趙鴻燕

摘 要： 相控陣雷達導引頭是當今世界上最前沿、 最復雜的雷達導引頭之一。 本文介紹了美國、 俄羅斯、 歐洲、 日本、 印度、 韓國、 以色列等國家的相控陣雷達導引頭技術研究應用情況， 通過對國外發(fā)展情況的分析和總結， 提出一些有利于雷達導引頭研制的啟示和建議。

關鍵詞： 導彈； 雷達導引頭； 有源相控陣； 氮化鎵技術

中圖分類號： TJ765 文獻標識碼： A 文章編號： 1673-5048（2018）03-0011-07

目前， 有源相控陣（AESA）已經成為機載雷達應用的尖端技術， 彈載AESA的很多技術也已接近或達到實用標準， 美國、 日本、 俄羅斯和歐洲均已開始具體應用項目的研究。

1 國外研究及應用情況

隨著微電子及微機械技術的發(fā)展， 美國、 日本、 俄羅斯、 歐洲在導彈相控陣雷達導引頭技術方面取得了明顯進步。 印度、 韓國、 以色列等國也開始相關領域的研究。

1.1 美國

1.1.1 新一代空空導彈多波段多模雷達導引頭

在2014年美國?？占夹g展上， 洛克希德·馬丁公司推出了一款新型空空導彈， 其外形與AIM-120空空導彈相似。 據(jù)稱， 該導彈采用先進的多波段多模有源相控陣（AESA）雷達導引頭， 融合了寬頻帶被動高精度射頻接收器和雙波段有源相控陣主動導引頭。 這種雙波段有源相控陣主動導引頭可工作在C波段和Ka波段。 C波段導引頭改進了導彈的遠距離截獲和跟蹤能力， 而Ka波段導引頭則為導彈飛行末段提供高分辨率圖像。 作戰(zhàn)時， 導彈能夠探測40 km以外的雷達截面積為0.1 m2的目標。 打擊地面防空雷達時， 導彈能夠在敵方雷達關機狀態(tài)下對防空雷達進行成像識別末段導引。 目前該導彈已進行了一系列飛行試驗， 飛行試驗演示了新型導彈的技術成熟穩(wěn)定性， 洛克希德·馬丁公司正在進行風險降低工作， 以確保導彈系統(tǒng)是經濟可承受的， 并具有顯著的性能優(yōu)勢， 可以滿足作戰(zhàn)需要[1]。

1.1.2 “戰(zhàn)斧”Block Ⅳ巡航導彈被動/主動導引頭

自2013年11月起， 雷神公司就開始自主投資研發(fā)一款被動/主動導引頭， 準備將其集成到“戰(zhàn)斧”Block Ⅳ巡航導彈上。 被動導引頭安裝在頭錐的位置， 能對目標進行識別和測向。 主動導引頭則被安裝在頭錐下方， 可提高導彈在GPS信號受到干擾時的目標捕獲能力。 雷神公司傾向于采用基于有源相控陣（AESA）技術的主動毫米波導引頭[2-3]。 雷神公司計劃為“戰(zhàn)斧”Block Ⅳ導彈配備的新型多模導引頭見圖1。

2015年， 雷神公司進行系留飛行試驗， 演示了“戰(zhàn)斧”Block Ⅳ導彈多模導引頭發(fā)射主動雷達波以及接收目標反射電磁波的能力。 測試中， 安裝了主動和被動雷達天線以及新型模塊式多模處理器的“戰(zhàn)斧”Block Ⅳ導彈頭部被安裝到T-39飛機上。 后者以不同的高度模擬導彈的飛行軌跡進行亞音速飛行。 多模導引頭和多功能處理器在復雜、 密集電磁環(huán)境下操縱主動雷達照射地面以及海上的固定和移動目標。 這是使該導彈具備打擊地面和海上移動目標的關鍵一步[4]。

1.1.3 “以商用進度開發(fā)陣列”（ACT）項目

美國國防預先研究計劃局（DARPA）正在進行“以商用進度開發(fā)陣列”（ACT）項目， 旨在減少開發(fā)相控陣的一次性費用（通常達到成本的40%）， 并能快速引入新技術。 雷神公司從DARPA獲得了ACT項目第1階段的2份合同， 為有源相控陣（AESA）的快速升級和廣泛部署開發(fā)適應性強且可重新配置的通用電子系統(tǒng)。 ACT項目包括兩個技術領域。 TA1重點是實現(xiàn)數(shù)字接收/激勵和數(shù)字波束形成， 并開發(fā)出通用模塊。 TA2重點是研制出可賦予AESA雷達或干擾機“特性”的輻射元， 并使其能夠重新配置[5]。 ACT通用模塊如圖2所示。

引頭技術發(fā)展研究雷神公司正在研發(fā)的數(shù)字通用模塊， 占陣列核心功能的80%～90%， 可實現(xiàn)一系列廣泛的應用， 能構成從S波段到X波段的可重構可調諧的射頻孔徑， 形成多樣化的特性[6]。 雷神公司透露， 通用模塊旨在以最佳的效費比和最優(yōu)的適應性進行數(shù)字波束生成。 ACT項目的開展， 使AESA陣列在不同部分可同時產生多個不同用途的數(shù)字波束。 通用模塊打破了系統(tǒng)分類的慣例， 不再將一個陣列僅僅限于雷達或電子戰(zhàn)。 隨著模擬的相控陣越來越多地轉向數(shù)字相控陣， 將實現(xiàn)軟件定義射頻傳感器， 從而對每個輻射元進行數(shù)字控制。 ACT技術使數(shù)字射頻陣列可直接進行射頻采樣， 為系統(tǒng)省掉許多組件， 當前射頻采樣速度達到60 Gbps， 功耗已大量減少[5-6]。

DARPA準備開發(fā)不需要改變設計就可以重新配置從而在不同帶寬、 不同波段和不同掃描角度工作的機載輻射組件， 雷神公司目前已經按照系統(tǒng)需求的帶寬、 極化方式、 頻率， 為天線陣列重新設計了輻射器[6]。

1.1.4 氮化鎵（GaN）技術

有源相控陣（AESA）雷達的射頻器件會生成大量的熱， 從而導致熱管理問題。 航空電子設備常規(guī)的氣冷方式無法解決AESA雷達散熱問題， 尤其是當采用砷化鎵技術時。 因此液冷成為公認的解決方案， 其可使冷卻通道直接位于T/R模塊或MMIC之下。 但是， 液冷系統(tǒng)存在造價昂貴、 體積龐大、 可靠性低且難以維護等缺點。 基于氮化鎵的T/R模塊能工作在比砷化鎵更高的溫度下， 因此氣冷再次成為一種切實可行的解決方案[7]。

雷神公司在2013年3月完成了美國國防部辦公室（OSD）為期3年的Title Ⅲ氮化鎵項目。 OSD期望通過該項目推動氮化鎵技術的發(fā)展， 以期提供可工業(yè)生產、 高度可靠且經濟可承受的熱管理解決途徑。 在氮化鎵的開發(fā)過程中， 雷神公司密切關注13個關鍵性能參數(shù)， 它們涵蓋從產量、 成本到產品性能的諸多方面。 通過該項目， 雷神公司氮化鎵的生產已提高了至少300%， 單片微波集成電路的成本至少改善了75%。 2014年， 雷神公司在美國“愛國者”防空反導雷達系統(tǒng)上成功演示了有源相控陣和氮化鎵技術原型。 該技術能在未來實現(xiàn)360°感知覆蓋， 還可擴展防御范圍， 并減少探測、 識別和消除威脅的時間。 相關工作使得雷神公司成為第一家在氮化鎵處理方面達到8級制造成熟度的制造商[8-9]。

氮化鎵芯片的輸出功率比同樣面積的砷化鎵高5倍以上， 采用具有較高功率密度的氮化鎵器件不僅能降低系統(tǒng)成本， 還能提高部件的可靠性。 雷神公司目前正在開發(fā)采用氮化鎵器件的有源相控陣雷達系統(tǒng)。 未來其所有新型雷達和電子系統(tǒng)都將使用氮化鎵器件[8]。 雷神公司生產的氮化鎵晶片如圖3所示。

1.1.5 相控陣相關專利

美國雷神公司的專利US7728769B2[10]， Adaptive processing method of clutter rejection in a phased array beam pattern（相控陣波束方向圖雜波抑制自適應處理方法）， 介紹了一種相控陣波束天線圖雜波抑制的自適應處理方法和系統(tǒng)。 該專利確定了二維相控陣發(fā)射元的幅度分布， 合成了期望的低旁瓣線陣方向圖， 并將二維相控陣發(fā)射元的幅度分布和合成的方向圖相比較。 挑選出不能使所確定的二維相控陣發(fā)射元的振幅分布與合成的波束方向圖達到最佳匹配的二維陣元。 通過相位方向圖合成， 產生期望的低旁瓣二維波束方向圖， 從而將任何最佳匹配誤差減至最小。

美國雷神公司的專利US2015/0130658A1[11]， Methods and apparatus for signal sideband receiver/transceiver for phased array radar antenna（用于相控陣雷達天線的信號邊帶接收/收發(fā)裝置及其實現(xiàn)方法）， 涉及到一種具有單邊帶混頻器的接收機裝置， 其具有全通網絡， 可取消不需要的邊帶信號下變頻。 典型的雷達收發(fā)機有三個開關濾波器組， 分別用于前端干擾防護、 接收機鏡像抑制、 發(fā)射鏡像抑制， 而該專利提供了一種使用單邊帶混頻器進行信號上下變頻的雷達接收機或收發(fā)機模塊， 其只需一個開關濾波器組， 就可實現(xiàn)前端干擾防護、 接收鏡像抑制和發(fā)射鏡像抑制。 該專利中的接收機/收發(fā)機模塊置于單片集成電路或芯片上， 工作頻率范圍約6～18 GHz。 芯片上的全通網絡在寬帶寬、 多倍頻程提供90°相移。 由此產生的尺寸較小的單片接收機或收發(fā)機可用于相控陣雷達天線。 因為不需要龐大的片外開關濾波器組， 所以可增加相控陣天線收發(fā)機芯片的數(shù)量， 從而增強相控陣天線接收后同時跟蹤多個目標或發(fā)射后立刻將多個波束指向多個目標的能力。

1.2 日本

1.2.1 AAM-4B導彈有源相控陣雷達導引頭

2001年， 日本啟動了AAM-4空空導彈改進型 AAM-4B的研制工作， 2009年完成研制并定型， 2012年開始裝備日本航空自衛(wèi)隊。 AAM-4B空空導彈如圖4所示， 該導彈采用Ka波段有源相控陣雷達導引頭， 可提高導引頭發(fā)射功率， 進而提高自主制導距離， 并增大射程， 提高抗干擾能力以及對橫向穿越目標、 空地導彈和巡航導彈的攻擊能力[12]。

日本防衛(wèi)省技術研究和開發(fā)本部（TRDI）正在研制一種可提高對隱身目標探測能力的新型導彈制導系統(tǒng)。 其采用的不是目前基于目標視線角速率的制導算法， 而是基于目標位置預測的制導算法。 該制導系統(tǒng)通過計算機動目標即將到達的位置， 可在較遠的距離發(fā)現(xiàn)具有低雷達反射截面的飛機， 并可優(yōu)化導彈的飛行路線[13]。

該制導系統(tǒng)通過減小導引頭掃描范圍來提高成功發(fā)現(xiàn)目標的概率。 當傳感器被激活進行末制導之后， 如果通過精確預計敵機所處的位置來將掃描范圍集中于較小的區(qū)域， 將增加發(fā)現(xiàn)轉瞬即逝的目標的可能性。 導彈只需掃描較小的空域， 就可增大對于隱身目標的截獲距離[13]。

研發(fā)計劃的另一個目的是縮短導彈的飛行軌跡， 也就是讓導彈飛行得更快。 TRDI稱其所開發(fā)的制導系統(tǒng)能通過進一步預測而轉向目標將處在的位置， 如果目標在載機的正前方迎頭飛行， 且二者的飛行高度都是12 000 m， 運用目標運動預測技術能將攔截導彈的飛行時間減少12%， 也就是從15 s減少為13.2 s。 圖5所示為運動預測與比例導

航的對比。 運動預測使導彈的攔截彈道曲率更小， 攔截時間更短， 可減小目標的反應時間[13]。

AAM-4B將會受益于上述這些研發(fā)工作。 其導引頭采用有源相控陣（AESA）， 能夠在天線尺寸相同的情況下進行更高功率的發(fā)射， 從而提高了對隱身目標的作戰(zhàn)性能。 另外， 日本正在開發(fā)采用氮化鎵晶體管的雷達， 有望進一步增加發(fā)射功率。 AESA雷達能夠實時調整波束和掃描范圍來進行目標位置預測， 因此具有靈活轉向最新預測目標位置的優(yōu)點， 其也應該能根據(jù)目標位置預測即時減小和增大掃描范圍[13-14]。

1.2.2 相控陣導引頭相關專利

日本東芝公司的專利JP05674694B2[15]， Phased array seeker and method for transmitting/receiving high frequency signal of phased array seeker（相控陣導引頭及其高頻信號發(fā)射/接收方法）， 涉及到相控陣導引頭的反射式集成天線， 該天線包括采用PIN二極管的移相器。 PIN二極管正極接到微帶線上， 負極接地。 串聯(lián)連接的微帶線由高溫超導材料制成的導體構成。 移相器被冷卻裝置制冷至超導躍遷溫度以下， 制冷劑為液氮。 除了接觸反射式集成天線外， 冷卻裝置與周圍是隔離的。 該設計使移相器插損降低、 發(fā)射功率提高， 使接收時的噪聲因子減小， 實現(xiàn)移相器制冷。

日本東芝公司的專利JP05722258B2[16]， Phased array seeker（相控陣導引頭）， 介紹了一種可減小集成天線中移相器插損的相控陣導引頭設計。 該相控陣導引頭包括： 若干微帶線（導體由超導材料構成， 串聯(lián)連接）， 移相微帶線（一端連到微帶線上， 導體由超導材料構成）， 以及PIN二極管（正極連到移相微帶線的另一端， 負極接地）。 相控陣導引頭也包括： 發(fā)射/接收信號的移相器（可控制所發(fā)射的高頻信號的相位）和冷卻設備（將發(fā)射信號的微帶線、 移相和發(fā)射信號的微帶線、 接收信號的微帶線、 移相和接收信號的微帶線制冷到超導躍遷溫度或更低溫度）。 該相控陣導引頭通過支撐移相器的導電隔熱材料將集成天線固定在殼體中。 每個天線都由液氮（其除了接觸移相器外， 與殼體中其他部分都是隔離的）制冷。 液氮把移相微帶線冷卻至超導躍遷溫度以下。

1.3 俄羅斯

俄羅斯瑪瑙設計局正在研究用于導彈導引頭的主動式和被動式的有源相控陣天線。 俄羅斯披露了其為新型K-77M空空導彈研發(fā)的64單元有源相控陣（AESA）雷達， 如圖6所示。 文獻[17-19]顯示， 該AESA雷達預計在2015年2月開始量產， 目前已進入批量生產。

俄羅斯公開展示的K-77M空空導彈的相控陣雷達導引頭， 是在機掃天線驅動平臺上， 用64單元AESA天線替代平板縫隙天線， 采用主/被動復合方式， 既可固態(tài)電掃又可機械掃描。 這種做法不需要對導引頭和天線罩進行大的改動就能對現(xiàn)有的R-77進行AESA天線改造。 主要針對全電掃AESA雷達大角度范圍搜索距離下降的性能局限， 俄羅斯的彈載相控陣天線采用這種電掃與機掃結合的方式， 小偏角利用天線電掃描的方式， 大角度則依靠機掃提供天線的側向傾斜角[18]。

俄羅斯彈載相控陣天線的缺點是重量和占用空間大， 天線罩的外形仍然受到天線旋轉空間限制， 優(yōu)點則是AESA天線設計和工藝簡單， 用機掃使天線在整個前半球都能獲得均衡的搜索距離。 俄羅斯為K-77M選擇機-電混掃AESA雷達， 主要是因為其電子移相器的技術水平不高， 傳統(tǒng)移相器的體積和重量太大， 難以綜合到R-77彈體中。 K-77M的AESA導引頭設計性能不錯， 但因為天線尺寸小， 陣面采用了交錯條形構成的矩形， 雷達天線的總面積要小于普通的盤形天線， 這也在部分程度上削弱了AESA的性能優(yōu)勢[18]。

1.4 歐洲

與砷化鎵器件相比， 氮化鎵器件能在更高的電壓下工作而不會過熱， 所以氮化鎵器件比目前有源相控陣雷達上使用的砷化鎵器件的功效更高。 目前MBDA公司正在和英國、 法國一起探索半導體氮化鎵在導彈射頻導引頭和傳感器上的潛在用途[20]。

法國聯(lián)合單片半導體公司與波爾多大學合作進行了氮化鎵的熱動力極限試驗。 試驗中把氮化鎵的工作電壓從30 V增加到50 V， 以激發(fā)出更多的射頻能量。 增加電壓后氮化鎵的發(fā)射功率可從為3～4 W/mm提高到6.5 W/mm[20]。

研究人員通過提高射頻功率可實現(xiàn)導引頭的小型化， 從而使導彈中有更多的空間裝下更大的戰(zhàn)斗部或更多的燃料。 當然， 射頻導引頭也可以安裝在更小的導彈上， 從而實現(xiàn)導彈的小型化[20]。

1.5 韓國

韓國三星泰勒斯公司的專利KR1052042B1[21]， Beam steering controller for controlling phase shifter with MEMS switch in a phase array antenna（通過MEMS開關控制移相器的相控陣天線波束控制裝置）， 介紹了一種重量輕、 結構簡單、 波束掃描速度快、 制造經濟合算的相控陣天線波束控制裝置， 其包括相控陣天線驅動器和波束控制器， 如圖7所示。 相控陣天線驅動器包括采用MEMS開關的移相器和“低壓串聯(lián)高壓并聯(lián)”變換器。 波束控制器可根據(jù)從相控陣天線控制裝置接收到的波束指令信號， 計算出分別與移相器相應的相位數(shù)據(jù)， 并將該相位數(shù)據(jù)傳送到相控陣天線驅動器， 相控陣天線驅動器通過像HV574那樣的“低壓串聯(lián)高壓并聯(lián)”變換器以最小驅動電流來控制與相位數(shù)據(jù)對應的移相器的MEMS開關的開或關， 進行波束控制， 從而用最低成本實現(xiàn)了輕小型化。

1.6 印度

印度國防研究和發(fā)展組織的專利IN201303018I1[22]， System and method for injecting a target in active phased array radars（有源相控陣雷達目標輸入系統(tǒng)和方法）， 提供了一種雷達目標模擬（包括對環(huán)境干擾（雜波）和人為電子干擾效果的模擬）的裝置和方法。 信號的輸入使雷達處于與戰(zhàn)場中遇到的環(huán)境相似的電子環(huán)境中。 以高度的可重復性和靈活性， 沿信號路徑在各點輸入信號， 從而確定雷達各部分的特性或者將問題區(qū)域分離出來。 從射頻（RF）前端到數(shù)字信號處理和雷達數(shù)據(jù)處理器， 利用真實的雷達信號對雷達性能進行評估和確定。 這在驗證和加強信號處理和跟蹤回路算法時特別有用。 而且， 該專利涉及到的一種改進的校準相控陣雷達系統(tǒng)， 可在從激勵器到每個天線元的有源相控陣雷達發(fā)射通道中獲得精確的相位響應。

機載和彈載相控陣接收想要的信號， 同時壓制所有其他不想要的敵方輸入信號。 這也使其不被敵方基地或敵機的雷達探測到。 文獻[23]討論了相控陣天線、 機械掃描平面陣、 無源電子掃描陣列、 有源電子掃描陣列、 寬角度掃描相控陣、 相控陣和MEMS電控天線的互耦效應等幾個方面。 主要對適用于寬角度掃描陣列天線（在空基雷達上很有用）的天線元進行分析， 對與寬角度掃描相控陣設計和分析相關的問題進行思考。 該天線孔徑包括許多輻射元， 可用于波束形成， 然后通過調整陣元相位來高效地控制波束。 此外， 該天線能抑制接收信號中所有不想要的部分， 同時在期望的方向保持充足的方向圖增益。 這些特性可用于隱身[23]。

1.7 以色列

以色列航空工業(yè)有限公司的專利WO2015166490A1[24]， cover（頭罩）， 介紹了一種包括內部頭罩和外部天線罩的導彈導引頭頭罩組件。 內部頭罩可完全透過第一個波段和第二個波段的電磁（EM）輻射。 第一個波段包括可見光、 紅外光、 紫外光。 外部天線罩可透過第二個波段的電磁輻射。 第二個波段包括射頻（RF）波段。 外部天線罩最初裝在內部頭罩外面， 飛行時可拋掉， 露出內部頭罩。

內部頭罩呈圓形， 可使第一個波段和第二個波段的電磁輻射透過時不會變形。 外部天線罩呈尖拱形或圓錐形， 其由兩片組成， 每片之間通過爆炸螺栓連起來， 被激活后各片分離。 或者每片縱向邊緣處是活性材料（如： 爆炸物質）， 一旦活性材料激活， 天線罩各片之間的機械連接就被破壞， 從而彼此分離。 頭罩組件與導引頭有共同的孔徑。 導引頭包括光電單元（發(fā)射/接收透過內部頭罩的第一個波段電磁輻射）和射頻單元（發(fā)射/接收透過外部天線罩的第二個波段電磁輻射）。 光電單元可以是紅外成像導引頭。 射頻單元可以是相控陣導引頭。 在導彈飛行初始階段， 外部天線罩保護著內部頭罩， 此時射頻單元工作， 而光電單元不工作。 導彈可通過控制裝置（如： 彈載計算機）使外部天線罩脫離。 外部天線罩脫離后， 內部頭罩露出， 光電單元這時啟動。 控制裝置控制射頻單元和光電單元之間的工作轉換。 圖8所示為外部天線罩被打開時和外部天線罩完全脫離后的頭罩組件視圖。

2 啟示和建議

通過對上述國外相控陣雷達導引頭技術的發(fā)展情況進行分析和研究， 可以總結出以下幾點：

（1） 隨著微電子及微機械技術的發(fā)展， 世界軍事強國都加快了導彈有源相控陣雷達制導方面的研究， 但是有源相控陣雷達遲遲不能使用， 關鍵就在于導彈彈體空間太小， 限制了雷達導引頭天線的大小， 為了保證較大的增益， 保證探測距離， 只能采用毫米波那樣較高的頻率（如美國洛克希德·馬丁公司新一代空空導彈、 日本AAM-4B空空導彈的Ka波段有源相控陣導引頭）， 那么對器件的要求就會較高， 所以具有較高功率密度的GaN器件就成為美國、 日本、 歐洲各國的首選。 另外， 在較小的空間內集中較多T/R模塊， 產生的散熱問題也難以解決。 日本專利中的相控陣導引頭天線移相器由液氮制冷， 除了接觸反射式集成天線外， 冷卻裝置與周圍是隔離的， 其設計可降低移相器插損和提高發(fā)射功率。 在數(shù)據(jù)/信號處理方面， 印度專利中涉及到一種相控陣雷達目標模擬裝置， 可利用真實的雷達信號對有源相控陣雷達系統(tǒng)進行所有作戰(zhàn)模式下的性能評估， 確保性能指標滿足要求， 這在驗證和加強信號處理和跟蹤回路算法時非常有用， 值得借鑒。

（2） 微波單片集成電路（MMIC）技術和微波多芯片組件（MMCM）技術目前已成為有源相控陣雷達導引頭T/R組件的關鍵技術。 美國雷神公司研發(fā)的用于相控陣雷達天線的小尺寸單片接收機或收發(fā)機， 通過增加相控陣天線收發(fā)機芯片數(shù)量， 可增強相控陣天線接收后同時跟蹤多個目標或發(fā)射后立刻將多個波束指向多個目標的能力。 隨著以GaN為代表的第三代半導體器件和MMIC的應用、 MEMS低損耗移相器的實現(xiàn)以及新的MMCM技術的應用， 各國已具有了研制出小型化、 低功耗有源相控陣雷達導引頭的條件。

（3） 美國在相控陣雷達導引頭方面的研究不僅涉及到先進空空導彈， 還計劃用于遠程反艦導彈。 目前美國正在研制可重新配置的通用數(shù)字模塊， 目的是減少開發(fā)相控陣的一次性費用， 并實現(xiàn)有源相控陣的快速升級。 日本和俄羅斯雖然也已將相控陣雷達導引頭用在導彈型號上， 但是將平板縫隙陣面更新為T/R組件陣面， 并不能充分發(fā)揮有源相控陣雷達系統(tǒng)的技術優(yōu)勢。

（4） 對美國、 日本、 俄羅斯、 歐洲、 印度、 韓國、 以色列等國家進行的彈載相控陣雷達技術的相關研究可以有所借鑒。 從目前各國的發(fā)展情況來看， 只有突破效費比瓶頸后， 彈載相控陣雷達才能取代常規(guī)雷達。

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Abstract： Phased array radar seeker is one of the most advanced and complicated radar seekers. In this paper， the research and application states of phased array radar seeker technology in US， Russia， Europe， Japan， India， South Korea， Israel are introduced. After the overseas development state is analyzed and summarized， some suggestions are provided.

Key words： missile； radar seeker； active phased array； gallium nitride technology