孔令東 劉 平

2018年5月16-18日，“RADECS Workshop 2018暨第二屆電子器件輻射效應國際會議”在北京成功召開。這也是RADECS Workshop第一次在非歐洲國家舉辦。本次會議旨在構建高端學術交流合作平臺，助推航天強國建設，引領元器件抗輻射專業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。會議由中國航天電子技術研究院主辦，北京微電子技術研究所和哈爾濱工業(yè)大學承辦。來自15個國家的260余名專家、學者和代表應邀參加了本次會議。

元器件和電子系統(tǒng)的輻射效應及加固技術研究始終是微電子技術領域的制高點，也是衡量一個國家航天技術水平的重要標志。近年來，我國航天微電子技術迅速發(fā)展，已基本實現(xiàn)了航天元器件的自主可控。作為國際輻射加固領域最重要的權威學術組織之一， RADECS（Radiation Effects on Components and Systems）高度重視在中國舉辦的本次會議，派出了由6名專家組成的專業(yè)代表團出席會議。

會議分報告和專題研討兩個環(huán)節(jié)。在報告環(huán)節(jié)，3位美國知名專家介紹了美國SiC功率器件輻射相關可靠性、新型材料器件（如高K柵堆疊FinFET、SiC/GaN等化合物半導體、石墨烯等二維材料等）的輻射效應以及雙極器件的輻射效應建模等研究成果，6位歐洲專家介紹了歐洲有關國家的抗輻射發(fā)展情況，5位中國專家交流了雙極器件電離和非電離的協(xié)同效應、非易失存儲器輻射效應、中子誘發(fā)單粒子效應等研究成果。

在專題研討環(huán)節(jié)，按照輻射效應的機理及建模、新型器件和電路的輻射效應、抗輻射加固方法、輻射加固保證與評估四個專題分類，對5篇特邀報告和38篇學術論文進行了分組研討。此外，55篇學術論文以海報形式進行了展示，論文作者與參會嘉賓進行了深入的探討與交流。

本次會議保持了RADECS一貫的專業(yè)技術水準，進一步加強了抗輻射專業(yè)國際化交流平臺建設，展示了中國航天獨立自主的發(fā)展道路及取得的偉大成就，得到了國外專家的高度評價，增進了與中國合作的意愿。