié)構(gòu)、材料所能承受的應(yīng)力極限,選取最高溫度應(yīng)力為125℃,最低溫度應(yīng)力為60℃[8]。根據(jù)阿倫尼斯模型將應(yīng)力等級(jí)數(shù)設(shè)置為4,中間2個(gè)溫度應(yīng)力為73℃和92℃。

        試驗(yàn)采用2臺(tái)調(diào)溫調(diào)濕箱模擬2個(gè)不同環(huán)境溫度,每個(gè)溫度應(yīng)力下放置25臺(tái)繼電器,各個(gè)應(yīng)力下進(jìn)行為期23周的貯存試驗(yàn)。試驗(yàn)前的每臺(tái)繼電器在出廠之前均進(jìn)行過密封性檢驗(yàn),保證試驗(yàn)所用繼電器都是密封合格的。同時(shí)對(duì)2個(gè)溫度等級(jí)下貯存的試品進(jìn)行參數(shù)監(jiān)測(cè),并每隔一周記錄繼電器的斷開電壓Uk、、吸合電壓Ux、釋放電壓Us、吸合時(shí)間Tx、釋放時(shí)間Ts和接觸電阻R等6個(gè)性能參數(shù)。其中,斷開電壓與釋放電壓所指對(duì)象不同,前者指的是動(dòng)靜觸點(diǎn)斷開后觸點(diǎn)兩端的電壓;后者指的是繼電器斷開過程中,線圈電壓能夠使銜鐵釋放且不會(huì)在運(yùn)動(dòng)過程中停頓的最大電壓值。

        由于航天繼電器性能退化十分緩慢,本文選取了125℃下的8臺(tái)繼電器樣品進(jìn)行性能退化分析。

        2 觸點(diǎn)表面形貌分析與差平面的建立

        2.1 試驗(yàn)后觸點(diǎn)表面掃描分析

        觸點(diǎn)是繼電器最重要的組成部件,其表面形貌直接影響繼電器的接觸性能。因此,有必要對(duì)試驗(yàn)后的繼電器觸點(diǎn)表面形貌進(jìn)行分析。

        航天繼電器是一類密封式繼電器,以一臺(tái)繼電器為例,在保證不損壞繼電器內(nèi)部結(jié)構(gòu)的前提下,將試驗(yàn)后的繼電器拆殼,剪下成對(duì)的動(dòng)、靜觸點(diǎn)。利用非接觸式表面形貌儀掃描試驗(yàn)后的觸點(diǎn)表面,采集觸點(diǎn)表面的三維高度信息,得到動(dòng)、靜觸點(diǎn)接觸面朝上時(shí)的掃描結(jié)果如圖1所示。

        圖1 繼電器觸點(diǎn)表面形貌

        根據(jù)繼電器接觸完成時(shí)的狀態(tài),掃描動(dòng)、靜觸點(diǎn)的相對(duì)接觸表面,得到的觸點(diǎn)組表面高度信息矩陣的大小相等。根據(jù)表面高度信息,還原觸點(diǎn)表面微觀形貌如圖2所示。

        圖2 觸點(diǎn)表面三維形貌還原圖

        2.2 觸點(diǎn)表面信息的調(diào)整

        在掃描繼電器觸點(diǎn)表面之前,對(duì)其運(yùn)動(dòng)過程進(jìn)行高速拍攝,根據(jù)拍攝得到的結(jié)果計(jì)算動(dòng)靜觸點(diǎn)接觸完成后兩接觸表面的相對(duì)空間夾角,據(jù)此校正表面高度信息。同時(shí)為了便于觀察表面高度狀況,對(duì)兩接觸表面上的高度進(jìn)行整體變換,使動(dòng)觸點(diǎn)表面高度平行于掃描基準(zhǔn)面。

        動(dòng)靜觸點(diǎn)實(shí)物較小,擺放位置不易調(diào)整,單獨(dú)掃描時(shí)難以保證兩者掃描方位的一致性,影響觸點(diǎn)組接觸區(qū)域的對(duì)應(yīng)和后續(xù)接觸差平面的建立。因此,本文利用旋轉(zhuǎn)函數(shù)調(diào)整掃描得到的觸點(diǎn)表面,使動(dòng)靜觸點(diǎn)的接觸區(qū)域相互對(duì)應(yīng)。

        觸點(diǎn)經(jīng)高度校正與旋轉(zhuǎn)調(diào)整之后,觸點(diǎn)表面三維形貌如圖3所示。

        圖3 調(diào)整之后的動(dòng)靜觸點(diǎn)表面三維形貌圖

        對(duì)比圖2和3中動(dòng)靜觸點(diǎn)校正前后的表面形貌圖,校正后的觸點(diǎn)表面形貌特征更加立體突出,觸點(diǎn)表面高度整體處于水平狀態(tài),表面凹坑和突起能夠反映接觸表面的粗糙狀況。

        2.3 觸點(diǎn)組接觸差平面的建立

        任何肉眼看上去光滑的金屬表面,實(shí)際上都是粗糙不平的,兩粗糙表面的接觸實(shí)際上是微凸體間的接觸[9]。兩金屬面相互接觸時(shí),最高的粗糙峰頂最先接觸,通常會(huì)出現(xiàn)較大的局部應(yīng)力,表面微凸體產(chǎn)生擠壓變形,接觸面增大使新的接觸粗糙封頂參與接觸[10]。直到接觸過程完成。

        本文所研究的航天繼電器是一種密封式小信號(hào)繼電器,氣密性良好,因此本文假定觸點(diǎn)表面氧化膜等污染問題以及電弧對(duì)觸點(diǎn)表面的變化無影響,在此前提下建立觸點(diǎn)組接觸差平面。觸點(diǎn)在掃描之前對(duì)其運(yùn)動(dòng)過程進(jìn)行高速拍攝,通過動(dòng)靜觸點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)軌跡,計(jì)算兩者之間相對(duì)側(cè)向滑動(dòng)位移,還原上一次的接觸狀態(tài)。

        以靜觸點(diǎn)為基底,動(dòng)觸點(diǎn)表面做鏡像對(duì)稱,模擬觸點(diǎn)動(dòng)作過程的接觸狀態(tài)。首先將靜觸點(diǎn)與鏡像后的動(dòng)觸點(diǎn)表面高度信息求和,以動(dòng)靜觸點(diǎn)表面高度之和的最大值所形成的平面作為接觸差平面的基準(zhǔn)面。然后計(jì)算此基準(zhǔn)面與動(dòng)靜觸點(diǎn)表面高度和之間的高度差,得到一對(duì)觸點(diǎn)組的接觸差平面[11],如圖4所示。

        圖4 觸點(diǎn)組接觸差平面還原圖

        當(dāng)觸點(diǎn)組兩接觸表面相互接觸時(shí),動(dòng)靜觸點(diǎn)表面對(duì)應(yīng)位置高度之和最大處最先開始接觸,此時(shí)未接觸的區(qū)域便形成空隙,這個(gè)空隙表現(xiàn)在差平面上,即為差平面相應(yīng)位置上的高度。在實(shí)際接觸過程中,差平面上最低點(diǎn)處為觸點(diǎn)組最先接觸的位置,按照差平面上的高度值逐漸增大的方向,繼電器觸點(diǎn)實(shí)際接觸的點(diǎn)開始增多,實(shí)際接觸面積逐漸增大,直至觸點(diǎn)接觸穩(wěn)定。

        繼電器接觸完成時(shí),存在一個(gè)高度值(即接觸變形量),差平面上小于ω的部分為觸點(diǎn)接觸區(qū)域,大于ω的部分為非接觸區(qū)域,即

        (1)

        其中,φ(xi,xj)為所建觸點(diǎn)組接觸差平面,i和j分別為表面高度矩陣的行數(shù)和列數(shù)。通過所建立的接觸差平面,結(jié)合動(dòng)靜觸點(diǎn)之間的形變量,還原繼電器的接觸過程。

        3 觸點(diǎn)組接觸粗糙度參數(shù)的計(jì)算

        本文在建立觸點(diǎn)組接觸差平面的基礎(chǔ)上,提出接觸粗糙度參數(shù)的概念,計(jì)算觸點(diǎn)組接觸差平面上的粗糙度參數(shù),反映兩接觸粗糙表面在接觸狀態(tài)下的表面形貌特征,分析觸點(diǎn)組接觸過程中表面形貌對(duì)接觸性能的影響。

        采用單一表面三維粗糙度的表征方法,計(jì)算4個(gè)最基礎(chǔ)且具有代表性的幅度參數(shù):表面10點(diǎn)高度Sz、表面算術(shù)平均偏差Sa、表面均方根偏差Sq和輪廓最大峰高Sp。

        1)表面10點(diǎn)高度Sz

        Sz是在采樣區(qū)間內(nèi)5個(gè)最高點(diǎn)與5個(gè)最低點(diǎn)高度的平均值,計(jì)算公式如式(2)。

        (2)

        式中,ηsi和ηvi(i=1,2,3,4))分別為5個(gè)最高與5個(gè)最低點(diǎn)的高度值。

        2)表面算術(shù)平均偏差Sa

        Sa指所選區(qū)域內(nèi)各點(diǎn)絕對(duì)高度的平均值,計(jì)算公式如式(3)。

        (3)

        式中,M和N分別代表x軸和y軸的取樣點(diǎn)數(shù)。Sa反映了表面粗糙度的高度信息的算術(shù)平均分布。

        3)表面均方根偏差Sq

        Sq是取樣區(qū)域內(nèi)各點(diǎn)高度的均方根值,是經(jīng)常使用的一個(gè)參數(shù),計(jì)算公式如式(4)。

        (4)

        4)輪廓最大峰高Sp

        Sp是取樣區(qū)域內(nèi)粗糙度曲面上的z坐標(biāo)最大數(shù)值,計(jì)算公式如式(5)。

        (5)

        表1為試驗(yàn)后8對(duì)觸點(diǎn)的差平面接觸粗糙度參數(shù)以及接觸電阻結(jié)果,觸點(diǎn)組吸合狀態(tài)的接觸電阻是在多次測(cè)量操作中確定的。

        表1 接觸粗糙度參數(shù)及其對(duì)應(yīng)的接觸電阻

        由表1可知,對(duì)于參數(shù)Sa,參數(shù)較大時(shí),觸點(diǎn)閉合時(shí)的接觸電阻也較大,反之,接觸電阻較?。怀?號(hào)、2號(hào)觸點(diǎn)組之外,閉合時(shí)的接觸電阻變化與參數(shù)Sq呈正相關(guān)性;而其余2個(gè)表面粗糙度參數(shù)與接觸電阻沒有明顯的相關(guān)關(guān)系。由此可見觸點(diǎn)組差平面上的接觸粗糙度與接觸電阻存在一定的關(guān)聯(lián)性,同時(shí)也受繼電器個(gè)體差異等其他因素的影響。

        4 航天繼電器貯存情況下的參數(shù)融合分析

        4.1 灰色關(guān)聯(lián)度分析法

        灰色關(guān)聯(lián)分析是灰色系統(tǒng)理論中的重要內(nèi)容,其基本思想是根據(jù)序列曲線幾何形狀的相似程度來判斷系統(tǒng)中各個(gè)因素之間的聯(lián)系是否緊密,曲線越接近,相應(yīng)序列之間的關(guān)聯(lián)度越大,反之就越小[12-14]?;疑P(guān)聯(lián)分析只需要少量數(shù)據(jù),計(jì)算量小,與數(shù)理統(tǒng)計(jì)中的回歸分析、方差分析和主成分分析等系統(tǒng)分析方法相比,不要求數(shù)據(jù)服從某個(gè)典型的概率分布或數(shù)據(jù)之間有著較大的區(qū)分性[14]。

        X0=[X0(1),X0(2),X0(3),…,X0(n)]記為參考序列。第i個(gè)比較序列Xi=[Xi(1),Xi(2),Xi(3),…,Xi(n)],其中,i=1,2,3,…,m,m表示指標(biāo)個(gè)數(shù)。對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化處理,消除量綱帶來的影響。則Xi和Xj的灰色關(guān)聯(lián)系數(shù)可表示為式(6)。

        (6)

        式中,j=1,2,…,n,ρ為分辨系數(shù),用來削弱max|x0(j)-xi(j)|過大而使關(guān)聯(lián)系數(shù)失真的影響,一般取值為0.5[15]。由此計(jì)算得到m個(gè)指標(biāo)與參考序列中對(duì)應(yīng)元素的相關(guān)系數(shù)。通過求均值的方法,計(jì)算每個(gè)評(píng)價(jià)指標(biāo)與參考序列的關(guān)聯(lián)度,如式(7)所示。

        (7)

        4.2 微觀接觸粗糙度參數(shù)與接觸電阻灰色關(guān)聯(lián)度分析

        接觸電阻是表征航天繼電器貯存過程中的最主要的性能參數(shù)之一,由接觸電阻超標(biāo)導(dǎo)致的接觸失效是繼電器最主要的失效模式[16]。因此文中將接觸電阻看作參考序列X0,接觸粗糙度參數(shù)Sz,Sa,Sq和Sp分別為比較序列,采用灰色關(guān)聯(lián)度分析對(duì)方法計(jì)算接觸電阻與接觸粗糙度參數(shù)之間的灰色關(guān)聯(lián)度,計(jì)算結(jié)果如表2所示。

        表2 接觸粗糙度參數(shù)與接觸電阻之間的灰色關(guān)聯(lián)度

        由表2可知,繼電器的接觸電阻與上述各粗糙度參數(shù)均具有較高的關(guān)聯(lián)性,其中與Sp的關(guān)聯(lián)度最高為0.9097。差平面上的點(diǎn)表示繼電器動(dòng)靜觸點(diǎn)處于初始接觸狀態(tài)時(shí),兩接觸表面之間的間隙。由于差平面上高度的連續(xù)性,Sp數(shù)值越大表明在接觸過程中的接觸可能性越低,越難接觸,影響實(shí)際接觸過程的接觸斑點(diǎn)的數(shù)量,進(jìn)而影響接觸電阻。

        4.3 宏觀性能參數(shù)與接觸電阻的灰色關(guān)聯(lián)度分析

        航天繼電器在貯存過程中,可有多個(gè)參數(shù)表征它的性能變化。同樣采用灰色關(guān)聯(lián)度分析方法,分析加速貯存試驗(yàn)過程中記錄的斷開電壓Uk,吸合電壓Ux,釋放電壓Us,吸合時(shí)間Tx,釋放時(shí)間Ts與接觸電阻R之間的關(guān)聯(lián)性。

        表3 繼電器貯存期間的各個(gè)性能參數(shù)

        接觸電阻與各個(gè)性能參數(shù)之間的灰色關(guān)聯(lián)度計(jì)算結(jié)果如表4所示。

        表4 其他性能參數(shù)與接觸電阻之間的灰色關(guān)聯(lián)度

        由表4可知,接觸電阻與上述其他性能參數(shù)的關(guān)聯(lián)度都大于0.66,存在較為明顯的相關(guān)關(guān)系。其中,接觸電阻與吸合時(shí)間的關(guān)聯(lián)性最大為0.8934,繼電器的貯存性能退化與觸點(diǎn)吸合時(shí)間緊密相關(guān)。

        M.Hammerschmit等指出[17],吸合時(shí)間與繼電器觸點(diǎn)間隙、接觸壓力等機(jī)械參數(shù)存在確定的關(guān)系,是繼電器性能退化的特性參數(shù)。隨著貯存時(shí)間的增加,由于線圈老化和彈簧片疲勞,繼電器電磁系統(tǒng)的吸力和彈簧反力發(fā)生變化,影響吸合時(shí)間,進(jìn)一步影響其接觸性能,接觸電阻亦隨之改變。吸合時(shí)間反映了繼電器零部件退化的特征信息。

        4.4 宏觀與微觀特征參數(shù)的融合

        本文以觸點(diǎn)的接觸電阻為橋梁,融合繼電器宏觀性能參數(shù)與觸點(diǎn)表面微觀接觸粗糙度參數(shù),其特征參數(shù)之間聯(lián)系如圖5所示,從宏觀和微觀兩個(gè)層面分析繼電器在貯存過程中接觸性能的退化。

        圖5 微觀接觸粗糙度參數(shù)和宏觀性能參數(shù)與接觸電阻的關(guān)系圖

        灰色關(guān)聯(lián)度是參考序列與比較序列相似程度的量化,記觸點(diǎn)微觀接觸粗糙度參數(shù)與接觸電阻之間的關(guān)聯(lián)度為σk(k=1,2,3,4),接觸電阻與其余性能參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)度為δl(l=1,2,3,…,5),以參數(shù)之間的灰色關(guān)聯(lián)度作為權(quán)重,進(jìn)行微觀參數(shù)與宏觀參數(shù)的融合,分析繼電器的接觸性能。融合之后形成新的參數(shù)表示為R*,其融合過程如式(8)所示。

        (8)

        不同觸點(diǎn)組的接觸電阻與融合之后的綜合特征參數(shù)的曲線圖如圖6所示。

        圖6 不同觸點(diǎn)組接觸電阻與融合參數(shù)曲線圖

        對(duì)比分析圖6中接觸電阻與融合參數(shù)的曲線圖,特征融合之后的參數(shù)與接觸電阻的變化趨勢(shì)基本一致。融合之后的特征參數(shù)包含有宏觀以及微觀層面的多維退化參數(shù)信息,是接觸性能的綜合反映,能夠更為全面地分析航天繼電器貯存期間接觸性能的情況。在參數(shù)數(shù)據(jù)共性的基礎(chǔ)上對(duì)繼電器貯存期間的多個(gè)參數(shù)進(jìn)行特征融合,提高了對(duì)多維參數(shù)的綜合利用效率。

        5 結(jié)論

        研究了一種融合航天繼電器微觀粗糙度參數(shù)與宏觀性能參數(shù)的方法?;诶^電器的恒定應(yīng)力貯存加速試驗(yàn),融合多維退化參數(shù)分析其貯存期間的接觸性能。主要有以下結(jié)論:

        1)采用灰色關(guān)聯(lián)度分析方法,分析接觸電阻與宏觀和微觀多維參數(shù)之間的灰色關(guān)聯(lián)度,分析結(jié)果均大于0.66,表明各個(gè)特征參數(shù)與接觸電阻之間均具有較強(qiáng)的相關(guān)性,同時(shí)驗(yàn)證了本文所提出的接觸粗糙度參數(shù)的合理性,可用其表征接觸表面的整體粗糙狀況;

        2)以接觸電阻為中間橋梁,基于參數(shù)之間的灰色關(guān)聯(lián)度進(jìn)行微觀與宏觀參數(shù)的融合。對(duì)比分析接觸電阻與特征融合參數(shù)曲線圖,二者之間的變化趨勢(shì)基本一致,特征融合之后的參數(shù)可綜合反映繼電器的接觸性能信息,表明本文所提的方法可實(shí)現(xiàn)對(duì)宏觀和微觀參數(shù)的有效融合,在找到參數(shù)共性的基礎(chǔ)上提高了對(duì)多維參數(shù)的綜合利用效率。

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        河南科技(2014年16期)2014-02-27 14:13:25
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