中國電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所 劉建峰

1.引言

車載毫米波雷達(dá)傳感器可以在極端溫度、弱光和較差的天氣狀況正常工作，具有較好的抗外界干擾的能力，被認(rèn)為是非常有前景的ADAS傳感器。線性調(diào)頻毫米波收發(fā)芯片是車載毫米波雷達(dá)的核心器件，決定了雷達(dá)系統(tǒng)的主要性能，其主要功能包括三個部分，分別為接收機(jī)、發(fā)射機(jī)和線性調(diào)頻頻率源，文獻(xiàn)[1]研究表明，頻率源的相位噪聲提高10dB可以使得中頻信號的噪聲密度減小5dB，而頻率源相噪水平主要由壓控振蕩器決定，因此低相噪的壓控振蕩器對于整個系統(tǒng)性能至關(guān)重要。車載雷達(dá)的工作頻率主要分為24GHz頻段（24.25～26.65GHz）和77GHz頻段（76～81GHz）。與24GHz頻段相比，77GHz頻段具有更小的波長和更大的可用帶寬，使得雷達(dá)系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)更小的體積和更高的分辨率，是未來車載雷達(dá)主流方向。因此，本文針對77GHz頻段的線性調(diào)頻頻率源的核心器件——壓控振蕩器展開設(shè)計(jì)研究，旨在為高頻車載毫米波雷達(dá)國產(chǎn)化的基礎(chǔ)技術(shù)進(jìn)行鋪墊。

2.設(shè)計(jì)實(shí)例

隨著硅基集成電路的工作速度越來越快、截止頻率越來越高，目前車載毫米波雷達(dá)芯片產(chǎn)品主要采用鍺硅（SiGe）工藝為主，并逐漸向CMOS工藝推進(jìn)。對于77GHz頻段，目前適用的設(shè)計(jì)工藝有0.18/0.13um SiGe BiCMOS工藝和65nm CMOS（或高于此節(jié)點(diǎn)）工藝，從性能方面考慮，鍺硅工藝可以實(shí)現(xiàn)更低的噪聲和更高的輸出功率，因此本文采用了鍺硅0.13um BiCMOS工藝來進(jìn)行設(shè)計(jì)。

圖1 本文設(shè)計(jì)的77GHz壓控振蕩器原理圖

盡管文獻(xiàn)中報道了多種毫米波VCO的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)[2-5]，但交叉耦合結(jié)構(gòu)和Colpitts結(jié)構(gòu)的簡潔設(shè)計(jì)和較好性能使得二者仍然是優(yōu)選方案。根據(jù)工藝PDK手冊，工作頻率最高的器件是高頻NPN型BJT晶體管，其截止頻率為210GHz，對于BJT晶體管而言，與交叉耦合結(jié)構(gòu)相比，采用Coplitts結(jié)構(gòu)進(jìn)行VCO設(shè)計(jì)可以取得更高的振蕩頻率，因此本文基于改進(jìn)型的Colipitts結(jié)構(gòu)進(jìn)行了VCO設(shè)計(jì)。圖1給出本文設(shè)計(jì)的VCO的原理圖，采用差分結(jié)構(gòu)，其中Q0和Q1為VCO的主晶體管，在傳統(tǒng)的Colpitts結(jié)構(gòu)上，增加發(fā)射極退化電感L4和L5以提高振蕩頻率的范圍，采用變?nèi)荻O管D0和固定電容C3、C4、C11和C12構(gòu)成發(fā)射極電容，與基極電感L2、L3和基極-發(fā)射極間電容C6、C7共同構(gòu)成LC振蕩回路，通過參數(shù)設(shè)計(jì)優(yōu)化使得整個VCO的調(diào)諧范圍滿足77GHz頻段的工作區(qū)間和相位噪聲需求。

3.仿真結(jié)果

基于以上的電路結(jié)構(gòu)，在Cadence SpectreRF平臺進(jìn)行仿真，圖2(a)給出壓控振蕩器輸出頻率隨控制電壓的變化特性，在0～2.5V的控制電壓范圍內(nèi)，輸出頻率范圍為75.6GHz～81.6GHz，圖2(b)給出相位噪聲在不同頻率偏移下的性能，在10kHz、100KHz和1MHz頻偏下，相位噪聲分別為-52dBc/Hz、-72dBc/Hz和-92dBc/Hz。

圖2 壓控振蕩器調(diào)諧范圍及相位噪聲特性

圖3(a)給出壓控振蕩器的瞬態(tài)時域特性，從0時刻啟動達(dá)到滿擺幅振蕩的時間小于1ns，圖3(b)給出了壓控振蕩器的穩(wěn)定性特性，在可調(diào)諧區(qū)間內(nèi)，增益和相位均在0附近，滿足穩(wěn)定振蕩的要求。

圖3 壓控振蕩器瞬態(tài)啟動特性及穩(wěn)定性特性

4.總結(jié)

針對車載毫米波雷達(dá)中線性調(diào)頻頻率源的需求，基于鍺硅0.13um BiCMOS工藝，本文設(shè)計(jì)了一款77GHz寬帶壓控振蕩器，仿真結(jié)果表明該VCO的調(diào)諧范圍大于6GHz，相位噪聲在1MHz處小于-92dBc/Hz，啟動時間小于1ns，可穩(wěn)定工作，滿足線性調(diào)頻頻率源對VCO的性能需求。

注釋

①Saverio Trotta,Markus Wintermantel,John Dixon,et al.An RCP Packaged Transceive Chipsetfor Automotive LRR and SRR Systems in SiGe BiCMOS Technology[J].IEEE MTT,2012,Vol.60,No.3.

②V.Jain,B.Javid,P.Heydari,A BiCMOS dual-band millimeterwave frequency synthesizer for automotive radars.IEEE J.Solid State Circuits 44:2100-2113(2008).

③S.T.Nicolson et al.,Design and scaling of W-band SiGe BiCMOS VCOs.IEEE J.Solid State Circuits 42(9):1821-1833(2007).

④J.Lee,M.Liu,H.Wang,A 75-GHz phase-locked loop in 90-nm CMOS technology.IEEE J.Solid State Circuits 43(6):1414-1426(2008).

⑤B.Razavi,A millimeter-wave circuit technique.IEEE J.Solid State Circuits 43(9):2090-2098(2008).