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        LT8312在功率因數(shù)校正電路中的應用

        2019-03-23 02:28:12任學強冉云飛
        通信電源技術 2019年2期
        關鍵詞:設置

        任學強,冉云飛

        (連云港杰瑞電子有限公司,江蘇 連云港 222000)

        0 引 言

        有源功率因數(shù)校正已成為隔離式開關電源的一項要求,如果控制輸入電流與輸入電壓成比,可實現(xiàn)最高為1的功率因數(shù)[1]。LT8312是功率因數(shù)校正控制芯片?;贚T8312的設計,可采用有源方式調整輸入電流,實現(xiàn)大于0.99的功率因數(shù),從而達到減少大多數(shù)諧波電流干擾其他設備的目的。LT8312非常適合廣泛的離線應用程序,外部組件可以放大或縮小輸入范圍,輸出效率可達95%以上,功率可達250 W。

        1 LT8312的基本組成

        LT8312原理圖如圖1所示,其由以下幾部分組成。第一,電流比較器(A1)。開關電流采樣信號經(jīng)運算放器A4后,加到電流比較器的同相輸入端,乘法器輸出加到反相輸入端,輸出端接鎖存器的R端,當比較器輸出高電平時,復位鎖存器。第二,DCM比較器(A2)。采樣的主回路電流波形加到比較器的同相輸入端,反相輸入端為1.22 V基準電壓,輸出端經(jīng)單觸發(fā)電路接到鎖存器的S端,當比較器輸出高電平時,單次置位鎖存器。第三,輸入電壓采樣反向器(A3)。采樣輸入電壓波形,經(jīng)反相器反相后加到乘法器的輸入端。第四,輸出電流采樣放大器(A4)。采樣開關輸出電流值,經(jīng)放大器放大后加到電流比較器的輸入端。第五,乘法器(MULTIPLER)。乘法器的輸入端接反相器A3和A6的輸出,輸出端加到電流比較器A1的反相輸入端。第六,反相器(A6)。電壓誤差放大器輸出經(jīng)隔離反相后加到乘法器的輸入。第七,運算放大器(A7)。反相輸入端為1.22 V基準源,同相端為VIN經(jīng)R10、R11電阻的分壓值,輸出接P溝道MSOFET,構成線性穩(wěn)壓電路,為柵極驅動提供電壓。第八,電壓誤差放大器(A8)。輸出電壓經(jīng)電阻分壓后加到反相輸入端,與同相輸入端的1.22 V基準電壓比較,差值經(jīng)放大反相后加到反相器的輸入端。

        2 LT8312的引腳定義

        GND(1、2、3、7、8腳):接地端,內部所有電壓的測試基準點。

        VREF(4腳):電壓基準輸出端。典型值為2 V,可提供多達200 μA的驅動電流。

        OVP(5腳):過電壓保護端。此引腳通過分壓電阻接入到VREF端,作為電路過壓保護的參考電壓。當FB引腳電壓高于此引腳電壓時,芯片停止轉換,以保護輸出端器件。

        VC(6腳):內部誤差放大器的補償端。此引腳通過串聯(lián)RC網(wǎng)絡連接到接地端,以補償誤差放大器,并聯(lián)一個100 pF電容器以降低干擾。

        FB(9腳):電壓環(huán)反饋端。此引腳用于調節(jié)輸出電壓,通常由電阻分壓實現(xiàn)。

        DCM(10腳):不連續(xù)導通模式檢測端。通過電容器和電阻器串聯(lián)到輔助繞組。

        VIN(11腳):輸入電壓。此引腳提供內部啟動電路工作所需的電流和內部低壓差線性穩(wěn)壓電路(LDO)所需的電壓,應用時必須外接旁路電容,內部并聯(lián)了42 V穩(wěn)壓電路。

        EN/UVLO(12腳):使能/欠壓鎖定端。通過VIN電阻分壓連接到此引腳,以設定LT8312工作的最小輸入電壓。當?shù)陀?.25 V時,該部件將輸出60 μA電流,大部分內部電路失效,并輸出10 μA滯環(huán)電流;當超過1.25 V時,該部分使能并開始工作,同時關閉10 μA滯環(huán)電流的輸出。

        INTVCC(13腳):內部負載和門驅動器的線性穩(wěn)壓電路供電端。VIN提供并穩(wěn)壓到10 V(典型值),此引腳必須外接一個4.7 μF的電容器。

        GATE(14腳):N溝 道FET柵 極。 電 壓 在INTVCC和GND之間切換,在關狀態(tài)下輸出接地,在開狀態(tài)下輸出接INTVCC電壓。

        SENSE(15腳):控制回路的電流采樣端。此引腳接在N溝道FET的源極和與其連接的電流采樣電阻的正極,采樣電阻的負極應放置在芯片接地端最近的位置。

        VIN(SENSE)(16腳):輸入電壓采樣端。該引腳通過采樣交流輸入電壓,實現(xiàn)功率因數(shù)校正功能,需要串聯(lián)一個電阻器到此引腳。

        圖1 LT8312原理圖

        3 工作原理

        LT8312在電流模式控制和臨界導電模式的應用中,可以實現(xiàn)高功率因數(shù)和低諧波失真。圖1顯示了芯片的總體視圖,外圍組件選擇Boost拓撲配置,輔助繞組在穩(wěn)態(tài)運行時為芯片供電[2]。

        3.1 啟動過程

        LT8312在高隔離電壓狀態(tài)下采用滯回啟動的方式工作,連接電源電壓的電阻器用于保護芯片不受高壓影響。該電阻器連接到芯片的VIN引腳,并旁路一個電容。當VIN引腳充電到EN/UVLO設置的啟動電壓,而INTVCC引腳處電壓達到穩(wěn)壓點時,芯片正常工作。該電阻器不能為LT8312穩(wěn)態(tài)工作提供電源,而是依靠電容器啟動,輔助繞組取代電阻為VIN引腳提供電源。內部穩(wěn)壓電路連接VIN引腳,以防止電阻器電流超過此引腳的絕對最大電壓。內部穩(wěn)壓電路電壓值為40 V,室溫下可輸出8 mA(典型值)電流。

        3.2 校正過程

        在一個典型的工作周期中,柵極驅動器打開外部MOSFET,電流流過電感,此電流以與輸入電壓成正比的速率增加??刂苹芈反_定最大電流,當達到電流限值時,在電流比較器的作用下關閉驅動器。當外部MOSFET關閉時,電感電流流到輸出電容器的二極管,此電流以與輸出電壓和輸入電壓之差成正比的速率減小。當電流減小到零時,輸出二極管關閉,MOSFET漏極上的電壓在寄生電容和電感的作用下產(chǎn)生振鈴,輔助繞組與主電感相同,會產(chǎn)生電壓變化和振鈴現(xiàn)象。當發(fā)生振鈴時,連接到DCM引腳的C1電容器觸發(fā)比較器A2(為dv/dt檢測器),dv/dt檢測器等待振鈴波形達到最小值,柵極驅動器重新打開。這種開關動作類似于零電壓開關,將開關動作損失的能量減少到最小,效率提高了5%。由于其工作在連續(xù)導電模式和非連續(xù)導電模式的邊緣;因此,這種工作模式被稱為臨界導電模式(或邊界傳導模式)。在低電流限值下,臨界導電模式的頻率會升高,LT8312的最大頻率鉗為400 kHz。當自然臨界導通模式的頻率大于400 kHz時,該芯片工作在不連續(xù)導通模式。

        3.3 反饋過程

        輸出電壓通過連接FB引腳的電壓進行調節(jié),連接內部誤差放大器的反相輸入端,同相輸入端是1.22 V基準電壓。通常情況下,F(xiàn)B引腳電壓通過輸出端電阻分壓獲得,該引腳額定電壓值為1.25 V。

        4 部分參數(shù)的設置和選擇

        4.1 設置VIN開啟電壓與VIN關斷電壓

        開啟和關斷電壓差值應大一些,以保證輔助繞組有足夠的時間提供能量。EN/UVLO引腳設置兩個電壓值,當引腳電壓小于1.25 V時,可提供10 μA的灌電流;當超過1.25 V時,可提供0 μA的灌電流。VIN引腳電壓可通過電阻分壓方式獲得,如圖2所示。

        圖2 EN/UVLO

        VIN上升時的UVLO閾值為:

        VIN下降時的UVLO閾值為:

        4.2 設置輸出電壓

        輸出電容處使用電阻分壓連接到FB引腳。由圖1可知,電阻R3和R4從輸出電容中形成電阻分壓。輸出電壓公式:

        4.3 設置VIN(SENSE)電阻

        VIN(SENSE)電阻器設置內部乘法器(調節(jié)功率因數(shù)的關鍵部件)輸入電流限制值。當為最大線路電壓VMAX時,電流設置為360 μA,在此條件下,電阻值等于(VMAX/360 μA)。

        4.4 設置VC端電容

        反饋環(huán)通過傳統(tǒng)的跨導誤差放大器實現(xiàn)。設置環(huán)路交叉頻率低于母線頻率的兩倍,以保證PFC正常工作。在一個典型的應用中,VC端補償電容為1 μF。

        4.5 設置DCM端電容

        不連續(xù)模式檢測器采用交流耦合方式檢測輔助繞組的振鈴波形。大多數(shù)設計中,推薦使用等效內阻為30 kΩ阻值的22 pF電容器。

        4.6 電流檢測電阻的選擇

        RSENSE設置在外部N溝道MOSFET的源極和GND之間,選擇適當?shù)淖柚堤峁╅_關電流以驅動應用,且不超過電流限制閾值。

        4.7 MOSFET和二極管選擇

        LT8312柵極驅動電流達到1.9 A,能有效驅動大多數(shù)高壓MOSFET。建議采用低QG MOSFET,以最大限度提高效率。大多數(shù)應用中,應選擇RDS(ON)參數(shù)控制MOSFET的溫升。當MOSFET關閉、二極管導通時,MOSFET的漏極電壓應為Vout端電壓;當開關打開時,二極管電壓應為Vout端電壓,通過二極管的平均電流應為負載電流。

        5 注意事項

        (1)輸入范圍:LT8312可以在65~90 V的交流輸入電壓中工作。(2)最小電流限制:LT8312的最小電流限制約為峰值電流極限的3%,這有助于改善輸入供電變化產(chǎn)生的諧波失真。(3)控制回路的工作頻率:當VIN(SENSE)引腳用電阻連接電源電壓時,電流極限與電源電壓成比例。如果LT8312被配置為快速控制環(huán),VC引腳將根據(jù)VIN(SENSE)的變化進行調整。要想乘法器發(fā)揮作用,唯一方法是將控制回路參數(shù)設置為比VIN(SENSE)信號的基頻更慢的數(shù)量級。隔離式電源的應用中,電源電壓的基頻為100 Hz,因此控制回路的單位增益頻率需設置在10 Hz以下。

        圖3 電路圖實例

        6 實際應用電路

        根據(jù)工作原理,選擇適當參數(shù),設計一款實用產(chǎn)品,如圖3所示。

        用示波器測試實際輸出電壓波形,如圖4所示。

        圖4 輸出電壓波形

        7 結 論

        LT8312芯片具有高功率因數(shù)、低諧波失真、過壓保護、超低空載功耗和16引腳超小外形封裝等優(yōu)點。采用該芯片設計的電路僅需要少量的外圍器件即可實現(xiàn)功率因數(shù)校正功能,可應用于工業(yè)領域和航空領域。

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