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        鈣鈦礦的性質(zhì)及應(yīng)用研究

        2019-06-21 00:47:50夏思寒
        物理通報(bào) 2019年6期
        關(guān)鍵詞:吸光層數(shù)鈣鈦礦

        夏思寒

        (中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院 安徽 合肥 230022)

        1 鈣鈦礦的結(jié)構(gòu)

        鈣鈦礦是以俄羅斯礦物學(xué)家Lev Perovski的名字命名的,最初單指鈦酸鈣(CaTiO3)這種礦物,后來(lái)把結(jié)構(gòu)與之類似的晶體統(tǒng)稱為鈣鈦礦物質(zhì)(即分子通式為 ABO3).在高溫變體結(jié)構(gòu)中,鈦離子與6個(gè)氧離子形成八面體配位,配位數(shù)為6,鈣離子位于由八面體構(gòu)成的空穴內(nèi),配位數(shù)為12,如圖1所示.

        圖1(a)為鈦酸鈣(CaTiO3)晶體的原子結(jié)構(gòu),(b)為鈣鈦礦太陽(yáng)能中吸光層物質(zhì)甲氨鉛碘(CH3NH3PbI3)晶體的原子結(jié)構(gòu).

        圖1 鈣鈦礦原子結(jié)構(gòu)圖

        2 鈣鈦礦的性質(zhì)

        鈣鈦礦這種奇特的晶體結(jié)構(gòu)讓它具備了很多獨(dú)特的理化性質(zhì),鈣鈦礦具有穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)、吸光性、獨(dú)特的電磁性能以及很高的氧化還原、氫解、異構(gòu)化、電催化等活性,這些性質(zhì)使得鈣鈦礦在當(dāng)今科學(xué)研究中占據(jù)重要地位.

        2.1 吸光性

        2009年日本Miyasara等人將鈣鈦礦CH3NH3PbI3作為吸光層應(yīng)用到染料敏化太陽(yáng)能電池中,得到了3.8%的光電轉(zhuǎn)化率,之后在科學(xué)家們的不斷改進(jìn)中,2016年的光電轉(zhuǎn)化率已經(jīng)超過(guò)20%,接近占市場(chǎng)主導(dǎo)地位的晶體硅太陽(yáng)能電池的吸光率(25%).

        2.2 電磁性能

        鈣鈦礦有良好的氧化還原性能,故研究中常采用鈣鈦礦氧化物.以鈣鈦礦錳氧化物為例,它擁有豐富的電磁相,且允許同時(shí)具有極化和磁化的磁電耦合現(xiàn)象發(fā)生.

        2.3 氧化還原 氫解與異構(gòu)化

        鈣鈦礦易氧化的性質(zhì)使得它有種類豐富的鈣鈦礦氧化物,實(shí)際上,實(shí)驗(yàn)中多研究的是鈣鈦礦某氧化物的性質(zhì)及應(yīng)用;氫解反應(yīng)通常是指在還原反應(yīng)中碳-雜鍵(或碳-碳鍵)斷裂,由氫取代離去的雜原子(碳原子)或基團(tuán)而生成相應(yīng)烴的反應(yīng),這利用的正是鈣鈦礦的還原性;異構(gòu)化,是指改變化合物的結(jié)構(gòu)而分子量不變的過(guò)程,故鈣鈦礦也擁有著很多結(jié)構(gòu)不同的衍生物.

        2.4 催化

        具有鈣鈦礦結(jié)晶型的氧化物能高效應(yīng)用于催化及電催化過(guò)程中.鈣鈦礦氧化物結(jié)構(gòu)廣泛,相應(yīng)氧化物元素豐度遠(yuǎn)高于貴金屬催化劑,故其廣泛應(yīng)用于氧化有機(jī)物、汽車尾氣含氮化合物的還原以及氧的電催化過(guò)程中.

        3 鈣鈦礦的應(yīng)用

        3.1 太陽(yáng)能電池

        3.1.1 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池基本原理

        雖然現(xiàn)在每年光伏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能的90%以上都來(lái)自晶硅電池,但是由于鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的優(yōu)良特性眾多,越來(lái)越多的人對(duì)它青睞有加,源源不斷的人力、物力都投入到了相關(guān)研究當(dāng)中,鈣鈦礦太陽(yáng)能電池巨大的魅力也逐漸展現(xiàn)在人們面前.

        鈣鈦礦太陽(yáng)能電池得名于其中的吸光層(一層鈣鈦礦型物質(zhì)),常用的光吸收層物質(zhì)是甲氨鉛碘(CH3NH3PbI3),由于CH3NH3PbI3這種材料中既含有無(wú)機(jī)的成分,又含有有機(jī)分子基團(tuán),所以,人們也將這類太陽(yáng)能電池稱作雜化鈣鈦礦太陽(yáng)能電池.

        太陽(yáng)光入射到電池吸收層后隨即被吸收,光子的能量將原來(lái)束縛在原子核周圍的電子激發(fā),使其形成自由電子,電子被激發(fā)后就會(huì)同時(shí)產(chǎn)生一個(gè)空穴.激子被分離成電子與空穴后,分別流向電池的陰極和陽(yáng)極,如圖2所示.

        圖2 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的構(gòu)造與運(yùn)行機(jī)理示意圖

        有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池是一種以全固態(tài)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)作為吸光材料的太陽(yáng)能電池,其能隙約為1.5 eV,消光系數(shù)高,幾百納米厚的薄膜即可充分吸收800 nm以下的太陽(yáng)光, 在光電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池憑借良好的吸光性和電荷傳輸速率,以及巨大的開發(fā)潛力, 被譽(yù)為“光伏領(lǐng)域的新希望”.

        3.1.2 提升穩(wěn)定性

        目前,有機(jī)-無(wú)機(jī)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率提升非常顯著.但是,器件的穩(wěn)定性提高仍然是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn).目前的研究表明,晶界(GB)會(huì)促進(jìn)離子遷移引發(fā)器件損壞.北京理工大學(xué)首次使用甲巰咪唑(MMI),通過(guò)原位轉(zhuǎn)化GBs處的殘余PbI2,構(gòu)建了表面“補(bǔ)丁”,得到的MMI-PbI2復(fù)合物,可以有效抑制離子遷移和金屬電極的擴(kuò)散.文章在微觀層面上進(jìn)行了表面“補(bǔ)丁”效應(yīng)的起源及其工作機(jī)制的實(shí)驗(yàn)和理論研究,展示了一種簡(jiǎn)單而有效的方法來(lái)延長(zhǎng)GB工程中的器件穩(wěn)定性,可以廣泛地應(yīng)用于鈣鈦礦光電子器件.

        通過(guò)表面“補(bǔ)丁”來(lái)改進(jìn)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的穩(wěn)定性和效率.經(jīng)過(guò)MMI處理之后,晶界處殘余的PbI2原位轉(zhuǎn)化成了MMI-PbI2復(fù)合物.器件光電轉(zhuǎn)化效率達(dá)到了20.10%(穩(wěn)定在19.86%)而且?guī)缀鯖](méi)有遲滯.此外,器件的壽命也顯著增加了:連續(xù)光照672 h后,依然保持了80%的初始效率.晶界“補(bǔ)丁”有效地抑制了金屬電極擴(kuò)散和離子遷移.這種技術(shù)簡(jiǎn)單可行,具有普適性也能夠應(yīng)用到其他領(lǐng)域,為材料設(shè)計(jì)提供了新的策略.

        3.2 鈣鈦礦二維納米材料的合成和發(fā)光研究進(jìn)展

        鈣鈦礦納米材料的研究取得了飛速發(fā)展:一方面,合成方法不斷涌現(xiàn),已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)從零維納米晶、一維納米線到二維納米片的形貌精確控制,對(duì)其尺寸和維度依賴的光學(xué)性質(zhì)認(rèn)識(shí)也不斷深入;另一方面,鈣鈦礦納米材料的光學(xué)和光電子應(yīng)用也得到了快速發(fā)展,其中,基于鈣鈦礦量子點(diǎn)的光致發(fā)光和電致發(fā)光技術(shù)最受關(guān)注.由于鈣鈦礦的天然層狀結(jié)構(gòu),通過(guò)配體調(diào)控很容易制備出二維納米材料,其發(fā)光性能可以通過(guò)層數(shù)和組分進(jìn)行調(diào)節(jié),最高量子產(chǎn)率超過(guò)85%,且具有偏振發(fā)光特性,有望成為一類新型發(fā)光材料.

        到目前為止已有不少研究團(tuán)隊(duì)在這一領(lǐng)域取得了不錯(cuò)的成果,麻省理工學(xué)院的課題組在鈣鈦礦納米晶合成過(guò)程中,關(guān)注到了鈣鈦礦納米片的存在,他們提出了利用長(zhǎng)烷基鏈胺鹽來(lái)控制鈣鈦礦的層數(shù)獲得鈣鈦礦納米片的思路,并對(duì)其層數(shù)依賴的光學(xué)特性進(jìn)行了研究. 隨后,德國(guó)慕尼黑大學(xué)課題組也通過(guò)引入長(zhǎng)烷基鏈的策略制備出了層數(shù)可控的納米片. 與此同時(shí),加州大學(xué)伯克利分校的楊培東課題組通過(guò)一種在硅基襯底上控制晶體生長(zhǎng)的方法制備了層數(shù)可調(diào)的(C4H9N3)2PbBr4納米片.這些研究的開展,引起了人們對(duì)于鈣鈦礦二維材料的極大興趣,吸引了眾多研究者在鈣鈦礦二維納米材料領(lǐng)域展開研究.

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