西安工業(yè)大學(xué)通過近10年的技術(shù)探索和積累，已經(jīng)掌握了成熟的原料提純工藝。通過穩(wěn)定的精細(xì)提純技術(shù)，可獲得純度約5N的多晶HgI2粉體；通過在小面積(1 cm2)ITO玻璃上的沉積，生長了厚度100～1 000 μm、電阻率1 010～1 011 Ω·cm的薄膜，獲得了成熟可靠的薄膜沉積工藝。通過自行設(shè)計和精密加工的大面積沉積設(shè)備，采用優(yōu)化工藝，嚴(yán)格控制薄膜沉積溫度變化范圍(0.5 ℃～1 ℃)，成功的生長了36 cm2的大面積碘化汞多晶薄膜。在北京某公司制備的成像探測器性能測試中，采用80 keV的射線(工作電流4 mA)，曝光時間5 ms，成功的獲得了不銹鋼螺母的成像照片，達(dá)到了安檢和醫(yī)學(xué)成像的基本要求；經(jīng)過進(jìn)一步工藝優(yōu)化和調(diào)整，大面積(170 cm2)多晶薄膜的的沉積技術(shù)已經(jīng)趨于完善，樣品成功率大于97%，將應(yīng)用于醫(yī)學(xué)成像檢測。