張浩然

摘要：用微磁學(xué)模擬FePt（30 nm）磁晶各向異性Ku的變化分析矯頑力的變化，與曾實(shí)驗(yàn)得到生長溫度為700℃用磁控濺射法在MgO（001）基片上生長FePt薄膜對比，得到磁晶各向異性參數(shù)Ku。

關(guān)鍵詞：L10-FePt；矯頑力；磁晶各向異性參數(shù)Ku；微磁學(xué)模擬

FePt[1]，CoPt[2]和FePd[3]等有序相（面心四方，L10相）合金材料，在交換耦合納米磁體中，具有高單軸磁晶各向異性（Ku），并且對于高密度數(shù)據(jù)存儲有潛在的應(yīng)用。這些合金有大的磁晶各向異性（Ku ～1.77×107-6.70×107 erg/cm3，1erg = 10-7 J），以致于呈現(xiàn)出特殊的性質(zhì)：即超小納米粒子的阻斷溫度（TB）高于室溫[4]。在這幾種材料中，L10-FePt和L10-FePd合金是化學(xué)有序的，并且顯示出高的磁晶各向異性（Ku）和大的矯頑力（HC）。而L10-FePt合金的磁能積（BH）max達(dá)到了13 MGOe，成為高密度磁存儲應(yīng)用的良好候選材料[5]。

1 微磁學(xué)仿真方法

微磁學(xué)模擬（OOMMF）就基于Gilbert提出了LLG方程為理論依據(jù)進(jìn)行模擬的。模擬樣品的尺寸分別為300 nm×300 nm×（5，30）nm；300 nm×300 nm×（3 nm/27 nm，網(wǎng)格尺寸為5 nm×5 nm×1 nm。硬磁的磁晶各向異性軸和飽和磁化強(qiáng)度的方向都垂直膜面。L10-FePt模擬參數(shù)：磁化強(qiáng)度M：ML10-FePt約為105 A/m；交換耦合常數(shù)A：AA1-FePt，Aex約為10-11 J/m[6]；磁晶各向異性參數(shù)Ku：K L10-FePt=1～5×106 J/m3。

3 結(jié)果與討論

圖1是FePt（30 nm，Ku）經(jīng)微磁學(xué)模擬不同Ku值的磁滯回線。L10-FePt的易軸為[001]方向，模擬只考慮[001]方向的磁化曲線。Ku = 1.0×106J/m3、1.5×106 J/m3和2.0×106 J/m3時，矯頑力分別為Hc =15.18 kOe、25.51 kOe和35. 84 kOe。磁晶各向異性能Ku的增加，矯頑力增大。實(shí)驗(yàn)得到FePt（001）（30 nm）薄膜在不同溫度進(jìn)行熱處理后的磁滯回線[7]。熱處理溫度Ta = 500℃，磁化曲線近似呈方形，其主要原因是因?yàn)橥舜艌霾灰粯釉斐傻?。沿面?nèi)方向磁化，退磁因子N ≈ 0。而沿垂直方向磁化，N ≈ 1，= -NM。沿面內(nèi)方向磁化，磁化曲線也有面積，可能原因是薄膜內(nèi)還存在軟磁相造成的（兩相晶格常數(shù)有差異，使得膜內(nèi)存在畸變）。Ta = 600℃，沿面內(nèi)方向磁化曲線的面積明顯減少，這就說明殘存的A1相可能已經(jīng)不多了。雖然垂直方向磁化曲線的矩形度更好，但是矯頑力卻降低了（只有不到1 kOe）。這主要是因?yàn)楸∧るm然在一些區(qū)域出現(xiàn)了孔洞，但整體是連通的。有序化轉(zhuǎn)變使得顆粒相互吸收或者合并，形成大片單晶，使得疇壁可以在很大范圍內(nèi)比較自由地移動，所以盡管L10相更多，但矯頑力反而變小的原因。Ta=700℃[7]薄膜不連續(xù)和小片單晶的出現(xiàn)，從而造成矯頑力更?。?.47 kOe），與模擬結(jié)果相差較大。生長溫度為700℃用磁控濺射法在MgO（001）基片上生長FePt薄膜。20nm厚的FePt薄膜，矯頑力Hc =30 kOe；當(dāng)膜厚增加為45nm時，矯頑力Hc = 25 kOe。表明膜厚為30nm時，矯頑力Hc =25～30 kOe[8]。微磁學(xué)模擬結(jié)果顯示，當(dāng)Ku = 1.5×106 J/m3時，矯頑力大小在此范圍內(nèi)。說明FePt（30 nm）薄膜的磁晶各向異性能Ku大約為1.5×106 J/m3。但是，由于薄膜實(shí)際的飽和磁化強(qiáng)度比理想的較小，所以Ta = 700℃的FePt（30 nm）薄膜實(shí)際磁晶各向異性能較小。

4 結(jié)論

生長溫度為700℃用磁控濺射法在MgO（001）基片上生長FePt薄膜。FePt（30 nm）薄膜的磁晶各向異性能Ku大約為1.5×106 J/m3。但是，由于薄膜實(shí)際的飽和磁化強(qiáng)度比理想的較小，所以Ta = 700℃的FePt（30 nm）薄膜實(shí)際磁晶各向異性能較小。

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