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        Cr2O3催化氮化制備Si3N4/SiC耐火材料及其性能

        2018-10-19 07:32:48海軍
        機械工程材料 2018年10期
        關(guān)鍵詞:硅粉晶須氮化

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        (1.武漢科技大學,省部共建耐火材料與冶金國家重點實驗室,武漢 430081;2.湖北匯爾杰新材料科技股份有限公司,襄陽 441000)

        0 引 言

        Si3N4/SiC耐火材料因具有強度高、抗熱震性好、抗侵蝕和耐磨性能優(yōu)異等優(yōu)點[1-4]而廣泛應(yīng)用于陶瓷及高溫冶金等行業(yè)[5-9]。目前,在實際生產(chǎn)中常以純硅粉、SiC骨料和SiC細粉為原料,采用直接氮化法在1 673 K以上溫度保溫較長時間(5~10 h)來制備Si3N4/SiC耐火材料[10-11];該方法存在氮化溫度高、氮化周期長、氮化不完全等問題。為解決上述問題,研究人員嘗試以過渡金屬(鐵、鈷和鎳)及其氧化物(Fe2O3、CoO和NiO)為催化劑對氮化過程進行催化。HUANG等[12]以SiC顆粒和硅粉為原料、以微米級金屬單質(zhì)鈷為催化劑,采用催化氮化法制備了Si3N4/SiC耐火材料,隨著鈷添加量的增加,硅粉氮化率得到了顯著提高,在1 673 K保溫5 h就能使硅粉完全氮化。古亞軍[13]分別以Fe2O3、CoO和NiO納米顆粒為催化劑制備了Si3N4/SiC耐火材料,發(fā)現(xiàn)Fe2O3、CoO和NiO納米顆粒的引入均可以顯著提高硅粉的氮化率,在1 673 K保溫2 h就能使硅粉完全氮化,并且可以使耐火材料中生成大量Si3N4晶須,有效提高Si3N4/SiC耐火材料的常溫力學性能。已有研究均表明,采用催化氮化法可以提高硅粉的氮化率、縮短氮化時間。但是,過渡金屬在催化氮化過程中易與體系內(nèi)的硅形成低熔點相MxSiy(M分別為鐵、鈷、鎳),此外過渡金屬氧化物的熔點也相對較低,這些低熔點物質(zhì)在高溫下易形成液相,嚴重影響耐火材料的高溫使用性能。

        研究表明,Cr2O3具有耐熱、耐化學腐蝕等優(yōu)點,可被用作硅粉氮化的催化劑[14]。但直接采用納米級Cr2O3催化氮化硅粉時,通常存在難以均勻分散、催化效率低等問題。為此,作者采用原位沉淀法制備了表面負載有Cr(OH)3納米顆粒的硅粉,將該復(fù)合粉和不同粒度的SiC顆?;旌希尚秃笤诹鲃拥腘2氣氛下對硅粉進行催化氮化,制備得到Si3N4/SiC耐火材料,研究了氮化溫度和催化劑含量對硅粉氮化效果和Si3N4/SiC耐火材料力學性能的影響。

        1 試樣制備與試驗方法

        1.1 試樣制備

        試驗原料有SiC顆粒,其中骨料的粒徑為3~1 mm和1~0 mm,細粉粒徑不大于0.088 mm,純度均不低于99%,由山東金蒙新材料有限公司提供;工業(yè)硅粉,純度不低于99.5%,粒徑不大于0.088 mm,由武鋼耐火材料有限責任公司提供;九水合硝酸鉻,分子式為Cr(NO3)3·9H2O,純度不低于99%,由國藥試劑集團提供;氨水,分子式為NH3·H2O,質(zhì)量分數(shù)為25%~28%,由武漢市紅大化工廠提供;聚乙二醇(PEG),純度不低于99%,由國藥試劑集團提供;聚乙烯醇(PVA),純度不低于99%,由國藥試劑集團提供。

        將94.752 g Cr(NO3)3·9H2O和2 200 mL水混合配制成溶液,加入12 g PEG(分散劑)磁力攪拌5 min,再加入600 g硅粉攪拌30 min,緩慢滴加NH3·H2O調(diào)節(jié)pH為4.5,繼續(xù)攪拌10 min,再快速加入NH3·H2O使pH達到7.0左右,繼續(xù)攪拌30 min,待鉻離子完全沉淀后抽濾,干燥24 h即得到表面負載有Cr(OH)3納米顆粒的硅粉,簡稱為Cr(OH)3/Si復(fù)合粉。在一定溫度下Cr(OH)3會發(fā)生分解生成Cr2O3顆粒,經(jīng)換算可知,所得Cr(OH)3/Si復(fù)合粉中單位質(zhì)量硅粉上負載的Cr2O3質(zhì)量為0.03 g。

        按照表1進行配料,將粒徑為3~1 mm和1~0 mm的SiC骨料干混6 min,再與預(yù)先混好的SiC細粉、Cr(OH)3/Si復(fù)合粉和PVA(結(jié)合劑)混合均勻,PVA的質(zhì)量分數(shù)為2%(外加),用油壓機在150 MPa壓力下將混合物料壓制成尺寸為25 mm×25 mm×140 mm的坯體;坯體在393 K干燥24 h后,置于SXZ16-15-16型箱式氣氛爐中,在流動的N2氣氛下以3~5 K·min-1的升溫速率加熱至1 473 K保溫2 h,再以相同的升溫速率加熱至1 523 K保溫2 h,最后以相同的升溫速率分別加熱至氮化溫度1 573,1 623,1 673 K保溫2 h,隨爐冷卻,即得Si3N4/SiC耐火材料。當Cr(OH)3/Si復(fù)合粉的質(zhì)量分數(shù)分別為0,3.3%,10.0%,16.7%時,計算得到Cr2O3的含量(與硅粉質(zhì)量之比,下同)分別為0,1%,3%,5%。

        表1 原料配比(質(zhì)量分數(shù))Tab.1 Raw material ratios (mass) %

        1.2 試驗方法

        使用X′pertpro型X射線衍射儀(XRD)分析耐火材料的物相組成;使用Nova400NanoSEM場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)觀察耐火材料的顯微結(jié)構(gòu),用附帶的IET 200型X射線能量散射儀(EDS)分析其化學成分。

        根據(jù)GB/T 3001-2007,使用DKZ-600型常溫抗折測試儀,采用三點彎曲法測耐火材料的常溫抗折強度,試樣尺寸為25 mm×25 mm×140 mm,跨距為110 mm,加載速率為0.15 MPa·s-1;根據(jù)GB/T 5072-2008,使用LM-02型電子數(shù)字式測力儀測耐壓強度,試樣尺寸為25 mm×25 mm×40 mm,加載速率為1.0 MPa·s-1;根據(jù)GB/T 2997-2000,利用排水法測定耐火材料的顯氣孔率和體積密度。

        2 試驗結(jié)果與討論

        2.1 物相組成

        由圖1可以看出:未添加Cr2O3氮化后,Si3N4/SiC耐火材料主要由SiC(JCPDS 01-073-1664),α-Si3N4(JCPDS 01-076-1407),β-Si3N4(JCPDS 01-076-1413)和硅(JCPDS 01-077-2110)等物相組成;添加Cr2O3催化氮化后,隨Cr2O3含量的增加,硅的衍射峰強度降低,當Cr2O3含量為3%時,硅的衍射峰完全消失,說明耐火材料中的硅粉已經(jīng)被完全氮化,當Cr2O3含量繼續(xù)增至5%時,各物相組成無明顯變化。

        圖1 在1 673 K下不同含量Cr2O3催化氮化2 h所得Si3N4/SiC耐火材料的XRD譜Fig.1 XRD patterns of Si3N4/SiC refractory obtained by catalytic nitridation with different content of Cr2O3 at 1 673 K for 2 h

        由圖2可知:當?shù)瘻囟葹? 573 K時,添加3%Cr2O3催化氮化所得耐火材料的主要物相為SiC、α-Si3N4、β-Si3N4以及少量未氮化的硅;隨著氮化溫度的升高,硅的衍射峰強度降低,當?shù)瘻囟葹? 673 K時,硅的衍射峰完全消失,說明耐火材料中的硅粉已經(jīng)完全氮化。

        圖2 不同溫度下添加3%Cr2O3催化氮化2 h所得Si3N4/SiC耐火材料的XRD譜Fig.2 XRD patterns of Si3N4/SiC refractory obtained by catalytic nitridation with 3%Cr2O3 at various temperatures for 2 h

        圖3 Si3N4/SiC耐火材料的孔隙率和體積密度隨氮化溫度和Cr2O3含量的變化曲線Fig.3 Curves of porosity and bulk density vs nitridation temperature (a) and Cr2O3 content (b) of Si3N4/SiC refractory

        2.2 常溫物理性能

        由圖3可知:所得耐火材料的孔隙率隨Cr2O3含量的增加或氮化溫度的升高而降低,體積密度隨Cr2O3含量的增加而增大,隨氮化溫度的升高先減小后增大;當Cr2O3含量為3%、氮化溫度為1 673 K時,所得耐火材料的孔隙率和體積密度分別為20.7%和2.49 g·cm-3。

        2.3 微觀形貌和化學成分

        由圖4可以看出:所制備的Si3N4/SiC耐火材料中均存在直徑為20~100 nm,長度達數(shù)微米的晶須;隨著Cr2O3含量的增加,晶須的數(shù)量增多,長度增大,但當Cr2O3含量由3%增至5%時,晶須的數(shù)量和長度無明顯變化。

        由表2可知:耐火材料中存在的顆粒狀物質(zhì)(位置1,3,5)主要由硅元素和碳元素組成,二者的原子比約為1∶1,說明這些顆粒狀物質(zhì)為SiC;晶須(位置0,2,4,6)主要由硅元素和氮元素組成,二者的原子比約為3∶4,說明這些晶須為Si3N4。原位生成的晶須狀Si3N4可有效改善Si3N4/SiC耐火材料的力學性能[15]。

        表2 圖4所示不同位置的EDS分析結(jié)果(原子分數(shù))Tab.2 EDS analysis results of different spotsshown in Fig.4 (atom) %

        圖4 在1 673 K下不同含量Cr2O3催化氮化2 h所得Si3N4/SiC耐火材料的SEM形貌Fig.4 SEM morphology of Si3N4/SiC refractory obtained by catalytic nitridation with different content of Cr2O3 at 1 673 K for 2 h:(a, c, e, g) at low magnification and (b,d,f,h) enlarged view of rectangle

        圖5 Si3N4/SiC耐火材料的強度隨氮化溫度和Cr2O3含量的變化曲線Fig.5 Curves of strength vs nitridation temperature (a) and Cr2O3content (b) of Si3N4/SiC refractory

        2.4 力學性能

        由圖5可知:隨氮化溫度的升高,添加3%Cr2O3催化氮化所得耐火材料的抗折強度和耐壓強度均增大;當?shù)瘻囟葹? 673 K時,添加Cr2O3催化氮化所得耐火材料的抗折強度和耐壓強度均高于未添加Cr2O3氮化的,Cr2O3含量由1%增至5%時,強度變化不大,添加3%Cr2O3所得耐火材料的抗折強度和耐壓強度僅略高于添加1%和5%Cr2O3的,分別為34 MPa和132 MPa。與以過渡金屬氧化物為催化劑制備的耐火材料[13]相比,以原位合成Cr2O3為催化劑制備的耐火材料的力學性能明顯更優(yōu)異。

        3 結(jié) 論

        (1) 以SiC粉和硅粉為原料,利用Cr(OH)3原位分解形成的Cr2O3顆粒為催化劑,采用催化氮化法在1 573~1 673 K保溫2 h條件下制備了Si3N4/SiC耐火材料;當?shù)瘻囟葹? 673 K,Cr2O3含量為3%時,硅粉完全氮化,耐火材料主要由SiC,α-Si3N4,β-Si3N4等物相組成;耐火材料中均存在直徑為20~100 nm、長度達數(shù)微米的Si3N4晶須,隨著Cr2O3含量的增加,Si3N4晶須的數(shù)量增多,長度增大。

        (2) 隨Cr2O3含量的增加,所得耐火材料的孔隙率降低,體積密度增大,致密性增大。

        (3) 隨氮化溫度的升高,添加3%Cr2O3催化氮化所得耐火材料的抗折強度和耐壓強度均增大;當?shù)瘻囟葹? 673 K時,添加Cr2O3催化氮化所得耐火材料的抗折強度和耐壓強度均高于未添加Cr2O3催化的,當Cr2O3含量為3%時,抗折強度和耐壓強度均最大,分別為34 MPa和132 MPa。

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