陳令剛,陳鴻躍,段祉鴻,朱曦曼
(北京航天發(fā)射技術(shù)研究所,北京 100076)
捷聯(lián)慣組上電初始化時(shí)需要讀取內(nèi)部存儲(chǔ)器上的大量慣組參數(shù),參數(shù)數(shù)量多達(dá)上千個(gè),而當(dāng)采用參數(shù)三取二模式時(shí),讀取參數(shù)次數(shù)甚至高達(dá)數(shù)千次。目前,捷聯(lián)慣組系統(tǒng)一般采用支持I2C總線的EEPROM存儲(chǔ)芯片,該芯片讀寫(xiě)速度較慢,導(dǎo)致捷聯(lián)慣組上電初始化過(guò)程中在參數(shù)讀取階段耗費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng),這無(wú)法滿足新產(chǎn)品對(duì)捷聯(lián)慣組就緒準(zhǔn)備時(shí)間短的要求。因此,提高捷聯(lián)慣組內(nèi)部參數(shù)讀取性能十分必要。
近年來(lái),鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)得到了飛速發(fā)展,其特點(diǎn)是速度快,能夠像RAM一樣進(jìn)行操作,讀寫(xiě)功耗極低,成為EEPROM存儲(chǔ)器的理想替代芯片,本文采用了鐵電存儲(chǔ)器作為某慣組系統(tǒng)內(nèi)部參數(shù)的存儲(chǔ)器,使慣組系統(tǒng)上電初始化時(shí)間大為縮短,實(shí)現(xiàn)了慣組系統(tǒng)上電初始化的快速性要求。
捷聯(lián)慣組初始化參數(shù)主要是通過(guò)慣組內(nèi)部主控計(jì)算機(jī)板完成,而與參數(shù)讀取相關(guān)的主要芯片包括DSP芯片(TMS320C6674)、FPGA芯片(XC3S1400AN)以及FRAM芯片(FM25V20),具體連接關(guān)系,見(jiàn)圖1。
TMS320C6674是德州儀器公司推出的一款多核DSP,內(nèi)核共有4個(gè),主頻最高達(dá)1.25GHz,同時(shí)支持定點(diǎn)與浮點(diǎn)運(yùn)算,片上資源豐富,并且支持?jǐn)U展片外DDR3。
XC3S1400AN是賽靈思公司推出的一款140萬(wàn)門(mén)FPGA芯片,與TMS320C6674通過(guò)EMIF接口實(shí)現(xiàn)連接,通過(guò)SPI總線與FM25V20實(shí)現(xiàn)連接。
FM25V20芯片是賽普拉斯公司推出的一款內(nèi)含256K×8Bit、極低功耗的存儲(chǔ)芯片,可擦寫(xiě)100兆億次以上,數(shù)據(jù)保存年限為151年,雙線串行接口,支持I2C總線協(xié)議。
圖1 參數(shù)存取主要芯片連接示意圖
捷聯(lián)慣組初始化參數(shù)主要包括陀螺修正模型參數(shù)、石英加速度計(jì)修正模型參數(shù)、刻度系數(shù)參數(shù)、零位參數(shù)、溫度補(bǔ)償參數(shù)、自標(biāo)定修正參數(shù)、系統(tǒng)級(jí)標(biāo)定參數(shù)、Kalman濾波參數(shù)等。通過(guò)統(tǒng)計(jì),目前這些參數(shù)的總個(gè)數(shù)已經(jīng)達(dá)到了1210個(gè),由于參數(shù)讀取采用了三取二模式,因此初始化參數(shù)讀取次數(shù)最高達(dá)到1210×3(次),對(duì)于原有EEPROM存儲(chǔ)器,讀取一個(gè)參數(shù)一般需要延時(shí)10~15ms,捷聯(lián)慣組初始化過(guò)程讀取所有參數(shù)則需要大概50s左右。然而,F(xiàn)RAM存儲(chǔ)器操作頻率最高達(dá)40MHz,讀取或?qū)懭肟梢愿S總線速度,因此,采用FRAM存儲(chǔ)器則可以大大降低初始化參數(shù)的讀取時(shí)間。
捷聯(lián)慣組上電后,初始化過(guò)程中當(dāng)讀取FRAM參數(shù)時(shí),嚴(yán)格按照FRAM芯片的讀取流程進(jìn)行操作,操作步驟如下:判斷狀態(tài)寄存器是否就緒;賦值地址長(zhǎng)度寄存器;賦值地址寄存器;命令寄存器賦值0xda;判斷狀態(tài)計(jì)算器是否就緒;從讀數(shù)據(jù)寄存器逐字節(jié)讀取數(shù)據(jù);復(fù)位寄存器寫(xiě)入復(fù)位指令0xff。具體流程圖參見(jiàn)圖2所示。
圖2 FRAM參數(shù)讀取流程圖
捷聯(lián)慣組在工作過(guò)程中,當(dāng)需要對(duì)FRAM上的參數(shù)進(jìn)行更新時(shí),嚴(yán)格按照FRAM芯片的寫(xiě)入流程進(jìn)行操作,操作步驟如下:(1)判斷狀態(tài)寄存器是否就緒;(2)賦值地址長(zhǎng)度寄存器;(3)逐字節(jié)將待寫(xiě)數(shù)據(jù)賦值給寫(xiě)數(shù)據(jù)寄存器;(4)地址值賦值地址寄存器;(5)命令寄存器賦值0x5a;(6)判斷狀態(tài)計(jì)算器是否就緒;(7)復(fù)位寄存器寫(xiě)入復(fù)位指令0xff。具體流程圖參見(jiàn)圖3所示。
通過(guò)采用仿真器進(jìn)行斷點(diǎn)調(diào)試的方式,分別對(duì)采用FRAM和EEPROM進(jìn)行參數(shù)存儲(chǔ)的捷聯(lián)慣組系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試結(jié)果參見(jiàn)表1所示。
圖3 FRAM參數(shù)寫(xiě)入流程圖
表1 捷聯(lián)慣組初始化參數(shù)讀取
由表1可知,F(xiàn)RAM參數(shù)讀取速度極快,同時(shí)系統(tǒng)初始化完成后各數(shù)據(jù)顯示正確,設(shè)備工作正常,說(shuō)明FRAM參數(shù)讀取結(jié)果準(zhǔn)確無(wú)誤。
本文依據(jù)新產(chǎn)品對(duì)捷聯(lián)慣組系統(tǒng)初始化快速性要求,采用FRAM芯片替代了原有的EEPROM芯片。試驗(yàn)表明,捷聯(lián)慣組系統(tǒng)初始化就緒時(shí)間由原來(lái)的2min左右降至1min以內(nèi),使捷聯(lián)慣組系統(tǒng)滿足了新產(chǎn)品的要求,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的優(yōu)化設(shè)計(jì)。