費(fèi)雯 蔣磊 劉勤 田靜 李玲玉 任彥夫

摘 要：隨著市場(chǎng)對(duì)高端NB&TPC產(chǎn)品要求越來越高，大尺寸產(chǎn)品分辨率越來越高，越來越輕薄，帶來的技術(shù)上難點(diǎn)，導(dǎo)致產(chǎn)品出現(xiàn)PS設(shè)計(jì)，生產(chǎn)工藝波動(dòng)以及人員作業(yè)手法導(dǎo)致發(fā)生PS Mura的問題，不僅造成較大的良率Loss，還給產(chǎn)品的品質(zhì)帶來極大風(fēng)險(xiǎn)。

關(guān)鍵詞：設(shè)計(jì)；工藝波動(dòng)；MS段差；LC量

中圖分類號(hào)：TN873.93 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1004-7344（2018）30-0323-01

本文通過理論分析&實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)合的方法排查PS Mura發(fā)生的影響因子，以及對(duì)比分析各產(chǎn)品影響因子的設(shè)計(jì)值，包括有機(jī)膜設(shè)計(jì)、PS-BM距離、PS設(shè)計(jì)，并通過實(shí)驗(yàn)測(cè)試，確定影響因子與PS Mura的定性和定量關(guān)系。另一方面，將設(shè)計(jì)基準(zhǔn)與工藝基準(zhǔn)進(jìn)行對(duì)比，對(duì)不能滿足要求的薄弱環(huán)節(jié)進(jìn)行分析，確定設(shè)計(jì)改善及工藝提升方向和措施。針對(duì)這些薄弱環(huán)節(jié)，檢討PS Mura測(cè)試方法和流程形成更加完善的PS Mura測(cè)試和評(píng)價(jià)準(zhǔn)則和量產(chǎn)監(jiān)控方案。

1 設(shè)計(jì)、工藝基準(zhǔn)優(yōu)化和標(biāo)準(zhǔn)化

PS Mura發(fā)生影響因子分析：

根據(jù)機(jī)理分析，造成PS Mura發(fā)生的直接原因是PS站位發(fā)生位移并劃傷PI膜，使相應(yīng)位置發(fā)生像素漏光，出現(xiàn)PS Mura不良。而造成PS發(fā)生位移的原因是Array & CF Glass發(fā)生相對(duì)位移，如果PS Top離BM的距離小于PS實(shí)際位移，就可能導(dǎo)致PI膜被劃傷。綜上，造成PS Mura發(fā)生的影響因子可能與設(shè)計(jì)、工藝以及作業(yè)手法相關(guān)。

（1）設(shè)計(jì)方面

選取幾款產(chǎn)品分別從PS材料，PS段差，PS-BM距離及Panel厚度等設(shè)計(jì)方面進(jìn)行比較。綜合對(duì)比分析得知：影響PS Mura不良發(fā)生的主要設(shè)計(jì)因素是Main PS Top到BM邊緣的距離、Panel厚度和panel尺寸；其中PS到BM邊緣的距離對(duì)PS Mura發(fā)生影響最大，即該距離越小，PS Mura越可能發(fā)生。

（2）工藝波動(dòng)

原理上分析，PS發(fā)生滑動(dòng)劃傷PI膜導(dǎo)致不良發(fā)生。而在實(shí)際生產(chǎn)過程中M-S段差在設(shè)計(jì)Margin范圍內(nèi)會(huì)發(fā)生波動(dòng)，如果朝上限方向波動(dòng)，即段差偏大，Panel發(fā)生形變時(shí)，Sub PS不能及時(shí)有效支撐，Main PS就容易發(fā)生滑動(dòng)；反之，如果M-S段差較小，Sub PS可以有效支撐Panel形變，Main PS就不易發(fā)生滑動(dòng)，從而避免PS Mura發(fā)生；其次，LC量對(duì)PS Mura的發(fā)生也有一定影響：LC偏下限，盒厚相應(yīng)減小，PS站位更牢固；反之，LC量偏上限，Cell Gap越高，PS更容易發(fā)生滑動(dòng)，PS Mura也就更易發(fā)生。以某產(chǎn)品進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，初步結(jié)果如下：

MS段差對(duì)比（相同LC量下）：

（1）段差：影響較明顯規(guī)律：段差0.45最好，0.65較0.55好的原因暫不明確；

LC量對(duì)比（相同MS段差）。

（2）LC量：影響較明顯規(guī)律：LC量約小越好，且隨段差的增大，LC量的影響越明顯。

綜上分析，工藝波動(dòng)對(duì)PS Mura的發(fā)生有較大影響，其中TP精度、M-S段差以及LC量與之強(qiáng)相關(guān)。這就體現(xiàn)出對(duì)合精度，M-S段差管控以及LC量選取等對(duì)PS Mura不良的預(yù)防至關(guān)重要。

（3）制程相關(guān)（作業(yè)手法）

隨著目前大尺寸產(chǎn)品越來越輕薄化，根據(jù)各工序作業(yè)情況的實(shí)際排查結(jié)果，造成不良發(fā)生的主要站點(diǎn)集中在Sliming和模組AssY段；針對(duì)不良高發(fā)工序進(jìn)行作業(yè)流程優(yōu)化，包括：a.Sliming作業(yè)流程優(yōu)化：來料檢崗位作業(yè)流程，點(diǎn)膠固化及全檢流程，拋光作業(yè)流程，拋光后成品檢，鍍膜成品檢&掃碼流程。b.MDL ASS'Y作業(yè)流程優(yōu)化。

以某款產(chǎn)品為例，Slimming前后PS mura不良率下降7.5%（10%→2.5%），MDLAssY前后PS mura不良率下降4.6%（7.8%→3.2%）。改善效果明顯，后續(xù)可將此標(biāo)準(zhǔn)化流程在其他產(chǎn)品上進(jìn)行進(jìn)行橫向展開。

2 評(píng)價(jià)基準(zhǔn)優(yōu)化和標(biāo)準(zhǔn)化

通過PS Mura發(fā)生的影響因素分析，已經(jīng)得知關(guān)鍵設(shè)計(jì)、工藝管控的薄弱環(huán)節(jié)，主要是以下幾個(gè)方面：①M(fèi)ain PS Top到BM距離設(shè)計(jì)值是否滿足設(shè)計(jì)Margin的要求。②M-S段差、LC Amount及TP實(shí)際波動(dòng)是否滿足設(shè)計(jì)Margin的要求。綜合對(duì)比產(chǎn)線PS Mura發(fā)生情況，通過新的PS Mura測(cè)試方法實(shí)驗(yàn)得出的測(cè)試結(jié)果可以很好的和產(chǎn)線不良率相匹配，說明該測(cè)試方案可以在認(rèn)證階段有效的提前識(shí)別該不良，進(jìn)行預(yù)防改善，防止在量產(chǎn)過程中造成較大的良率Loss，可以有效確保產(chǎn)品量產(chǎn)不良率<0.5%，結(jié)合目前在產(chǎn)各型號(hào)產(chǎn)品因PS Mura不良造成的良率Loss數(shù)據(jù)核算，保守預(yù)計(jì)可降低上千萬元損失。

3 結(jié)束語(yǔ)

通過模擬分析得出PS滑動(dòng)并造成TFT PI膜劃傷是造成PS Mura的直接因素；而Main PS Top到BM距離/Panel厚度/盒厚/PS溝道設(shè)計(jì)是影響PS滑動(dòng)并劃傷PI膜的主要因素。其次，TP、M-SDiff以及LC量等工藝波動(dòng)對(duì)PS Mura的發(fā)生有一定的影響。因此，從設(shè)計(jì)和工藝兩個(gè)方面，總結(jié)了改善提升方向（固化Design Rule&Process Rule）：一方面，設(shè)計(jì)上：①盡量采用固定PS站位的挖槽/增加Metal層設(shè)計(jì)；②Main PS Top到BM距離設(shè)計(jì)必須滿足>11（非有機(jī)膜）&>15（有機(jī)膜）的Margin要求；另一方面，通過工藝改善：①CFResin/M-S Diff.管控；②TP管控；除此之外，Sliming及MDL制程過程中作業(yè)手法規(guī)范化要求。通過以上幾個(gè)方面，才能從根本上防止PS Mura問題發(fā)生。最后，通過以上設(shè)計(jì)及工藝薄弱環(huán)節(jié)的分析，提出了新的PS Mura評(píng)價(jià)流程及評(píng)價(jià)方法。綜上，本文從設(shè)計(jì)、工藝、評(píng)價(jià)及作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化各方面進(jìn)行了優(yōu)化和標(biāo)準(zhǔn)化，為防止量產(chǎn)后PS Mura Issue高發(fā)建立更完善的監(jiān)控體系。

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收稿日期：2018-9-17