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        微生物作用下碳鋼陰極保護(hù)氫滲透研究方法

        2018-10-27 03:05:20劉相局黃彥良
        裝備環(huán)境工程 2018年10期
        關(guān)鍵詞:陰極保護(hù)

        劉相局,黃彥良

        (1.中國(guó)科學(xué)院海洋研究所 海洋環(huán)境腐蝕與生物污損重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山東 青島 266071;2.中國(guó)科學(xué)院大學(xué),北京 100049;3.中國(guó)科學(xué)院海洋大科學(xué)研究中心,山東 青島 266071;4.青島海洋科學(xué)與技術(shù)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室,海洋腐蝕與防護(hù)開(kāi)放工作室,山東 青島 266237)

        氫鼓泡、氫致裂紋、氫致塑性損失(氫脆)、高 溫氫腐蝕、氫化物相的產(chǎn)生或氫致馬氏體相變等是碳鋼在制造和服役過(guò)程中最為常見(jiàn)的氫損傷形式[1]。目前,常用氫脆泛指以上氫損傷形式。陰極保護(hù)作為碳鋼在服役過(guò)程中最為常見(jiàn)的腐蝕防護(hù)方法之一,在其抑制碳鋼陽(yáng)極溶解的同時(shí),會(huì)促進(jìn)析氫反應(yīng)的發(fā)生,使碳鋼表面產(chǎn)生更多的氫原子,進(jìn)而增加了碳鋼發(fā)生氫脆的可能性。研究表明,即使施加的陰極保護(hù)電位未達(dá)到析氫電位,材料表面沒(méi)有明顯的析氫現(xiàn)象,仍有氫進(jìn)入金屬材料內(nèi)部,使材料發(fā)生氫脆[2-3]。

        微生物腐蝕是指附著在材料表面的生物膜中的微生物自身生命活動(dòng)及其代謝產(chǎn)物直接或間接地加速材料腐蝕過(guò)程的現(xiàn)象。參與材料腐蝕的微生物多是環(huán)境中鐵硫循環(huán)的參與者。腐蝕微生物種類繁多,根據(jù)細(xì)菌種類及作用的不同,可以分為硫酸鹽還原菌SRB、硫氧化菌SOB、產(chǎn)酸菌APB、鐵氧化細(xì)菌IOB、鐵還原細(xì)菌IRB、硝酸鹽還原菌NRB以及產(chǎn)粘液細(xì)菌SFB等[4]。研究發(fā)現(xiàn),對(duì)金屬材料施加陰極保護(hù),會(huì)抑制其表面生物膜的附著和生長(zhǎng),進(jìn)而抑制微生物腐蝕[5]。目前,對(duì)陰極保護(hù)抑制金屬腐蝕的研究主要集中在靜電作用力[6-8]、陰極氧還原反應(yīng)[9-10]對(duì)生物膜的形成,以及陰極保護(hù)對(duì)已附著生物膜的影響[11]等方面。然而在研究陰極保護(hù)對(duì)微生物腐蝕抑制的過(guò)程中,往往會(huì)忽略陰極極化對(duì)材料氫脆的影響。Vigdorovich和Zavershinskii[12]研究了St3鋼在含有SRB和H2S的培養(yǎng)基中的氫滲透電流,發(fā)現(xiàn)氫滲透電流在有菌的培養(yǎng)基中比在無(wú)菌培養(yǎng)基中高2倍以上。Romero等[13]在研究利用氫滲透測(cè)試技術(shù)來(lái)表征金屬/生物膜界面上 SRB的生物活性時(shí)發(fā)現(xiàn),該菌的存在明顯增加了金屬的氫滲透電流。Javaherdashti等[14]研究發(fā)現(xiàn),SRB對(duì)3.5%NaCl溶液中碳鋼的氫致開(kāi)裂有明顯的促進(jìn)作用。因此,在對(duì)碳鋼施加陰極保護(hù)時(shí),不僅要考慮氫脆等問(wèn)題,還需要考慮到其所處服役環(huán)境中微生物對(duì)氫脆是否有協(xié)同作用。

        1 微生物生長(zhǎng)代謝的測(cè)定

        微生物的生長(zhǎng)和代謝是影響金屬腐蝕的重要因素之一。因此,在研究微生物對(duì)陰極保護(hù)作用下碳鋼氫滲透的影響前,首先要測(cè)定微生物的生長(zhǎng)和代謝基本參數(shù),如微生物生長(zhǎng)曲線、代謝產(chǎn)物和對(duì)環(huán)境 pH的影響等。

        1.1 微生物生長(zhǎng)曲線的測(cè)定

        1)分光光度法,也稱濁度法。該方法方便、快捷,可連續(xù)測(cè)定,是目前最為常用的測(cè)試方法。測(cè)試細(xì)菌濁度最常用的波長(zhǎng)有480nm(藍(lán)光)、540nm(綠光)、600nm(橙光)和 660nm(紅光)[15]。濁度測(cè)試時(shí),在較短的波長(zhǎng)下靈敏度最好。對(duì)于細(xì)胞密集的懸液,在較長(zhǎng)波長(zhǎng)下準(zhǔn)確度更高。濁度的單位為某波長(zhǎng)下的光密度(Optical density,OD)。濁度測(cè)量的缺點(diǎn)是不能區(qū)分活菌和死菌,因此對(duì)于微生物衰亡期的測(cè)定不明顯。

        2)活菌計(jì)數(shù)法,又稱平板菌落計(jì)數(shù)法,包括平板涂布法和傾倒平板法。其優(yōu)點(diǎn)是可直接反映樣品中活菌數(shù)量,缺點(diǎn)是操作繁瑣。對(duì)于厭氧菌,可在厭氧手套箱內(nèi)進(jìn)行操作,或利用Hungate滾管技術(shù),對(duì)細(xì)菌進(jìn)行計(jì)數(shù)。

        3)顯微計(jì)數(shù)法,即利用計(jì)數(shù)室(板)對(duì)微生物進(jìn)行直接計(jì)數(shù)。其優(yōu)點(diǎn)是操作簡(jiǎn)單、迅速、成本低,且能直接觀察微生物細(xì)胞的大小以及形態(tài)特征。缺點(diǎn)是不能區(qū)分測(cè)定死活微生物的數(shù)目。

        1.2 菌量測(cè)定

        1)濁度與菌體數(shù)量之間的關(guān)系。對(duì)于單細(xì)胞生物,濁度在一定程度上和細(xì)胞數(shù)量成比例??赏ㄟ^(guò)建立標(biāo)準(zhǔn)曲線,將細(xì)胞數(shù)量(活菌或顯微計(jì)數(shù))、干重或蛋白質(zhì)含量與濁度聯(lián)系起來(lái)。當(dāng)細(xì)胞濃度過(guò)高時(shí),測(cè)試濁度會(huì)低于理論值,此時(shí)可對(duì)菌懸液稀釋后再做測(cè)量。為保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性,所測(cè)樣品的濁度應(yīng)盡量保持在0.1~0.65之間。

        2)三磷酸腺苷(ATP)法。該方法是Littman等[16]提出的,用于測(cè)定油田注水中 SRB的相對(duì)含量。其主要檢測(cè)步驟包括:取樣、樣品 ATP提取、添加熒光素-熒光素酶、測(cè)定生物發(fā)光值、計(jì)算ATP的濃度和活菌數(shù)量。其優(yōu)點(diǎn)是靈敏、快速、簡(jiǎn)便、穩(wěn)定。缺點(diǎn)是熒光強(qiáng)度(RLU)和菌落形成單位(CFU)之間沒(méi)有直接關(guān)系[17]。

        3)最大可能菌數(shù)法(The Most Probable Number,簡(jiǎn)稱MPN法)。根據(jù)API RP-38,該方法采用以乳酸鈉為碳源的液體培養(yǎng)基,用以測(cè)定SRB的細(xì)菌數(shù)量。培養(yǎng)基具體成分見(jiàn)表1。

        表1 MPN法培養(yǎng)基組成

        4)其他方法。菌量的測(cè)定方法還有很多,如上所述的活菌計(jì)數(shù)法和顯微計(jì)數(shù)法不僅可以用于測(cè)定微生物的生長(zhǎng)曲線,同樣可用于菌量的測(cè)定。其他方法還有電子計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)法、測(cè)定細(xì)胞質(zhì)量法、測(cè)定細(xì)胞總氮量或總碳量法等。

        微生物生長(zhǎng)曲線及菌量測(cè)試方法各有優(yōu)缺點(diǎn),實(shí)驗(yàn)人員應(yīng)根據(jù)不同的測(cè)試精度要求、儀器設(shè)備、測(cè)試時(shí)間等因素,綜合考慮,選擇最適宜的測(cè)試方法。

        1.3 其他參數(shù)的測(cè)定

        1)pH值的測(cè)定。pH值是影響微生物腐蝕的重要因素之一,同樣也是影響陰極保護(hù)過(guò)程中碳鋼氫滲透的重要因素。特別是當(dāng)周?chē)h(huán)境處于酸性狀態(tài)時(shí),陰極保護(hù)會(huì)促進(jìn)碳鋼表面氫的形成,加速氫脆的發(fā)生。

        2)代謝產(chǎn)物的測(cè)定。微生物代謝產(chǎn)物具有多樣性,對(duì)氫滲透的影響也各不相同。SRB的代謝產(chǎn)物 H2S微溶于水后會(huì)產(chǎn)生 H2,造成氫脆[18-19]。F.Huang等[20]研究發(fā)現(xiàn),H2S對(duì) X65鋼的腐蝕產(chǎn)物FeS在基體表面附著,可阻礙其氫滲透。產(chǎn)酸菌如硝酸鹽及亞硝酸鹽氧化菌、硫桿菌屬、醋酸桿菌等能夠代謝產(chǎn)生乙酸、甲酸、H2NO3和 H2SO4等[4]。這些酸的存在會(huì)顯著降低周?chē)h(huán)境的pH值,使金屬發(fā)生腐蝕以及促進(jìn)陰極保護(hù)過(guò)程中氫的產(chǎn)生,導(dǎo)致氫脆。

        常用的微生物代謝產(chǎn)物檢測(cè)手段有氣相色譜法和高效液相色譜法等。若對(duì)精度要求較高,可將色譜和質(zhì)譜聯(lián)用,使兩者優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。例如氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)(GC-MS)和高效液相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)(HPLC-MS)。核磁共振技術(shù)(NMR)同樣也可用于高精度代謝產(chǎn)物分析。

        2 氫滲透測(cè)量系統(tǒng)

        2.1 試樣的選擇及測(cè)試前處理

        氫滲透試樣可以是片狀或者管狀的。其尺寸應(yīng)能用于分析基于一維擴(kuò)散的瞬態(tài)滲透電流。根據(jù)ASTM G148—97[21],片狀試樣暴露于電解質(zhì)溶液的半徑與厚度比應(yīng)大于10∶1,管狀試樣需根據(jù)平面擴(kuò)散方程分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果,其外徑與內(nèi)徑比值應(yīng)小于 1∶1??紤]到原子氫從充氫面擴(kuò)散至另一面所需的響應(yīng)時(shí)間、氫滲透電流密度達(dá)到穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散電流密度所需的時(shí)間以及長(zhǎng)時(shí)間實(shí)驗(yàn)導(dǎo)致試片被腐蝕等問(wèn)題,還需要選擇具有合適厚度的試樣。

        試樣在陽(yáng)極池的一面常采用金屬鎳[22-23]或金屬鈀[24-25]作鍍層,以提供試樣表面原子氫被氧化的催化活性,并阻止金屬試樣表面發(fā)生腐蝕反應(yīng),增加測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性[26]。幾種鍍層工藝條件見(jiàn)表2。

        表2 常見(jiàn)鍍鎳/鍍鈀配方及工藝條件

        2.2 Devanathan-Stachurski雙電解池及測(cè)試系統(tǒng)

        氫滲透測(cè)試目前多采用Devanathan-Stachurski雙電解池技術(shù)[30]。以片狀試樣所適用裝置為例。如圖1所示,裝置由金屬試樣分成互不相通的左右兩室,分別為陰極池和陽(yáng)極池。右側(cè)陽(yáng)極池一般充入優(yōu)級(jí)純的氫氧化鈉溶液,并對(duì)試樣 A面施加恒定的陽(yáng)極極化電位。若陽(yáng)極池填充0.1mol/L NaOH溶液,通過(guò)測(cè)定鍍鎳層在其中的鈍化區(qū)間(約為 0~+300 mV (vs.Hg/HgO))[31],可確定對(duì)陽(yáng)極池施加的陽(yáng)極極化電位,例如+300 mV (vs.Hg/HgO)的極化電位。當(dāng)測(cè)得電流密度小于0.1 μA/cm2后,即可滿足背景電流要求[21],可進(jìn)行下一步氫滲透測(cè)試。將待測(cè)電解質(zhì)溶液(例如含待測(cè)菌體的培養(yǎng)基、無(wú)菌培養(yǎng)基或其他溶液等)充入陰極池,對(duì)試樣C面施加陰極電位或電流,發(fā)生反應(yīng)H++e→H0,產(chǎn)生的原子氫H0一部分復(fù)合成分子氫放出,另一部分通過(guò)表面吸附和擴(kuò)散作用進(jìn)入試樣內(nèi)部。氫原子擴(kuò)散至A面后,將在A面被氧化(H0→H++e)而產(chǎn)生陽(yáng)極電流,利用恒電位儀將該電流記錄下來(lái),減去背景電流后即為即時(shí)的氫滲透電流。

        若待測(cè)電解質(zhì)溶液為無(wú)菌/有菌培養(yǎng)基,則測(cè)試前須將裝置放入滅菌鍋內(nèi)121℃滅菌20~25min,不能滅菌的裝置用75%酒精擦拭,并用紫外線滅菌燈照射滅菌30min。管狀試樣用Devanathan-Stachurski雙電解池模型如圖2所示。

        3 結(jié)語(yǔ)

        微生物在環(huán)境中無(wú)處不在,且具有生物多樣性和代謝產(chǎn)物多樣性。關(guān)于微生物的研究目前主要集中在其對(duì)金屬材料的腐蝕情況,而對(duì)于微生物、氫滲透和陰極保護(hù)三者之間關(guān)系的研究報(bào)道很少。在已有報(bào)道中可以看出,微生物的存在促進(jìn)了陰極保護(hù)下金屬的氫滲透[19,23,29],起抑制作用的微生物鮮有報(bào)道。因此,研究微生物作用下碳鋼陰極保護(hù)對(duì)氫滲透的影響對(duì)實(shí)際工程應(yīng)用中陰極保護(hù)電位的選取具有重要的意義。

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