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        T/R開關(guān)組件封裝工藝的研究

        2018-07-02 07:30:28馮曉曦馬其琪
        山西電子技術(shù) 2018年3期
        關(guān)鍵詞:楊氏模量貼片基板

        馮曉曦,李 俊,馬其琪

        (中國電子科技集團公司第二研究所 微組裝中心,山西 太原 030024)

        1 緒論

        T/R開關(guān)是一種在射頻發(fā)射通道和信號接收通道間進行切換的器件[1]。其主要組成部分是PIN二極管和部分電容電阻器件組成的功能電路以及作為襯底的LTCC基板。T/R開關(guān)作為射頻電路的關(guān)鍵部件,是雷達系統(tǒng)可靠工作的一個重要組成部分。

        封裝工藝在T/R開關(guān)研制過程中占據(jù)很大的比重,其設(shè)計成本占T/R開關(guān)設(shè)計總成本的一半以上[2]。而在封裝工藝中,貼片和金絲鍵合則是工作的重中之重。本文通過設(shè)計系列仿真和試驗,探究這兩種工藝的工藝參數(shù)對器件可靠性的影響。

        2 貼片工藝

        貼片是指將芯片裝配到管殼底座或框架上的工藝。常用的方法有樹脂粘接、共晶焊接、錫鉛合金焊接等。

        膠粘貼片工藝具有工藝靈活,成本低,工藝溫度低等優(yōu)點,且使用范圍廣泛,工藝成熟,成為T/R開關(guān)貼片采用的主要封裝方式。主要工藝步驟包括:施膠,貼片及固化。

        在芯片測試時,封裝體要受到加速度力作用,由于機械約束及封裝體各部件的應(yīng)力系數(shù)不匹配,封裝體中將產(chǎn)生應(yīng)變和應(yīng)力。在測試過程中封裝體附加產(chǎn)生的應(yīng)變和應(yīng)力將對PIN二極管的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響,應(yīng)力過大時甚至?xí)斐蒔IN二極管的破裂。因此,需要選擇適合的材料以盡可能地減小應(yīng)力和應(yīng)變對PIN二極管的影響。

        利用ANSYS軟件,從理論上對貼片工藝過程中封裝體受到的應(yīng)力進行仿真分析,根據(jù)分析結(jié)果優(yōu)化實際的封裝工藝,以減小應(yīng)力對二極管的影響。

        2.1 貼片膠厚度對芯片影響

        本文使用ANSYS軟件分析貼片膠、PIN二極管以及LTCC基板之間的應(yīng)力與應(yīng)變。對LTCC基板底部施加全自由度約束,在PIN二極管安裝方向的Z方向施加40g加速度載荷。仿真模型如圖1,底層為LTCC基板,中間為貼片膠,上層為PIN二極管。

        圖1 結(jié)構(gòu)仿真模型

        密度ρ楊氏模量泊松比厚度LTCC基板2.5×1032.9×10110.2500貼片膠1.25×10-52.7×1030.320~120硅二極管2.3×1031.3×10110.2300

        首先對殼體進行建模,模型類型為Brick 8node 45,定義材料類型(如表1),劃分網(wǎng)格形式為Tet-free,最后在LTCC底部施加全自由度約束(DOF),對模型施加值為40g垂直向上的靜態(tài)加速度,計算出PIN二極管中心點的位移與應(yīng)力值。

        圖2 不同厚度貼片膠模型應(yīng)力云圖

        貼片膠厚度(μm)204080120應(yīng)力(MPa)5.335.795.565.05位移(μm)15306191

        可以看出芯片中心點應(yīng)力會隨著貼片膠厚度的增加而減小(藍色逐漸變淡)。因此,進行貼片工藝時,可以將貼片膠適當(dāng)涂厚。同時,為了避免芯片出現(xiàn)較大的位移,要控制點膠厚度。

        2.2 貼片膠材料對芯片影響

        不同貼片膠的楊氏模量對芯片應(yīng)力有不同影響。分別選取楊氏模量分別為1×103、3×103、5×103、7×103、9×103、10×103的貼片膠仿真,分析PIN二極管的應(yīng)力變化情況。根據(jù)仿真結(jié)果得出不同楊氏模量的貼片膠與芯片的應(yīng)力關(guān)系如圖3所示。

        圖3 貼片膠楊氏模量與芯片應(yīng)力關(guān)系曲線

        從圖3中可知,PIN二極管所受應(yīng)力會隨著貼片膠楊氏模量的增大而增大,并在7 MkPa時變化趨于平緩。

        綜上可知,PIN二極管受到的應(yīng)力值與貼片膠的厚度呈負相關(guān),與楊氏模量呈正相關(guān)。但是,貼片膠的厚度越大,對PIN二極管位移影響也越大。因此,在貼片工藝時,應(yīng)在滿足粘接要求的強度和工藝條件的前提下,綜合考慮封裝應(yīng)力、模態(tài)及PIN二極管等方面因素。

        3 鍵合工藝

        鍵合根據(jù)工藝特點分為超聲鍵合、熱壓鍵合和熱超聲鍵合。傳統(tǒng)的熱壓鍵合所需的溫度高(250 ℃~350 ℃),高溫不僅容易損壞鍵合劈刀,更容易造成粘接失效和元器件與鍵合線降級[3]。因此采用操作溫度低、鍵合強度高、有利于器件可靠性的熱超聲鍵合,已經(jīng)成為引線鍵合的主流方式。金絲鍵合質(zhì)量的影響因素眾多,主要包括設(shè)備參數(shù)、鍵合界面材料和操作人員的能力。

        通過眾多研究發(fā)現(xiàn),在生產(chǎn)過程中,針對同一批次產(chǎn)品,影響楔形鍵合質(zhì)量較大的因素主要為設(shè)備參數(shù),包括第一/第二鍵合點的超聲功率(W)及超聲時間(t)、機頭壓力(F)和鍵合溫度(T)等。但是,這些工藝參數(shù)之間相互耦合,存在著極其復(fù)雜的非線性關(guān)系,致使各工藝參數(shù)對鍵合質(zhì)量的影響難以用準確的數(shù)學(xué)模型表示。

        在溫度不超過150 ℃前提下,通過調(diào)整鍵合壓力、鍵合溫度、超聲功率、超聲時間之間的關(guān)系,確保芯片不受損傷且保證有較大的鍵合強度以及較好的焊點形態(tài)。本文通過正交實驗設(shè)計方法對超聲引線鍵合工藝進行優(yōu)化,得出優(yōu)化工藝參數(shù),揭示工藝參數(shù)與鍵合質(zhì)量之間的內(nèi)在聯(lián)系。測試結(jié)果如下表所示(機頭壓力F/gf,鍵合溫度T/℃,超聲功率W/w,超聲時間t/ms,拉力最大值MAX、最小值MIN、均值/g)。

        表3 正交設(shè)計試驗結(jié)果

        由表3可以看出,鍵合參數(shù)的設(shè)置對鍵合強度的影響比較顯著。當(dāng)鍵合壓力為16gf時,各參數(shù)配合下的鍵合強度平均值比較大;而當(dāng)鍵合壓力為18gf時,鍵合強度的均方根比較好,鍵合強度一致性比較好。

        4 結(jié)論

        在T/R開關(guān)封裝工藝中,貼片和金絲鍵合是兩個關(guān)鍵技術(shù)。其質(zhì)量直接決定了器件功性能的可靠性、穩(wěn)定性甚至于整體的電性能。

        1) 通過ANSYS仿真軟件對PIN二極管-貼片膠-LTCC基板的系統(tǒng)進行分析,得出了在不同厚度貼片膠下,PIN二極管的應(yīng)力與位移分布情況,以及使用不同楊氏模量的貼片膠與應(yīng)力值之間的關(guān)系。根據(jù)分析的結(jié)果,可優(yōu)化封裝工藝中貼片的相關(guān)設(shè)計,節(jié)約成本的同時,提高T/R開關(guān)的可靠性。

        2) 利用正交設(shè)計試驗的方法,分析了在熱聲焊楔焊的過程中,機頭壓力、鍵合溫度、超聲功率、超聲時間對鍵合拉力值的影響。得出了當(dāng)鍵合壓力分別為16gf和18gf時,鍵合強度表現(xiàn)出較好的均值和一致性。

        [1] 刁玉劍,謝君堯.磁共振快速T/R開關(guān)驅(qū)動器研制[J].波譜學(xué)雜志,2016(1):37-43.

        [2] 關(guān)榮峰,汪學(xué)方.MEMS封裝技術(shù)及標準工藝研究[J].半導(dǎo)體技術(shù),2005(1):50-55.

        [3] 何中偉.MCM_C實用先進組裝封裝工藝制造技術(shù)研究[D].南京:南京理工大學(xué),2006.

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