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        共面波導表面狀態(tài)對微波性能影響分析

        2018-12-29 03:07:08賈世旺
        無線電通信技術 2018年1期

        賈世旺

        (中國電子科技集團公司第五十四研究所,河北 石家莊050081)

        10.3969/j.issn.1003-3114.2018.01.19

        賈世旺.共面波導表面狀態(tài)對微波性能影響分析[J].無線電通信技術,2018,44(1):90-94.

        [JIA Shiwang.Analysis on Influence of Coplanar Waveguide Surface State on Microwave Performance [J].Radio Communications Technology,2018,44(1):90-94.]

        共面波導表面狀態(tài)對微波性能影響分析

        賈世旺

        (中國電子科技集團公司第五十四研究所,河北 石家莊050081)

        針對共面波導表面狀態(tài)對微波性能影響進行了分析,應用保角變換法定量給出了共面波導金屬厚度與有效介電常數(shù)、特征阻抗、損耗修正表達式。測量了工程中常用的不同工藝制作的共面波導傳輸線導體厚度、表面粗糙度等參數(shù)。采用仿真軟件模擬不同導體厚度、不同導體表面粗糙度對微波傳輸性能的影響。在追求低傳輸損耗的工程應用中,要考慮共面波導導體厚度、表面粗糙度等表面狀態(tài)的影響,選擇合適的工藝手段和合理的工藝精度來保證傳輸線的微波性能。

        接地共面波導;有效介電常數(shù);表面粗糙度;損耗

        TN811

        A

        1003-3114(2018)01-90-5

        2017-11-08

        國家部委基金資助項目

        AnalysisonInfluenceofCoplanarWaveguideSurfaceStateonMicrowavePerformance

        JIA Shiwang

        (The 54th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050081,China)

        In this paper,the influence of coplanar waveguide (CPW) surface state on microwave performance is analyzed,and the conformal mapping method is utilized to present the expression of CPW metal thickness,dielectric constant,characteristic impedance and insertion loss.The conductor thickness and surface roughness of the CPW transmission line are investigated under various fabrication procedures.The EM simulation software is used to study the influence of conductor thickness and surface roughness on microwave performances.In pursuit of lower transmission loss and improving microwave performance,the metal thickness and surface roughness of CPW should be considered,and the microwave performance of transmission line should be ensured by choosing appropriate fabrication techniques.

        CBCPW;effective permittivity;surface roughness;loss

        0 引言

        微波電路中傳輸線的主要作用是把信息或能量傳輸至指定位置,同時傳輸線也是濾波器、阻抗變換器、耦合器及延遲線等無源元件的重要組成部分。通常傳輸線的定義是指能夠支持TEM或非TEM傳播模式的各種多導體結構,在微波工程應用中,常用的傳輸線包括微帶線、帶狀線、共面波導及波導等[1]。

        傳輸線理論有效地指導了各種微波有源、無源電路設計,但工程應用中經(jīng)常為了減少分析、計算的工作量,將實際電路進行近似等效,簡化計算模型,例如在計算各種傳輸線時常常將導帶厚度等效為零厚度的理想導體,將金屬層設為理想導體等。忽略帶線的導體厚度、導體粗糙度等表面狀態(tài)信息,帶來的影響是傳輸線實測插入損耗要大于理論分析值或者濾波器、諧振器等選頻元件出現(xiàn)頻帶偏移等問題。在某些敏感應用中,需要考慮傳輸線表面狀態(tài)的影響,保證良好的微波性能。

        本文選取微波工程中常用的傳輸線結構,通過設置不同的表面狀態(tài)參數(shù),對傳輸線進行理論計算和仿真,歸納總結傳輸線表面狀態(tài)對電路微波性能的影響。

        1 傳輸線表面狀態(tài)

        工程中理想傳輸線對表面狀態(tài)的要求是金屬層厚度恒定,表面光滑無缺陷[2]。但制作過程中由于基板材料表面不平整、金屬膜層生長制造工藝等原因,傳輸線導體層往往厚度不均勻,金屬表面也非理想表面[3]。在微波頻率低端,這些影響往往可忽略,但頻率較高這些缺陷會對微波性能產(chǎn)生一定影響,特別是在毫米波以上頻段[4-6]。

        圖1是使用美國Bruker臺階儀測試設備實測了3種制造工藝加工的共面波導傳輸線表面狀態(tài),圖1(a)為某低溫共燒陶瓷(LTCC)產(chǎn)品表面金屬線條截面積的形貌特征,圖1(b)為某薄膜產(chǎn)品表面金屬線條截面積的形貌特征,圖1(c)為某LTCC產(chǎn)品表面薄膜化后表面金屬線條截面積的形貌特征。

        圖1不同制造工藝制造的帶線表面形態(tài)

        圖1中橫軸為帶線橫截面橫向尺寸變化,縱軸為縱向尺寸變化??梢钥闯霾煌に嚪绞街谱鞒龅膸Ь€表面狀態(tài)相差較大。圖1(b)薄膜工藝由于采用磁控濺射、光刻、電鍍等工藝使得帶線精度、表面粗糙度等都優(yōu)于圖1(a)采用印刷工藝實現(xiàn)的LTCC帶線。圖1(c)在LTCC基板表面進行薄膜工藝處理,與原LTCC印刷工藝相比,不但提高了線條的精度,且對粗糙度的改善也十分明顯。

        表1總結了不同工藝加工的傳輸線實測表面形態(tài)。

        表1 不同的工藝加工的傳輸線表面形態(tài)(單位:μm)

        工藝類型導體厚度(要求)導體厚度(實測)粗糙度(測量RMS)LTCC10.08.3~13.31.01薄膜(氧化鋁)4.03.2~4.70.05薄膜(硅)4.03.6~4.40.002LTCC+薄膜5.03.62~6.460.22

        傳輸線金屬的表面粗糙度及金屬層的厚度是通過改變傳輸線電場、電流來影響導體損耗和傳播常數(shù)的,可等效為有效介電常數(shù)發(fā)生了變化。

        2 共面波導

        共面波導(Coplanar Waveguide)是一種低色散、低損耗傳輸線,便于與有源器件集成,非常適合于毫米波以上頻段,甚至太赫茲頻段應用的平面?zhèn)鬏斁€。同時共面波導傳輸線也是RF MEMS開關、移相器等器件常采用的傳輸結構形式[7-8]。

        圖2 接地共面波導典型結構

        常見共面波導結構有標準共面波導、慢波共面波導和接地共面波導。最常用的是接地共面波導(Conductor-Backed CPW),它通過在標準共面波導的底面增加接地金屬層,不但容易與基板實現(xiàn)共晶封裝,增強了散熱能力,且相同阻抗接地共面波導帶線面積要小于標準共面波導面積。在毫米波頻段由于接地共面波導良好的接地結構,與微帶線、帶狀線等傳輸線相比較其傳輸損耗更低[9]。

        接地共面波導是一種準TEM波的平面?zhèn)鬏斀Y構,加工容易,而且易與其他無源和有源微波元器件集成,其典型結構如圖2所示。由介質基片上寬為s的信號線和兩邊接地金屬面構成,接地金屬面寬度為g,信號線與兩側接地面縫隙寬度為w,導體印制在厚度為h、相對介電常數(shù)為εr的接地電介質基片上,導體的厚度為t。

        帶線電場分布于介質和空氣中,不同的介質對其相速都有影響,其影響相對大小,由電場在這兩部分占據(jù)范圍的相對大小,以及介質和導體邊界的形狀與尺寸決定。

        2.1 傳輸線微波性能參數(shù)

        在工程設計中,最為關心的是傳輸線的有效介電常數(shù)εe、特征阻抗ZO及傳輸損耗等。可以利用傳輸線理論,應用準靜態(tài)分析法-保角變換法對傳輸線的傳輸特性進行分析。

        相比于微帶線,共面波導的有效介電常數(shù)更易受加工工藝影響而改變。所謂有效介電常數(shù)是指電磁場沿著介質基板材料與空氣組成的混合空間傳播時的介電常數(shù)。采用有效介電常數(shù)εe這一參數(shù)將非均勻媒介簡化為均勻媒介來表示。

        接地共面波導損耗主要由三部分組成:介質損耗αd、導體損耗αc和輻射損耗。介質損耗是電場通過基板介質時由于介質分子交替極化和晶格碰撞產(chǎn)生的熱損耗;導體損耗是由于導體的有限電導率在電流經(jīng)過時的熱損耗,這是傳輸線損耗的主要部分;輻射損耗是由于帶線場結構為半開放所引起的。

        文獻[10-11]中利用保角變換法對有限金屬厚度接地共面波導進行了準靜態(tài)分析,給出了有效介電常數(shù)、特征阻抗、介質損耗和導體損耗求解的詳細推導,計算公式如式(1)~式(4)所示。

        (1)

        (2)

        (3)

        (4)

        其中,

        式中,Z0φ為真空時特征阻抗,εr為介質的介電常數(shù),tanδ為介質損耗角正切,s為帶線信號線的寬度,w為帶線接地線與信號線之間間距,h為介質厚度,K(k)為第一類完全橢圓積分函數(shù)。

        需要注意的是毫米波頻段導體趨膚效應影響,導體損耗與導體表面狀態(tài)非常相關[12]。

        (5)

        式中,σ為金屬電導率,對金來說σ為4.098×107s/m,f(頻率)單位為GHz,μ0為真空磁導率4π×10-7H/m。

        由式(5)趨膚深度公式可知,在30 GHz時趨膚深度約為0.46 μm,50 GHz時趨膚深度約為0.35 μm。趨膚深度的數(shù)值已經(jīng)與部分工藝實現(xiàn)線條表面粗糙度相近。

        2.2 表層導體厚度對性能的影響

        傳輸線表面導體厚度差異可以導致帶線的有效介電常數(shù)、特征阻抗減小和金屬損耗增加,傳輸波長增加。特別是對于接地共面波導傳輸線來說,由于接地共面波導具有耦合特性,導體厚度差異也會導致耦合能量產(chǎn)生較大差異[13]。

        表2是導體金屬為金時,接地共面波導傳輸線不同導體厚度、不同信號線和間隔尺寸與特征阻抗之間的關系。

        表2 接地共面波導尺寸與特征阻抗

        S/μmW/μmZ/Ω(t=0)Z/Ω(t=4.0μm)Z/Ω(測量)15092.55048.848.010052.55045.146.25025.25042.144.1

        從表中可以得出以下結論:

        ① 共面波導金屬層厚度較薄的接地和信號導體之間的電場能量較低。相反,共面波導厚的接地和信號導體之間的電場強度較大。原因是厚導體層電路耦合側壁高度比薄導體層電路更大,導致特征阻抗實測時要小一些;

        ② 接地和信號導體的間隔w也影響電場的耦合,間隔w越小,耦合區(qū)域的電場強度將越大。鄰近導體的間隔大,耦合區(qū)域的能量將更低。間隔越小,導致特征阻抗越小。

        圖3為厚度為0.254 mm、導體金屬為金、長度10 mm的50 Ω Al2O3傳輸線,在不同導體厚度、不同信號線與兩側接地面縫隙寬度時,傳輸損耗的仿真結果。

        1#0.1 μm、1#0.5 μm、1#1.0 μm、1#4.0 μm、1#10.0 μm曲線接地共面波導的信號導體寬度s為150 μm,信號與接地間隔w為92.5 μm,導體厚度分別為0.1 μm、0.5 μm、1.0 μm、4.0 μm、10.0 μm。

        2#4.0 μm曲線接地共面波導的信號導體寬度s為100 μm,信號與接地間隔w為52.5 μm,導體厚度4.0 μm。

        圖3 不同導體尺寸的傳輸損耗

        從圖中可以得出以下規(guī)律:

        ① 導體厚度0.1 μm時損耗最大,主要是因為導體厚度小于趨膚深度;

        ② 導體厚度在0.1 ~4.0 μm之間變化時,損耗快速降低。主要是厚度逐漸大于趨膚深度,使得帶線導體損耗迅速減?。?/p>

        ③ 導體厚度在4.0 ~10.0 μm間變化時,損耗減緩降低。損耗減小原因是在厚導體的電場中可以利用更多的空氣介質作為傳輸路徑傳輸電磁能量,降低了損耗;

        ④ 2#4.0 μm與 1#4.0 μm結構上都是50 Ω的接地共面波導傳輸線,2#4.0 μm更適合在毫米波頻段傳輸,主要是由于信號導體與接地面間隔更小,不同頻率在傳輸中的耦合程度不同造成的。

        ⑤ 1#4.0 μm與1#10.0 μm損耗基本一致,從制造成本考慮,導體厚度在滿足傳輸性能的情況下,也不宜過厚。

        2.3 表層導體粗糙度對性能的影響

        同樣導體表面的粗糙度也會也會影響傳輸損耗,金屬表面越光滑,所產(chǎn)生的導體損耗就越低,接地共面波導的插損也越低[14]。

        圖4為利用軟件對導體粗糙度與傳輸損耗之間的關系的仿真結果(0.254 mm厚的Al2O3,介電常數(shù)9.8,長度10 mm的50 Ω接地共面波導,信號導體寬度s為150 μm,信號與接地間隔w為92.5 μm,導體金層厚度4.0 μm)。

        從圖中可以看出,導體的粗糙度對傳輸線的影響是不可忽視的。當粗糙度達到1.0 μm(RMS)時,已經(jīng)遠大于30 GHz時導體趨膚深度,導致等效傳輸路徑增長,損耗增加。結合表1不同的工藝加工的傳輸線表面形態(tài)中數(shù)據(jù)可知,薄膜工藝制作出的傳輸線(粗糙度0.1 μm)損耗約為0.05 dB/mm@30 GHz,LTCC工藝制作出的傳輸線(粗糙度為1.0 μm)損耗約為0.07 dB/mm@30 GHz。在50 GHz時,傳輸線粗糙度為0 μm(理想狀態(tài))與粗糙度為2.2 μm相比較,傳輸損耗已相差一倍。

        可理解為同種介質基板的有效介電常數(shù)會隨著金屬層表面粗糙度的增大而發(fā)生變化。

        圖4 不同粗糙度的導體傳輸損耗

        3 接地共面波導與微帶線比較

        利用以上共面波導傳輸線分析結論,對接地共面波導與微帶線進行傳輸損耗分析。采用0.127 mm Al2O3陶瓷基板、介電常數(shù)9.8、長度10 mm的50 Ω傳輸線,導體金層厚度4.0 μm,表面粗糙度均方根值為 0.05 μm。微帶線帶寬為134 μm,接地共面波導s為102 μm,w為90 μm。

        在10~110 GHz頻率范圍內,對微帶線、共面波導分別進行仿真分析。結果表明:在41 GHz處,微帶線與接地共面波導損耗相當,達到了0.07 dB/mm;在低于41 GHz頻率時,微帶線損耗要小于接地共面波導;在高于41 GHz頻率時,微帶線損耗逐漸大于接地共面波導,在100 GHz時微帶傳輸損耗為0.17 dB/mm,共面波導傳輸損耗為0.12 dB/mm。微帶線電路在毫米波波段產(chǎn)生的輻射更多,而設計良好的接地共面波導電路輻射損耗要小一些[15-16]。

        4 結束語

        對不同工藝制作的接地共面波導傳輸線厚度、表面粗糙度進行了測量,依據(jù)測量結果結合傳輸線的有效介電常數(shù)、特征阻抗及傳輸損耗等參數(shù),進行理論分析和計算,得出了導體厚度在一定范圍內能夠影響傳輸線的損耗,導體表面粗糙度對傳輸損耗也有一定的貢獻。

        在追求低傳輸損耗的應用中,一定要選擇合適的工藝手段和合理的工藝精度來保證傳輸線的微波性能。例如, LTCC毫米波相控陣T/R組件對射頻前端損耗十分敏感,因此在表面狀態(tài)不佳的基板上進行關鍵部分薄膜化處理是提高系統(tǒng)性能的有效方法。

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        賈世旺(1977—),男,高級工程師,主要研究方向:微波射頻微系統(tǒng)。

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