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        基于虛擬儀器技術(shù)的高頻功率放大器分析儀

        2019-06-03 06:52:38葉建芳張志強(qiáng)
        實(shí)驗(yàn)室研究與探索 2019年3期
        關(guān)鍵詞:信號(hào)

        董 琳, 葉建芳, 張志強(qiáng)

        (東華大學(xué)通信工程系,上海201620)

        0 引言

        高頻功率放大器用于對(duì)信號(hào)進(jìn)行功率放大,使信號(hào)功率滿足發(fā)射所需,是各種無(wú)線發(fā)射機(jī)的主要組成部分[1-4]。其導(dǎo)通角不僅決定了功率放大器的工作狀態(tài),就丙類(lèi)功率放大器而言,導(dǎo)通角的取值對(duì)電路的輸出功率和集電極效率有著重要的影響。本文以Multisim仿真電路為依托,利用LabVIEW開(kāi)發(fā)高頻功率放大器虛擬分析儀,為定量研究影響導(dǎo)通角的電路參數(shù)以及導(dǎo)通角對(duì)電路性能的影響提供了直觀準(zhǔn)確而又高效的虛擬儀器[5-8]。

        1 高頻功率放大電路

        如圖1所示,電路由甲類(lèi)、丙類(lèi)兩級(jí)功率放大器級(jí)聯(lián)構(gòu)成。輸入信號(hào)通過(guò)甲類(lèi)進(jìn)行信號(hào)放大后進(jìn)入丙類(lèi)功率放大器[9-12]。

        圖1 高頻功率放大電路

        電路性能指標(biāo):工作中心頻率f0=3 MHz,帶寬BW≥7 kHz,PO=12 mW,ηc>60%。選取型號(hào)為2N2369的NPN型三極管作為功放晶體管,其最大集電極電流ICM=200 mA,集電極與發(fā)射極之間擊穿電壓UCEO=15 V,集電極與發(fā)射極之間的飽和電壓UCES=0.25 V,截止電壓UBZ=0.7 V,電流放大倍數(shù) 珔β 在40~120之間。集電極電源12 V,輸入信號(hào)有效值6 mV,負(fù)載電阻RL=3 kΩ。設(shè)導(dǎo)通角θ=70°。

        (1)基極偏置電路設(shè)計(jì)。圖1所示電路的丙類(lèi)功放采用自給偏置的方式獲取基極偏置電壓。當(dāng)三極管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),流向三極管基極的電流將對(duì)與基極相連的電容Cb2進(jìn)行充電;當(dāng)三極管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),電容Cb2將通過(guò)高頻扼流圈Lb對(duì)電阻R4進(jìn)行放電,由此在回路之中產(chǎn)生放電電流IBO,此時(shí)電路獲得基極電位UBB≈R4IBO。

        輸入信號(hào)經(jīng)甲類(lèi)進(jìn)行信號(hào)放大后,丙類(lèi)功放基極輸入信號(hào)幅度Ubm=2.05 V,對(duì)于導(dǎo)通角θ,

        通過(guò)在電路中調(diào)節(jié)電阻R4,使UBB=-1.1 mV即可,則R4=51 Ω。

        通過(guò)上述分析可知,導(dǎo)通角θ與基極電壓UBB大小有關(guān),在開(kāi)發(fā)中通過(guò)調(diào)節(jié)R4阻值來(lái)改變基極電壓UBB,從而改變 θ。

        (2)確定功率放大電路的工作狀態(tài)。功率放大器的集電極等效電阻:

        集電極基波電流振幅:

        集電極電流脈沖的最大振幅:

        集電極電流脈沖的直流分量:

        電源提供的直流功率:

        集電極的效率:

        以上,滿足丙類(lèi)功放設(shè)計(jì)要求。

        2 虛擬儀器架構(gòu)及功能

        本文所開(kāi)發(fā)的虛擬儀器利用Multisim與LabVIEW的I/O交互接口實(shí)現(xiàn)兩者實(shí)時(shí)聯(lián)合仿真[13-15]。由Multisim完成電路信號(hào)與數(shù)據(jù)生成,LabVIEW進(jìn)行電路參數(shù)設(shè)定與處理,從而完成對(duì)功放電路導(dǎo)通角的分析設(shè)定以及不同大小導(dǎo)通角下電路輸出參數(shù)的分析與呈現(xiàn)。系統(tǒng)框架及功能架構(gòu)如圖2所示。

        圖2 虛擬儀器系統(tǒng)框架

        該虛擬分析儀含有以下兩大功能:

        (1)數(shù)據(jù)采集與信號(hào)波形顯示。LabVIEW虛擬平臺(tái)具有對(duì)Multisim仿真數(shù)據(jù)進(jìn)行編程處理的能力。利用LabVIEW編程對(duì)仿真電路輸出波形數(shù)據(jù)進(jìn)行文件寫(xiě)入與讀取,對(duì)波形數(shù)據(jù)文件進(jìn)行幅值、直流分量等參數(shù)的分析與計(jì)算,再結(jié)合MATLAB程序語(yǔ)言獲取必要的電路參數(shù)。電路信號(hào)波形的顯示方面,使用LabVIEW中的波形圖表控件對(duì)波形進(jìn)行分組顯示與對(duì)比。

        (2)功放特性曲線擬合與參數(shù)計(jì)算。本文所開(kāi)發(fā)的分析儀具有對(duì)電路任意兩參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)擬合,近似得到兩者關(guān)系曲線的功能。利用LabVIEW控件通過(guò)I/O接口改變電路參數(shù),并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行循環(huán)讀取,獲取不同參數(shù)下的電路輸出結(jié)果。運(yùn)用參數(shù)擬合方法確定各參數(shù)之間的函數(shù)關(guān)系式,完成θ與R4、ηc、PO之間關(guān)系曲線的顯示以及各參數(shù)之間的定值推導(dǎo)計(jì)算。

        3 程序設(shè)計(jì)與功能實(shí)現(xiàn)

        通過(guò)LabVIEW編程完成開(kāi)發(fā)實(shí)現(xiàn)以下功能:①R4對(duì)θ的影響變化趨勢(shì);②θ對(duì)ηc、PO的影響;③不同θ對(duì)功率放大器發(fā)射極輸出的余弦脈沖信號(hào)的影響。其中,采用參數(shù)關(guān)系曲線與定值計(jì)算的方法研究θ與R4、ηc、PO間的相互影響;利用多點(diǎn)波形顯示與數(shù)據(jù)計(jì)算完成不同θ下的電路輸出參數(shù)對(duì)比。

        (1)參數(shù)關(guān)系曲線與定值計(jì)算。調(diào)整R4可改變功率放大器θ大小,擬合R4-θ關(guān)系曲線可以很好地展示兩者間的關(guān)系。擬合θ-ηc、θ-PO關(guān)系曲線,便于分析導(dǎo)通角對(duì)集電極效率、輸出功率的影響。同時(shí),通過(guò)擬合得到的參數(shù)關(guān)系式可以雙向地對(duì)參數(shù)進(jìn)行定值的實(shí)時(shí)計(jì)算。開(kāi)發(fā)流程如圖3所示。

        圖3 參數(shù)擬合流程圖

        開(kāi)發(fā)過(guò)程:①新建TDMS、TXT文件準(zhǔn)備Multisim數(shù)據(jù)寫(xiě)入。②在While循環(huán)中利用LabVIEW控件為Multisim電路設(shè)置不同的參數(shù),并將電路返回?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入TDMS文件中直至While循環(huán)結(jié)束。③通過(guò)LabVIEW編程讀取TDMS文件數(shù)據(jù),并利用MATLAB語(yǔ)言加以輔助,計(jì)算出θ、ηc、PO等參數(shù)結(jié)果。④將不同R4下的結(jié)果,以(R4,θ)、(θ,ηc)、(θ,PO)的形式寫(xiě)入TXT文件,并利用LabVIEW編程采用廣義多階多項(xiàng)式Bisquare擬合算法對(duì)參數(shù)進(jìn)行(X,Y)擬合,并將擬合得到的多項(xiàng)式系數(shù)通過(guò)編程以函數(shù)Y=f(X)的形式提供最終擬合結(jié)果。⑤利用擬合結(jié)果函數(shù)自動(dòng)繪制R4-θ、θ- ηc、θ-PO關(guān)系曲線,并借助 LabVIEW 編程,結(jié)合多項(xiàng)式求解函數(shù)對(duì)擬合函數(shù)Y=f(X)進(jìn)行系數(shù)處理,完成X或Y的雙向定值求解。

        開(kāi)發(fā)完成前面板用戶界面如圖4所示。

        圖4 關(guān)系曲線與定值計(jì)算界面

        (2)多點(diǎn)發(fā)射極波形顯示與數(shù)據(jù)計(jì)算。利用LabVIEW數(shù)值控件與I/O交互接口為電阻R4賦予阻值得到不同的θ,對(duì)各θ下的電路參數(shù)以及發(fā)射極輸出脈沖波形進(jìn)行對(duì)比可以獲得直觀的結(jié)果對(duì)比,流程圖如圖5所示。

        圖5 多點(diǎn)波形顯示與數(shù)據(jù)計(jì)算流程圖

        圖6所示為開(kāi)發(fā)完成前面板用戶界面。

        圖6 多點(diǎn)波形顯示與數(shù)據(jù)計(jì)算

        開(kāi)發(fā)過(guò)程:①在控制與仿真循環(huán)中,利用LabVIEW控件設(shè)置不同的R4數(shù)值,依次通過(guò)I/O交互接口傳遞至Multisim電路。②利用文件寫(xiě)入函數(shù)將電路運(yùn)行結(jié)果(電路發(fā)射極輸出信號(hào)數(shù)據(jù))寫(xiě)入指定文件,并在循環(huán)停止時(shí)完成數(shù)據(jù)寫(xiě)入進(jìn)行文件保存。③停止控制與仿真循環(huán),利用文件讀取函數(shù)對(duì)文件進(jìn)行讀取與數(shù)據(jù)處理。④通過(guò)LabVIEW編程,將讀取得到的信號(hào)進(jìn)行捆綁,同時(shí)顯示至一個(gè)波形圖表中;將不同R4下的θ、ηc、PO根據(jù)擬合函數(shù)Y=f(X)進(jìn)行計(jì)算,并通過(guò)矩陣計(jì)算與轉(zhuǎn)換組成數(shù)組矩陣,以數(shù)據(jù)表格的形式顯示最終結(jié)果。

        4 結(jié)果分析

        (1) 關(guān)系曲線R4-θ、θ-ηc、θ-PO。關(guān)系曲線擬合結(jié)果如圖7所示。由于R4阻值增大,電路基極電壓UBB增大,根據(jù)式(1)可知電路θ減小,如圖7(a)所示。對(duì)于高頻功率放大器集電極電源提供的直流輸入功率PD=UccIc0,輸出功率:

        則集電極效率:

        式中:g1(θ)=α1(θ)/α0(θ),ξ=Ucm/Ucc,想要提高 ηc可通過(guò)提高波形系數(shù)g1(θ)實(shí)現(xiàn),而g1(θ)與θ有關(guān)。已知θ越小,g1(θ)越大,ηc越高,但減小θ會(huì)使余弦脈沖分解系數(shù)α1(θ)減小,則輸出功率PO下降,與圖7(b)、(c)曲線擬合分析結(jié)果相符。因此在導(dǎo)通角的選擇上,提高效率與提高輸出功率是相互矛盾的。一般認(rèn)為,在具體設(shè)計(jì)中最佳導(dǎo)通角設(shè)置在70°[16]。根據(jù)圖4中②指標(biāo)計(jì)算區(qū)域可以雙向計(jì)算θ、ηc、PO值:當(dāng) θ=70°,ηc=71.86%,PO=12.51 mW;同時(shí)可計(jì)算,期望PO=13 mW,則 θ=71°,期望 ηc=74%,則 θ=62°。結(jié)合以上曲線與定值計(jì)算方法可以幫助使用者研究并快速地確定電路所需要的導(dǎo)通角。

        圖7 關(guān)系曲線擬合結(jié)果

        (2)不同導(dǎo)通角的輸出與數(shù)據(jù)對(duì)比。在設(shè)定偏置電阻R4分別為 50、800、3 000 Ω 時(shí),對(duì)應(yīng)的 θ、ηc、PO如圖8(a)所示,發(fā)射極輸出信號(hào)波形如圖8(b)所示。

        圖8 曲線與數(shù)據(jù)對(duì)比結(jié)果

        結(jié)合數(shù)據(jù)對(duì)比結(jié)果,對(duì)圓圈中區(qū)域進(jìn)行放大可知,導(dǎo)通角減小,發(fā)射極輸出信號(hào)幅度降低。根據(jù)圖9所示晶體管正向轉(zhuǎn)移特性曲線可知,在輸入U(xiǎn)bm不變的情況下,R4變大導(dǎo)致電路基極電壓UBB增大,輸入信號(hào)位置后移,導(dǎo)通角減小,對(duì)應(yīng)iC減小(iCmax降低),因而出現(xiàn)圖8所示結(jié)果。

        圖9 晶體管正向轉(zhuǎn)移特性曲線

        5 結(jié)語(yǔ)

        本文利用LabVIEW編程并借助其與Multisim的數(shù)據(jù)通信技術(shù),開(kāi)發(fā)了一個(gè)用于分析偏置電阻對(duì)高頻功率放大器導(dǎo)通角的影響以及導(dǎo)通角對(duì)電路輸出參數(shù)的影響的分析儀。該虛擬分析儀可以實(shí)時(shí)擬合、顯示導(dǎo)通角與電路參數(shù)之間的關(guān)系曲線,完成參數(shù)間的雙向計(jì)算,并將不同狀態(tài)下的信號(hào)進(jìn)行多點(diǎn)對(duì)比顯示,彌補(bǔ)了傳統(tǒng)物理儀器只能完成“逐點(diǎn)單值單信號(hào)”測(cè)量的缺陷,為電路重要參數(shù)的設(shè)置與分析提供了更直觀高效的方法。

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