近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開(kāi)創(chuàng)了第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù)，寫(xiě)入速度比目前U盤(pán)快1萬(wàn)倍，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間可以自行決定，到了有效期后即自動(dòng)消失。這項(xiàng)技術(shù)解決了國(guó)際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)“寫(xiě)入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。

“這項(xiàng)研究創(chuàng)新性地選擇了多重二維材料堆疊構(gòu)成了半浮柵結(jié)構(gòu)晶體管：二硫化鉬、二硒化鎢、二硫化鉿分別用于開(kāi)關(guān)電荷輸運(yùn)和儲(chǔ)存，氮化硼作為隧穿層，制成階梯能谷結(jié)構(gòu)的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)?！敝荠i介紹，這幾種二維材料將充分發(fā)揮二維材料的豐富能帶特性?！耙徊糠秩缤坏揽呻S手開(kāi)關(guān)的門(mén)，電子易進(jìn)難出;另一部分則像一面密不透風(fēng)的墻，電子難以進(jìn)出。對(duì)‘寫(xiě)入速度’與‘非易失性’的調(diào)控，就在于這兩部分的比例?！睂?xiě)入速度比目前U盤(pán)快1萬(wàn)倍，數(shù)據(jù)刷新時(shí)間是內(nèi)存技術(shù)的156倍，并且擁有卓越的調(diào)控性，可以實(shí)現(xiàn)按照數(shù)據(jù)有效時(shí)間需求設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)……經(jīng)過(guò)測(cè)試，研究人員發(fā)現(xiàn)這種基于全二維材料的新型異質(zhì)結(jié)能夠?qū)崿F(xiàn)全新的第三類(lèi)存儲(chǔ)特性。將在極低功耗高速存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)有效期自由度利用等多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。